公开(公告)号：CN116454163A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310343522.0

申请日：2023-04-03

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 王红芳 ,  史金超 ,  翟金叶 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  田思 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/22

摘要： 本发明提供了一种图形化掩膜板、掺杂方法及太阳能电池制作方法，属于太阳能电池技术领域，其中图形化掩膜板包括边框，边框内具有并排设置的非遮挡区和遮挡区，遮挡区内具有多个间隔设置的条形板，条形板的一端与边框连接，条形板的另一端朝向非遮挡区；相邻条形板之间的间隙连接非遮挡区，相邻条形板之间的间隙数量与印刷栅线电极的根数一致。本发明提供的图形化掩膜板，位于非遮挡区范围内的硅片可以实现多接受一次全掺杂，提高全掺杂的覆盖率，进而提高了转化效率；使得磷离子在二次注入到硅片表面的同时硅片表面完成选择性掺杂，最终实现一次性高激活率选择性掺杂过程，进而提升了电池效率。

公开(公告)号：CN116031334A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310316017.7

申请日：2023-03-29

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 李倩 ,  吝占胜 ,  李青娟 ,  王静 ,  张东升 ,  何广川 ,  李志彬 ,  刘新玉 ,  魏双双 ,  冉祖辉 ,  李龙 ,  张煌军 ,  于波 ,  张树骞

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法。本发明利用PECVD工序对抛光片实施氮化硅层沉积工艺，得镀膜片；在镀膜片上依次沉积隧穿氧化层和不同厚度的多晶硅层，得一系列具有不同多晶硅层厚度的标准片；在产线的监控位置放置镀膜片作为监控片，并与产线中的硅片共同接受隧穿氧化层和多晶硅层的沉积工艺，分别得沉积监控片和沉积硅片；将沉积监控片的颜色与标准片的颜色进行比对，判断沉积硅片的多晶硅层的厚度是否满足工艺要求。该判断方法缩短了现有技术利用椭偏仪测试多晶硅层厚度的测试周期，避免了大量不合格半成品的产生，无需抽取产线中的硅片，所用监控片可重复利用。

公开(公告)号：CN116013802A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310293313.X

申请日：2023-03-24

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 李倩 ,  王静 ,  张东升 ,  吝占胜 ,  李青娟 ,  何广川 ,  李志彬 ,  刘新玉 ,  魏双双 ,  冉祖辉 ,  李龙 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  于波 ,  张树骞

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L31/18 ,  H01L31/06

摘要： 本发明提供一种电池氧化铝钝化性能的确定方法、电子设备及存储介质。该方法包括：将氧化铝设备维护周期划分为M个时段，并在每个时段下，分别对对应组的硅片依次进行双面氧化铝镀膜处理和双面氮化硅镀膜处理，得到各个时段对应的测试硅片组；在每个时段下，对对应的测试硅片组中第一预设数量的硅片进行氧化铝钝化性能测试，得到对应时段下测试硅片组的第一测试结果；基于每个时段下的第一测试结果，确定每个时段下测试硅片组中硅片上氧化铝的钝化性能，以便于在测试硅片组中硅片上氧化铝的钝化性能不稳定的时段对产线工艺进行调整或对氧化铝设备进行维护。本发明能够实时监控氧化铝设备维护周期内各个时段下硅片上氧化铝钝化性能的稳定性。

公开(公告)号：CN116031333B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310301132.7

申请日：2023-03-27

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 王静 ,  吝占胜 ,  李倩 ,  张东升 ,  李青娟 ,  李志彬 ,  魏双双 ,  张红妹 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  王志国 ,  刘新玉 ,  刘莉丽 ,  张雷 ,  何广川 ,  张树骞 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法。本发明通过特定的工艺流程监测电池生产中“隧穿氧化层钝化接触”这一工艺的稳定性，具体流程包括选用电阻率为1.2‑1.8Ω•cm的单晶原硅片、对原硅片进行抛光处理、制备隧穿氧化层钝化接触结构、进行磷掺杂、镀氮化硅减反射膜、高温烧结和Sinton测试。通过Sinton测试，根据所得硅片的理想开路电压和反向电流饱和密度即可准确监测“隧穿氧化层钝化接触”工艺的稳定性，间接缩短了电池的测试周期，避免了大批量不合格电池或低效电池的产生。

公开(公告)号：CN116169186A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310117376.X

申请日：2023-02-15

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 刘莹 ,  于波 ,  史金超 ,  吴萌萌 ,  李英叶 ,  尚琪 ,  田思 ,  张莉沫 ,  张任远 ,  张丽娜 ,  崔晓叶 ,  周艳双 ,  刘亚静 ,  杨雯 ,  于添 ,  王钰蕾 ,  冉旭东

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种TOPCon光伏电池的制造方法，包括以下步骤：A、对硅衬底进行制绒；B、对硅衬底正面进行硼扩散；C、去除BSG层；D、在硅衬底背面由内至外依次制备氧化硅层、掺杂微晶硅层和掺杂非晶硅层；E、去除正面非晶硅绕镀；F、在硅衬底的正面制备氧化铝层和氮化硅层，在硅衬底的背面制备氧化铝层和氮化硅层G、涂刷银浆，然后烧结形成电极。本发明可以解决现有技术的不足，提高了TOPCon光伏电池的转化效率。

公开(公告)号：CN116190492A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310187341.3

申请日：2023-03-02

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 张东升 ,  于波 ,  吝占胜 ,  李倩 ,  王静 ,  何广川 ,  张树骞 ,  张红妹 ,  李志彬 ,  李青娟 ,  刘新玉

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/22

摘要： 本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种量产N型TOPCon电池背面掺杂性能的监测方法，包括步骤S1:选取抛光后硅片作监控片，并对其沉积氮化硅膜；S2：将S1处理后的多个监控片与N型TOPCon产线poly前的硅片进行同批次同工艺的poly及磷掺杂；S3：对S2处理后的监控片进行方阻测试，为方阻一；S4：对S2处理后的硅片进行电池效率测试；S5：将S1处理后的多个监控片投入产线，与产线正常流转硅片进行相同工艺的poly及磷掺杂；S6：对S5后的监控片进行方阻测试，为方阻二；S7：对比方阻二与方阻一，以判断poly及磷掺杂工艺的稳定性。本发明使用使用的监控片，在poly+磷掺杂工艺后形成氮化硅绝缘膜阻挡层，解决了N型片测量方阻时电流进入硅片基体造成的方阻不准确的问题。

公开(公告)号：CN116151007A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310165168.7

申请日：2023-02-24

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 王静 ,  李倩 ,  张树骞 ,  张东升 ,  吝占胜 ,  张红妹 ,  李青娟 ,  魏双双 ,  刘新玉 ,  于波 ,  何广川

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06Q50/04 ,  C30B31/00 ,  G06F111/08 ,  G06F119/02 ,  G06F119/14 ,  G06F111/04 ,  G06F119/08

摘要： 本发明提供一种多晶硅掺杂产线稳定性的确定方法及终端设备。该方法包括：获取目标产线上拾取的第一预设数量的硅片的ECV曲线；根据第一预设数量的硅片的ECV曲线，确定第一预设数量的硅片的质量是否存在异常；若存在异常，则确定目标产线不稳定。本发明根据硅片的ECV曲线对硅片进行分析，确定产线是否存在异常，结果准确，方法简单有效。

公开(公告)号：CN116130559A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310146111.2

申请日：2023-02-22

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 李青娟 ,  吝占胜 ,  刘新玉 ,  张东升 ,  王静 ,  李倩 ,  王志国 ,  李志彬 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  魏双双 ,  张红妹 ,  张雷 ,  刘莉丽 ,  于波 ,  何广川 ,  张树骞

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/06

摘要： 本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种N型晶硅电池制绒清洗药液监测方法，具体包括步骤：S1选择监测片；S2双面制绒，35min；S3双面磷扩散，60min；S4HF酸清洗，15min；S5双面氮化硅镀膜，15min；S6烧结，5min；S7Sinton测试，5min；同时辅助S8：PL测试，共计135分钟。Sinton测试结果中显示少子寿命、J0、ivoc数据正常，则该药液满足电池结构硅片的生产加工。本发明提供的N型晶硅电池制绒清洗药液监测方法，不仅能够进行反射率和金字塔的监测，还能够监测药液是否受到污染。利用本发明方法，对比Sinton测试结果中少子寿命、J0、IVOC数据能够与常规方法的电池效率能够有明显的对应关系，能够充分反映工艺的稳定性，能够有效控制或着避免工艺的波动对电池效率的影响。

公开(公告)号：CN116313904A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310130111.3

申请日：2023-02-17

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 王志国 ,  刘彩凤 ,  程立威 ,  魏双双 ,  张雷 ,  李青娟 ,  张东升 ,  王静 ,  李倩 ,  李志彬 ,  张红妹 ,  刘新玉 ,  刘丽莉 ,  吝占胜 ,  刘伟 ,  陈晨 ,  于波 ,  何广川 ,  张树骞

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种TOPCon电池制绒稳定性的监测方法。硅片表面制绒，得金字塔形貌的制绒表面；测定所述金字塔形貌的底边边长a值和制绒表面积增加比率值R值；根据所述a值和R值，判断制绒工序的稳定性，当4.0μm≤a≤7.0μm、时，制绒工序稳定；否则，调整制绒药液或/和工艺条件；其中，R值的计算公式为硅片的制绒表面积/硅片面积。本发明通过大量实验发现影响制绒工序质量的关键参数，针对该关键参数进行监测，准确率高、操作简便，成本低，不影响TOPCon电池的正常生产。

公开(公告)号：CN116207184A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310279776.0

申请日：2023-03-21

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 程立威 ,  于全庆 ,  张波宁 ,  刘莉丽 ,  张东升 ,  王静 ,  于波 ,  张树骞 ,  何广川 ,  李志彬 ,  沈鹏瑶 ,  李龙 ,  张星 ,  张帅

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

摘要： 本发明公开一种N型TOPCon电池镀膜不良片的处理方法。将待处理镀膜不良片放入反应槽中，向密闭的反应槽中通入四氟化碳和氧气经高频电源电离后的电解气，反应，得预处理不良片；将所述预处理不良片后续经氢氟酸溶液，以及氢氟酸和盐酸的混合酸溶液进行酸洗，水洗，干燥，得回收硅片。本发明提供的N型TOPCon电池镀膜不良片的处理方法，适用性强，不仅适用于TOPCon正背面镀膜或正面镀膜不良造成的不合格片的回收处理，还适用于镀膜前的返工片或脏污裸硅片的处理，在保证回收硅片优良性能的前提下，极大地缩短了工艺处理时间，回收效率高，适合工业化生产应用，回收得到的硅片表面整洁光亮，外观和性能正常，具有广阔的应用前景。