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公开(公告)号：CN103762279B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410046279.7
申请日：2014-02-10
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括：S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽，以形成磷扩散槽区；以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散，以使磷扩散槽区内形成重掺杂，从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层，仅利用沉积形成的减反射膜，就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散，仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓度不同的选择性背场，避免了在高温下制作氧化层的步骤，减少了损伤，降低了能耗和成本，提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103762279A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410046279.7
申请日：2014-02-10
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括：S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽，以形成磷扩散槽区；以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散，以使磷扩散槽区内形成重掺杂，从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层，仅利用沉积形成的减反射膜，就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散，仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓度不同的选择性背场，避免了在高温下制作氧化层的步骤，减少了损伤，降低了能耗和成本，提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103227244A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310165039.4
申请日：2013-05-07
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种N型太阳能电池及其选择性背场制备方法。该N型太阳能电池的选择性背场制备方法包括以下步骤：在N型衬底的预定位置印刷磷浆料；将印刷有磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散，并通入三氯氧磷气体，形成选择性背场。N型衬底上印有磷浆料的位置形成高掺杂区，没有印刷磷浆料的位置通过三氯氧磷气体的扩散形成低掺杂区，这样就在N型衬底上形成掺杂浓度不同的选择性背场，通过此方法仅通过一次高温过程即可实现选择性背场的制备，避免了多次高温对N型衬底的损伤。
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公开(公告)号：CN103227244B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310165039.4
申请日：2013-05-07
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种N型太阳能电池及其选择性背场制备方法。该N型太阳能电池的选择性背场制备方法包括以下步骤：在N型衬底的预定位置印刷磷浆料；将印刷有磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散，并通入三氯氧磷气体，形成选择性背场。N型衬底上印有磷浆料的位置形成高掺杂区，没有印刷磷浆料的位置通过三氯氧磷气体的扩散形成低掺杂区，这样就在N型衬底上形成掺杂浓度不同的选择性背场，通过此方法仅通过一次高温过程即可实现选择性背场的制备，避免了多次高温对N型衬底的损伤。
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公开(公告)号：CN103258918A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310214869.1
申请日：2013-05-31
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种硅片的制绒方法、太阳能电池片及其制作方法。该制绒方法包括：步骤S1，对硅片的正面和背面进行制绒；步骤S2，对步骤S1制绒后的硅片的背面进行抛光。在硅片的正面和背面形成金字塔形状的绒面结构，在利用正面绒面结构增加硅片对光的吸收率的基础上，通过对背面的绒面结构进行抛光后使背面的绒面面积减小，进而减小了背面的表面缺陷态密度，表面缺陷态密度的减少使得背面光生载流子在背面的复合率减少，使经过硅片的光更多地反射回硅片内部增加激发电子-空穴对的几率，在此基础上可以提高以该硅片制作的太阳能电池的开路电压和短路电流，进而提高电池的光电转换效率，降低电池单瓦成本。
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公开(公告)号：CN203150565U
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201320073729.2
申请日：2013-02-17
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本实用新型公开了一种太阳能电池片，包括多根主栅和多根副栅，位于相邻的第一主栅和第二主栅之间的副栅包括第一副栅和第二副栅，第一副栅的第一端与第一主栅电性相连，第二副栅的第一端与第二主栅电性相连，第一副栅和第二副栅绝缘，其中，相邻的第一副栅的第二端通过连接线电性相连，相邻的第二副栅的第二端通过连接线电性相连。本实用新型提供的太阳能电池片，通过副栅第二端之间的连接线，增强了对相邻的副栅之间的区域的电荷收集能力，同时，与现有技术相比，本实用新型中副栅的长度也有所增加，进一步增强了主栅对距离其较远的中间区域的电荷收集能力，从而可以提高太阳能电池的转换效率。
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