-
公开(公告)号：CN103762279A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410046279.7
申请日：2014-02-10
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括：S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽，以形成磷扩散槽区；以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散，以使磷扩散槽区内形成重掺杂，从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层，仅利用沉积形成的减反射膜，就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散，仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓度不同的选择性背场，避免了在高温下制作氧化层的步骤，减少了损伤，降低了能耗和成本，提高了电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN103762279B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410046279.7
申请日：2014-02-10
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括：S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽，以形成磷扩散槽区；以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散，以使磷扩散槽区内形成重掺杂，从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层，仅利用沉积形成的减反射膜，就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散，仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓度不同的选择性背场，避免了在高温下制作氧化层的步骤，减少了损伤，降低了能耗和成本，提高了电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN103346172B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310228162.6
申请日：2013-06-08
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法。其中异质结太阳能电池包括TCO，以及形成在TCO上的栅极，栅极部分延伸进入TCO中。异质结太阳能电池的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上方形成TCO；以及在TCO上形成栅极，在TCO上形成栅极的步骤中，栅极部分延伸进入TCO中。本发明中异质结太阳能电池及其制备方法，通过将栅极部分延伸进入TCO的内部，增加栅极和TCO的接触面积，减小了接触电阻；同时，通过栅极与TCO之间的侧向接触在一定程度上改善了载流子输运，进而提高了太阳能电池的填充因子，提升电池的能量转化效率。
-
公开(公告)号：CN103346211B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310261120.2
申请日：2013-06-26
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022441 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制作方法，此种背接触太阳能电池的制作方法提供了包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区的第一模具载片舟和包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区的第二模具载片舟，且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应，所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应；然后通过上述模具载片舟在单晶硅衬底形成有钝化层的表面形成掺杂类型相反，呈交叉排列的第一掺杂非晶硅指区和第二掺杂非晶硅指区。此种制作方法以非常简单低成本的方式实现了背接触太阳能电池背场的叉指状结构，而且无需进行额外的形成钝化层的制作工艺，简化了背接触太阳能电池的制作方法。
-
公开(公告)号：CN103367539B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310260260.8
申请日：2013-06-26
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明所提供的IBC太阳能电池的制作方法，采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区，采用丝网印刷工艺形成第二导电指区，无需丝网印刷阻挡层、刻蚀、再次丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤，简化了IBC太阳能电池的制作方法，提高了生产效率，且降低了生产成本。另外本发明所提供的IBC太阳能电池的第二导电指区与硅片基体结合形成电池的发射极，不需要掺杂硼，因此第二导电指区处的硼氧复合作用较弱，光致衰减作用更小，从而电池的转换效率更高。
-
公开(公告)号：CN102569519B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210018071.5
申请日：2012-01-19
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，包括步骤在硅片的第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜；在硅片第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿第一表面至第二表面的过料孔；在硅片上与指定位置相对的第一指定区域由第二激光去除第一预设深度的硅层；对去硅层后的硅片进行印刷、烧结工序，形成MWT太阳能电池片。通过在硅片的第一表面和第二表面形成SiNX膜，有激光生成打料孔和去除背场上硅层的工作，实现了对背场的去除，同时生成打料孔和去除背场的工艺过程均通过激光来实现，简化了带有背场的MWT电池的去除背场工艺。
-
公开(公告)号：CN102268724B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110213096.6
申请日：2011-07-28
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： C30B11/00 , C30B28/06 , C30B29/06 , H01L31/028
摘要： 本发明实施例公开了一种多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池，该方法包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部放置或喷涂高纯材料，形成隔离保护层；在隔离保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；将固态的硅原料装载到籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化所述硅原料和部分所述籽晶层，以形成液体层，至少保持与隔离保护层接触的部分籽晶层为固态；控制多晶硅锭生长炉内的热场，对所述液体层进行结晶，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动，直至多晶硅锭生长完成。本发明铸造出的多晶硅锭包括大部分单晶硅区域，且隔离保护层的存在降低了多晶硅锭中的杂质含量，采用该多晶硅锭生产出的太阳能电池的光电转换效率提高了。
-
公开(公告)号：CN102969384A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210560592.3
申请日：2012-12-20
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/048 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池组件及其封装方法。该太阳能电池组件包括玻璃板、上胶膜、电池片阵列、下胶膜、背板和边框，其中，在电池片阵列中的电池片之间形成间隙部，间隙部设置有反光元件，反光元件将入射到间隙部的至少部分光线反射至玻璃板与空气的界面处形成全反射。本发明通过在电池片之间的间隙部设置反光元件，将至少部分入射到间隙部的光线经过一轮或多轮二次反射过程，引导照射到电池片表面，被电池片吸收，进而转换为电能，从而使得太阳能电池组件的光学损耗降低，输出功率增大，整体光电转换效率提高。
-
公开(公告)号：CN101950956B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010531187.X
申请日：2010-11-03
申请人： 英利能源(中国)有限公司
摘要： 本发明公开了一种光伏发电系统防雷电控制装置，设置于所述光伏发电系统内，包括：设置于光伏电池组件支架、控制器和逆变器的非导电屋顶上的避雷器；连接系统内金属器件与接地干线的专用接地线；设置于太阳能电池方阵接线箱、控制器和逆变器内的防雷器；设置于交流输出端的浪涌保护器。本发明实施例公开的光伏发电系统防雷电控制装置通过设置在光伏发电系统内的避雷器、防雷器等设备，实现避免光伏发电系统在雷电作用下受到损坏，影响正常工作，从而提高光伏发电系统工作稳定性的目的。
-
公开(公告)号：CN102709401A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210222534.X
申请日：2012-06-29
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池制作方法，所述方法包括：提供一待处理的硅片；去除所述硅片表面的损伤层；对所述硅片进行表面制绒；对所述硅片进行清洗，以去除所述硅片表面残留的金属杂质；对干燥后的所述硅片进行硼扩散。本发明所述技术方案通过去除损伤层工序时能够去除硅片表面的部分金属杂质，在对所述硅片制绒之后、硼扩散之前对硅片进行清洗，采用不破坏硅片表面绒面、不影响硅片硼扩散效果且能将硅片表面金属杂质转化为溶于水的化合物的试剂对硅片进行清洗，去除硅片表面残留的金属杂质，保证了硼扩散时扩散制结的质量，进而提高了N型太阳能电池的光电转换效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
102 条记录 (耗时 0.07 秒)
