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公开(公告)号:CN108475646B
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN201680073092.3
申请日:2016-12-05
申请人: 英帆萨斯公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L21/18 , H10B10/00 , H01L21/822
摘要: 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒,以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除,并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中,被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换,以避免生产有缺陷的堆栈式装置,或者,所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒,从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。
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公开(公告)号:CN108475646A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680073092.3
申请日:2016-12-05
申请人: 英帆萨斯公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L21/18 , H01L27/108 , H01L21/822
CPC分类号: H01L24/94 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/31051 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/32145 , H01L2224/83005 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/1205 , H01L2924/1207 , H01L2924/1304 , H01L2924/1436
摘要: 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒,以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除,并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中,被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换,以避免生产有缺陷的堆栈式装置,或者,所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒,从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。
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