-
公开(公告)号：CN108475646A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680073092.3
申请日：2016-12-05
申请人： 英帆萨斯公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/18 , H01L27/108 , H01L21/822
CPC分类号： H01L24/94 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/31051 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/32145 , H01L2224/83005 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/1205 , H01L2924/1207 , H01L2924/1304 , H01L2924/1436
摘要： 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式装置，或者，所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。
-
公开(公告)号：CN107749401A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711277647.9
申请日：2012-10-16
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/31 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/3731 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/0612 , H01L2224/06505 , H01L2224/14104 , H01L2224/145 , H01L2224/1451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4912 , H01L2224/495 , H01L2224/73265 , H01L2224/78313 , H01L2224/85181 , H01L2924/01013 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/12042 , H01L2924/1304 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够更高效地散发来自半导体芯片的热量。该半导体装置包括：具有芯片焊垫主面(111)和芯片焊垫背面(112)的芯片焊垫部(11)；搭载于芯片焊垫主面(111)的半导体芯片(41)；形成有使芯片焊垫背面(112)露出的凹部(75)且覆盖芯片焊垫部(11)和半导体芯片(41)的密封树脂部(7)；以及配置于凹部(75)的散热层(6)，凹部(75)具有凹部槽(753)，该凹部槽(753)具有在芯片焊垫背面(112)扩展的方向上位于比芯片焊垫部(11)更靠外侧，且位于比芯片焊垫背面(112)更靠芯片焊垫主面(111)侧的部分，散热层(6)具有一部充填于凹部槽(753)且与芯片焊垫背面(112)接触接合层(66)。
-
公开(公告)号：CN104094387B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201380008409.1
申请日：2013-01-25
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/32 , B23K1/0008 , B23K1/19 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K2103/08 , B23K2103/56 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/83 , H01L2224/26125 , H01L2224/26155 , H01L2224/27013 , H01L2224/2732 , H01L2224/29016 , H01L2224/29105 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/30515 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/8392 , H01L2224/83948 , H01L2224/83951 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种连接装置(100、200、300、400)，包括至少一个电气元件和/或电子元件(1)。所述至少一个电气元件和/或电子元件(10)具有至少一个连接面(11)，所述连接面借助于连接层(20)以材料连接的方式与接合配对件(40)连接。所述连接层(20)例如可以是在形成材料连接的条件下将接合配对件连接的粘接、钎焊、熔焊、烧结连接部或者其它已知的连接部。此外，以材料连接的方式与所述连接层(20)邻接地设有加强层(30’)。所述加强层(30’)具有比所述连接层(20)更高的弹性模量。因此，如果所述加强层(30’)通过外边界和内边界(36、35)被设计成框架状并且至少以它的外边界(36)包围所述至少一个电气元件和/或电子元件(10)的连接面(11)，则得到特别大的保护作用。
-
公开(公告)号：CN103730444B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410024227.X
申请日：2014-01-20
申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/165 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49548 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/16265 , H01L2224/81801 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1304 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
摘要： 公开了封装组件以及制造封装组件的方法。所述封装组件包括：引线框，所述引线框包括至少两组引脚；以及堆叠成至少两个层面的多个电子元件，其中，每一组引脚与相应一个层面的电子元件形成电连接，以及，所述封装组件还包括用于将一组引脚中的任意一个或多个引脚连接到另一组引脚中的任意一个或多个引脚的连接部分。本发明的封装组件可以提高封装密度，减少封装组件内键合线的使用，提高封装组件的可靠性和抗干扰能力。
-
公开(公告)号：CN103367268B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310240227.9
申请日：2013-03-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/495 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/49844 , H01L21/76898 , H01L23/047 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/345 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8385 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/1531 , H01L2924/16251 , H01L2924/16787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , Y02P80/30 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架，所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。
-
公开(公告)号：CN104272455A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023792.8
申请日：2013-05-07
申请人： 贺利氏材料工艺有限责任两合公司
CPC分类号： H01L24/45 , B21F9/005 , B23K1/0016 , B32B15/01 , C22C9/00 , C22C21/00 , C22F1/04 , C22F1/08 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45617 , H01L2224/45624 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4823 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/85205 , H01L2224/85424 , H01L2224/859 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/2076 , Y10T428/1275 , H01L2924/00014 , H01L2924/01201 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01205 , H01L2924/00 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2224/45139 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006
摘要： 本发明涉及导线，优选地用于微电子学中的结合的结合导线，包括具有表面的铜芯（2）和涂层（3），该涂层（3）被叠加在铜芯（2）的表面上，其中，涂层（3）包括铝，其中，涂层（3）的厚度与铜芯（2）的直径的比在从0.05至0.2μm范围内，其中，铜芯（2）的直径的标准偏差与铜芯（2）的直径的比在从0.005至0.05μm范围内，并且其中，涂层（3）的厚度的标准偏差与涂层（3）的厚度的比在从0.05至0.4μm范围内，其中导线具有在从100μm至600μm范围内的直径。本发明还涉及一种用于制作导线的工艺、由所述工艺可获得的导线、包括至少两个元件和至少上述导线的电设备、包括所述电设备的推进设备和由楔结合来通过上述导线连接两个元件的工艺。
-
公开(公告)号：CN103447713A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310125016.0
申请日：2013-04-11
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： B23K35/26 , B23K35/363 , H05K3/34
CPC分类号： H01L21/64 , B23K35/0244 , B23K35/025 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0382 , H01L2224/03825 , H01L2224/03828 , H01L2224/03829 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/27003 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/2744 , H01L2224/2747 , H01L2224/29211 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29395 , H01L2224/29411 , H01L2224/32105 , H01L2224/32227 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/83411 , H01L2224/83424 , H01L2224/83438 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83466 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H05K3/3484 , H05K2201/0272 , H05K2201/10636 , H05K2203/047 , Y02P70/611 , Y10T428/12014 , Y10T428/12222 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/83439 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种导电键合材料、其制造方法以及电子装置的制造方法，该导电键合材料包括焊料成分，该焊料成分包括：具有至少一个孔隙的第一金属的金属发泡体，当金属发泡体在高于第一金属的熔点的温度下被加热时，孔隙吸收熔化的第一金属；以及第二金属，其熔点低于第一金属的熔点。
-
公开(公告)号：CN103367268A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310240227.9
申请日：2013-03-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/495 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/49844 , H01L21/76898 , H01L23/047 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/345 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8385 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/1531 , H01L2924/16251 , H01L2924/16787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , Y02P80/30 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架，所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。
-
公开(公告)号：CN102569100A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110037329.1
申请日：2011-01-27
申请人： 成功大学
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/58 , H01L23/367 , H01L33/64
CPC分类号： H01L23/36 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L33/48 , H01L33/641 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/13016 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/16245 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2933/0075 , H01S5/024 , H01L2224/81
摘要： 一种半导体组件的散热座的制作方法，包括以下步骤：形成一导电层覆盖在一暂时基板的表面上；利用至少一金属凸块将至少一半导体芯片接合于导电层，其中前述的至少一金属凸块介于至少一半导体芯片与导电层之间；形成一金属基板于导电层上，其中金属基板填满前述的至少一半导体芯片与导电层之间的间隙；移除前述的暂时基板。
-
公开(公告)号：CN1041067A
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：CN89106991.7
申请日：1989-09-08
申请人： 莫托罗拉公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49562 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/2919 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/83065 , H01L2224/8319 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/1203 , H01L2924/12036 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/19043 , Y10T29/49121 , H01L2924/00 , H01L2924/20108 , H01L2924/01001 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 通过在用作管芯接触的一平面金属引线上提供接触凹陷区，来改善在邻近管芯接触区域有凸起的介质区域的功率器件的接触。凹陷区安排在管芯接触区之上，并与其焊接。调节凹陷区的弯曲半径和凹陷深度，使得接触引线与包围在管芯接触区边缘的凸起介质边缘的距离远得足以使那个位置上提供一个横向凹陷的空气—焊料界面。这可防止焊料蔓延到介质表面，避免管芯边缘短路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
75 条记录 (耗时 0.022 秒)
