公开(公告)号：CN108369948B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201580085507.4

申请日：2015-12-23

申请人： 英特尔公司

发明人： V.H.勒 ,  G.德韦伊 ,  R.里奥斯 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  M.拉多萨夫耶维奇 ,  K.E.米拉尔德 ,  M.C.弗兰奇 ,  A.阿格拉瓦尔 ,  B.朱-龚 ,  R.E.阿克

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明的实施例包括非平面InGaZnO（IGZO）晶体管和形成此类器件的方法。在实施例中，IGZO晶体管可以包括衬底以及形成在衬底之上的源极和漏极区。根据实施例，IGZO层可以形成在衬底以上并且可以电耦合到源极区和漏极区。另外的实施例包括通过栅极电介质而与IGZO层分离的栅极电极。在实施例中，栅极电介质接触IGZO层的多于一个表面。在一个实施例中，IGZO晶体管是finfet晶体管。在另一个实施例中，IGZO晶体管是纳米线或纳米带晶体管。本发明的实施例也可以包括在集成电路芯片的后道工艺堆叠（BEOL）中形成的非平面IGZO晶体管。

公开(公告)号：CN108369925B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201580085510.6

申请日：2015-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： W.拉赫马迪 ,  M.V.梅茨 ,  G.德韦伊 ,  C.S.莫哈帕特拉 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  A.S.墨菲 ,  T.加尼

IPC分类号： H01L21/8238

摘要： 本发明的实施例包括一种半导体结构和一种制造此类结构的方法。在一个实施例中，该半导体结构包括形成在衬底之上的第一鳍和第二鳍。该第一鳍可以包括第一半导体材料并且第二鳍可以包括第二半导体材料。在一个实施例中，与第一鳍邻近地形成第一保持架结构，并且与第二鳍邻近地形成第二保持架结构。另外，实施例可以包括：形成在第一鳍之上的第一栅极电极，在这里该第一保持架结构直接接触第一栅极电极；以及形成在第二鳍之上的第二栅极电极，在这里该第二保持架结构直接接触第二栅极电极。

公开(公告)号：CN108369958A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085543.0

申请日：2015-12-24

申请人： 英特尔公司

发明人： C.S.莫哈帕特拉 ,  G.A.格拉斯 ,  A.S.墨菲 ,  K.贾姆布纳坦 ,  W.拉赫马迪 ,  G.德韦伊 ,  T.加尼 ,  J.T.卡瓦利罗斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

摘要： 公开了用于形成包括拉伸应变的锗（Ge）沟道材料的晶体管结构的技术。晶体管结构可以被用于n型和p型晶体管器件中的任一者或两者，因为拉伸应变的Ge具有适用于这两种类型的极高载流子迁移率特性。因此，可以通过使用本文所描述的技术形成CMOS器件中包括的n-MOS和p-MOS器件来实现简化的CMOS集成方案。在一些情况下，可以通过在具有高于Ge的晶格常数的III-V族材料上外延生长Ge材料和/或通过向在其上形成晶体管的裸片施加宏观3点弯曲来实现拉伸应变的Ge。可以使用这些技术来形成具有平面或非平面配置的晶体管，诸如鳍式配置（例如，finFET或三栅极）或栅极全包围（GAA）配置（包括至少一个纳米线）。

公开(公告)号：CN108369925A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085510.6

申请日：2015-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： W.拉赫马迪 ,  M.V.梅茨 ,  G.德韦伊 ,  C.S.莫哈帕特拉 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  A.S.墨菲 ,  T.加尼

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0886

摘要： 本发明的实施例包括一种半导体结构和一种制造此类结构的方法。在一个实施例中，该半导体结构包括形成在衬底之上的第一鳍和第二鳍。该第一鳍可以包括第一半导体材料并且第二鳍可以包括第二半导体材料。在一个实施例中，与第一鳍邻近地形成第一保持架结构，并且与第二鳍邻近地形成第二保持架结构。另外，实施例可以包括：形成在第一鳍之上的第一栅极电极，在这里该第一保持架结构直接接触第一栅极电极；以及形成在第二鳍之上的第二栅极电极，在这里该第二保持架结构直接接触第二栅极电极。

公开(公告)号：CN108369948A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085507.4

申请日：2015-12-23

申请人： 英特尔公司

发明人： V.H.勒 ,  G.德韦伊 ,  R.里奥斯 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  M.拉多萨夫耶维奇 ,  K.E.米拉尔德 ,  M.C.弗兰奇 ,  A.阿格拉瓦尔 ,  B.朱-龚 ,  R.E.阿克

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/247 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的实施例包括非平面InGaZnO（IGZO）晶体管和形成此类器件的方法。在实施例中，IGZO晶体管可以包括衬底以及形成在衬底之上的源极和漏极区。根据实施例，IGZO层可以形成在衬底以上并且可以电耦合到源极区和漏极区。另外的实施例包括通过栅极电介质而与IGZO层分离的栅极电极。在实施例中，栅极电介质接触IGZO层的多于一个表面。在一个实施例中，IGZO晶体管是finfet晶体管。在另一个实施例中，IGZO晶体管是纳米线或纳米带晶体管。本发明的实施例也可以包括在集成电路芯片的后道工艺堆叠（BEOL）中形成的非平面IGZO晶体管。