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公开(公告)号:CN110034357A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201811622908.0
申请日:2018-12-28
申请人: 英特尔公司
摘要: 实施例包括波导发射器和连接器(WLC)以及形成WLC的方法。WLC具有带有波导发射器、锥形体和槽线信号转换器的波导连接器;以及在槽线信号转换器上的平衡-不平衡变换器结构,其中锥形体是在波导连接器的槽线信号转换器和终端上以形成通道和锥形槽。WLC可具有设置在封装上的波导连接器和耦合到波导连接器的波导。WLC可包括电耦合到封装的波导连接器的装配焊盘和外壁。WLC可使平衡-不平衡变换器结构将信号转换成槽线信号,并且波导发射器将槽线信号转换成闭合波导模式信号,以及沿通道发射闭合信号并沿锥形体槽将闭合信号传播到耦合到波导连接器的波导。
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公开(公告)号:CN109155621A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201780034073.4
申请日:2017-05-02
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H03H9/10
CPC分类号: G01N29/022 , B81B3/0021 , B81B2201/0214 , G01N29/036 , G01N29/2437 , G01N33/0047 , G01N33/227 , G01N33/54373 , G01N2291/0255 , G01N2291/0256 , G01N2291/0423
摘要: 本发明的实施例包括一种化学物种敏感的装置,所述化学物种敏感的装置包括用来接收输入信号的输入换能器、耦合至输入换能器并且被安置在有机衬底的腔附近的基础结构、附着于基础结构的化学敏感的功能化材料以及用来生成输出信号的输出换能器。针对化学感测功能性,期望的化学物种附着于引起基础结构的质量的变化的化学敏感的功能化材料并且这个质量的变化引起化学物种敏感的装置的机械谐振频率的变化。
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公开(公告)号:CN110168720A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201680091266.9
申请日:2016-12-30
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L23/66 , H01L23/522
摘要: 设置在中介层中或直接设置在半导体封装衬底中的波导可以被用来在耦合到半导体封装的半导体管芯之间传输信号。例如,使用被发射到波导中的mm波载波信号的半导体管芯间通信被具体调谐以优化这样的信号的传输参数。这样的高频率的使用有益地提供了经调制的高数据速率信号的可靠传输,其具有比导电迹线更低的损耗以及更少串扰。mm波波导的使用为凸点限制的管芯提供了每凸点的更高数据传输速率,以及即使在这种更高的数据传输速率下也有益地提供改进的信号完整性。这样的mm波波导可以直接构建到半导体封装层中,或者可以结合到一个或多个介入层中,该一个或多个介入层物理地且可通信地耦合在半导体管芯与半导体封装衬底之间。
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公开(公告)号:CN108370083A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201580083345.0
申请日:2015-09-25
申请人: 英特尔公司
发明人: A.A.埃尔舍尔比尼 , T.坎加英 , S.N.奥斯特 , B.M.罗林斯 , G.C.多贾米斯
CPC分类号: H01Q1/2283 , H01L2223/6677 , H01Q9/0457 , H01Q13/02
摘要: 针对平台级无线互连描述了天线。在一个示例中,基本上平的封装基板具有所附接的无线电设备。封装基板上的导电传输线电连接到无线电设备,并且天线附接到连接到导电传输线的封装基板,所述天线向封装的侧面进行辐射。
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公开(公告)号:CN108292650A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201580084743.4
申请日:2015-12-22
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L23/66 , H01L23/28 , H01L25/065
CPC分类号: H01L23/66 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/20 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2223/6672 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19011 , H01L2924/19105
摘要: 本发明的实施例包括一种微电子器件,其包括:利用基于硅的衬底形成的第一管芯和耦合到第一管芯的第二管芯。该第二管芯是在不同衬底(例如化合物半导体衬底、III-V族衬底)中利用化合物半导体材料形成的。天线单元耦合到第二管芯。该天线单元以近似4GHz或更高的频率来发送和接收通信。
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