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公开(公告)号：CN116266591A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211460457.1
申请日：2022-11-17
申请人： 英特尔公司
发明人： N·K·托马斯 , E·马特森 , S·李 , S·阿塔纳索夫 , C·J·杰泽斯基 , C·穆赫塔尔扎德 , T·迈克洛斯 , I-C·邓 , C·C·郭 , S·B·克伦德宁 , M·V·梅茨
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238
摘要： 一种集成电路包括下器件部分和上器件部分，所述下器件部分和所述上器件部分包括在分隔开的垂直堆叠体中的第一源极区和漏极区之间水平延伸的半导体材料的主体。第一栅极结构在所述下器件部分中的主体周围并且包括第一栅电极和第一栅极电介质。第二栅极结构在所述上器件部分中的主体周围并且包括第二栅电极和第二栅极电介质，其中，所述第一栅极电介质与所述第二栅极电介质组分不同。在一些实施例中，偶极子物质在所述第一栅极电介质中具有第一浓度，在所述第二栅极电介质中具有不同的第二浓度。还公开了一种制造方法。
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公开(公告)号：CN114664826A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111410140.2
申请日：2021-11-16
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L27/105 , H01L49/02
摘要： 具有与铁电绝缘体接触的碳基电极层的电容器。绝缘体可以是钙钛矿氧化物。碳基电极的低反应性可以提高铁电电容器的稳定性。碳基电极层可以主要是碳并且具有低电阻率。碳基电极层可以是电极的唯一层，或者它可以是绝缘体和另一电极层之间的阻挡层。电容器的两个电极可以包括碳基电极层，或者碳基电极层可以仅包括在一个电极中。
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公开(公告)号：CN115863320A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211019871.9
申请日：2022-08-24
申请人： 英特尔公司
摘要： 本文描述的实施例可以涉及与具有多个金属和电介质层的堆叠式MIM电容器相关的装置、工艺和技术，所述堆叠式MIM电容器包括在多个层中的一层或多层的边缘上的绝缘间隔体，以防止制造期间金属层之间的非预期的电耦接。电介质层可以包括基于钙钛矿的材料。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN113451261A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202011477095.8
申请日：2020-12-15
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L49/02
摘要： 电容器器件包括：具有第一金属合金或金属氧化物的第一电极；与第一电极相邻的弛豫铁电层，其中铁电层包括铅、钡、锰、锆、钛、铁、铋、锶、钕、钾或铌中的两种或更多种、以及氧；以及与弛豫铁电层耦合的第二电极，其中第二电极包括第二金属合金或第二金属氧化物。
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公开(公告)号：CN115863430A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211019872.3
申请日：2022-08-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/285 , H01L21/336
摘要： 本文公开的实施例包括晶体管器件和形成此类器件的方法。在实施例中，一种晶体管器件包括：第一沟道，其中，所述第一沟道包括半导体材料；以及位于第一沟道上方的第二沟道，其中，所述第二沟道包括所述半导体材料。在实施例中，第一间隔体位于所述第一沟道和所述第二沟道之间，并且第二间隔体位于所述第一沟道和所述第二沟道之间。在实施例中，第一栅极电介质位于第一沟道的朝向第二沟道的表面之上，并且第二栅极电介质位于第二沟道的朝向第一沟道的表面之上。在实施例中，第一栅极电介质与第二栅极电介质在物理上隔开。
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公开(公告)号：CN115863321A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211020439.1
申请日：2022-08-24
申请人： 英特尔公司
摘要： 本文描述的实施例可以涉及与具有多沟槽结构以增加电荷密度的MIM电容器相关的装置、过程和技术，其中，MIM电容器的电介质包括基于钙钛矿的材料。在实施例中，第一导电层可以与MIM的顶部金属层耦接，和/或第二导电层可以与MIM的底部金属层耦接，以减小RC效应。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN114665014A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111393447.6
申请日：2021-11-23
申请人： 英特尔公司
摘要： 描述了具有外延氧化物的金属绝缘体金属电容器或后端晶体管。在第一示例中，金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器包括第一电极板。电容器电介质在第一电极板上。电容器电介质包括单晶氧化物材料。第二电极板在电容器电介质上，第二电极板具有在第一电极板之上并与第一电极板平行的部分。在第二示例中，晶体管包括在衬底上方的栅电极。栅极电介质在栅电极上方且在栅电极上。栅极电介质包括单晶氧化物材料。沟道材料层在单晶氧化物材料上。源极或漏极触点在沟道材料层上。
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公开(公告)号：CN114649416A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111366914.6
申请日：2021-11-18
申请人： 英特尔公司
发明人： N·托马斯 , E·马特森 , S·李 , S·B·克伦德宁 , T·布朗-赫夫特 , I-C·邓 , T·迈克洛斯 , G·杜威 , C·郭 , M·梅茨 , M·拉多萨夫列维奇 , C·穆赫塔尔扎德
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 集成电路包括带状或线状(RoW)晶体管堆叠体，晶体管在其内具有不同的阈值电压(Vt)。在一些示例中，晶体管堆叠体的栅电极可以仅包括一种功函数金属。金属氧化物可以沉积在晶体管堆叠体的一个或多个沟道周围，作为将向(多个)沟道区扩散的金属氧化物物质的固态源。当扩散时，金属氧化物可以保持(例如，作为硅酸盐或铪酸盐)紧邻沟道区，从而改变栅极绝缘体材料的偶极子性质。晶体管堆叠体的不同沟道可以暴露于不同量或不同类型的金属氧化物物质，以在所述堆叠体内提供一定范围的Vt。在扩散之后，金属氧化物可以作为牺牲物被剥离或被保留。
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