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公开(公告)号：CN108701673B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201780013901.6
申请日：2017-02-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/00 , H01L21/48
Abstract: 本文描述的是具有在空间上变化的焊球高度的BGA封装，以及形成这样的封装的技术。可以预制具有空腔的模板或模具以保持例如利用焊膏印刷工艺施加到模具的焊膏材料。可以根据在模具工作表面区域内的空间位置预先确定空腔的深度和/或直径。可以指定模具腔体尺寸对应于封装位置以解释封装中一个或多个预先存在或预期的空间变化，例如，封装层级的翘曲度量。可以提供任何数量的不同焊球高度。可以在不需要利用模具的每次改变而修改的标准化工艺中采用模具。
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公开(公告)号：CN108701673A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780013901.6
申请日：2017-02-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/00 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/4853 , H01L21/4867 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L2224/11003 , H01L2224/1403 , H01L2224/14132 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0133
Abstract: 本文描述的是具有在空间上变化的焊球高度的BGA封装，以及形成这样的封装的技术。可以预制具有空腔的模板或模具以保持例如利用焊膏印刷工艺施加到模具的焊膏材料。可以根据在模具工作表面区域内的空间位置预先确定空腔的深度和/或直径。可以指定模具腔体尺寸对应于封装位置以解释封装中一个或多个预先存在或预期的空间变化，例如，封装层级的翘曲度量。可以提供任何数量的不同焊球高度。可以在不需要利用模具的每次改变而修改的标准化工艺中采用模具。
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公开(公告)号：CN111247694A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201780095384.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 根据所公开的实施例，存在使用球附接阵列来连接封装的天线和基座基板的天线封装。一个示例是RF模块封装，所述RF模块封装包括：RF天线封装，所述RF天线封装具有在顶部和底部天线层之间的堆叠材料，以形成多个天线平面表面；基座封装，所述基座封装具有交替的图案化的导电层和电介质层，以通过基座封装形成布线；以及接合部，所述接合部在天线封装的底表面和基座封装的顶表面之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369926A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073920.3
申请日：2016-11-14
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/4853 , H01L23/3114 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/14135 , H01L2224/16237 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8101 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/15321 , H01L2924/3511 , H05K1/03 , H05K1/18 , H05K1/181 , H05K3/34 , H05K3/3436 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028
Abstract: 本文中公开了集成电路（IC）封装结构以及相关的设备和方法。在一些实施例中，一种IC封装基板可以包括：具有第一面和第二面的介电层；设置在介电层的第一面处且具有第一面和第二面的金属层，其中该金属层的第二面被设置在该金属层的第一面和介电层的第二面之间；在金属层的第一面处的用来将IC封装基板耦合至部件的封装接触件；以及在金属层的第一面处的用来将管芯耦合至IC封装基板的管芯接触件。
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公开(公告)号：CN119769198A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380053916.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 姚计敏 , A·A·埃尔谢尔比尼 , X·F·布吕诺 , K·俊 , S·M·利夫 , J·M·斯旺 , 施弋 , T·塔卢克达尔 , F·艾德 , M·E·卡比尔 , O·G·卡尔哈德 , B·J·克里什纳特赖亚
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括在第一层中被电介质材料围绕的第一管芯和穿电介质过孔(TDV)，其中，TDV在第一层的第一表面处具有较大的宽度，而在第一层的相对的第二表面处具有较小的宽度；第二管芯，其被电介质材料围绕，位于第一层上的第二层中，其中，第一管芯通过间距小于10微米的互连耦合到第二管芯，并且第二管芯周围的电介质材料具有从第二层的第二表面朝向第二层的相对的第一表面延伸的界面接缝，界面接缝相对于第二表面的角度小于90度；以及位于第二层上并耦合到第二层的衬底。
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公开(公告)号：CN111247694B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201780095384.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 根据所公开的实施例，存在使用球附接阵列来连接封装的天线和基座基板的天线封装。一个示例是RF模块封装，所述RF模块封装包括：RF天线封装，所述RF天线封装具有在顶部和底部天线层之间的堆叠材料，以形成多个天线平面表面；基座封装，所述基座封装具有交替的图案化的导电层和电介质层，以通过基座封装形成布线；以及接合部，所述接合部在天线封装的底表面和基座封装的顶表面之间。
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公开(公告)号：CN108369926B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201680073920.3
申请日：2016-11-14
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 本文中公开了集成电路（IC）封装结构以及相关的设备和方法。在一些实施例中，一种IC封装基板可以包括：具有第一面和第二面的介电层；设置在介电层的第一面处且具有第一面和第二面的金属层，其中该金属层的第二面被设置在该金属层的第一面和介电层的第二面之间；在金属层的第一面处的用来将IC封装基板耦合至部件的封装接触件；以及在金属层的第一面处的用来将管芯耦合至IC封装基板的管芯接触件。
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公开(公告)号：CN112563235A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010587592.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明的主题是“混合的杂混接合结构及形成混合的杂混接合结构的方法”。实施例包括混合的杂混接合结构，所述混合的杂混接合结构包括复合介电层，其中复合介电层包括具有多个无机填充材料的有机介电材料。一个或多个导电衬底互连结构在复合介电层内。管芯在复合介电层上，所述管芯在管芯介电材料内具有一个或多个导电管芯互连结构。一个或多个导电管芯互连结构直接接合到一个或多个导电衬底互连结构，并且复合介电层的无机填充材料接合到管芯介电材料。
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