-
公开(公告)号：CN112945446A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110135812.7
申请日：2021-02-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种具有电磁屏蔽功能的高透光柔性锰铜计，包括基底,基底上设有敏感元件和电极，敏感元件的输入端和输出端分别连接两个电极，敏感元件和电极的表面上设有封装层；敏感元件采用锰铜箔制成，厚度为5μm；电极与敏感元件为一体式结构且由同一锰铜箔通过激光雕刻或化学腐蚀工艺制成；基底和封装层均为三明治结构：中间层为25μm厚的PI/纳米银线复合薄膜，上层和下层是1μm厚的陶瓷薄膜，通过MEMS溅射工艺形成于中间层表面；基底、封装层、电极以及敏感元件通过热压封装工艺形成锰铜计；本发明能够屏蔽电磁辐射干扰且可避免高压旁路效应，具有耐高温、高透光性、响应快、柔性化、薄膜化以及适用于微尺度装药爆压测量等特点。
-
公开(公告)号：CN111780908B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010635028.8
申请日：2020-07-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L5/14
Abstract: 一种测定微尺度装药爆轰波阵面曲率的MEMS压电式传感器，包括基底，基底上溅射有下层输出电极及下层焊盘，下层输出电极与下层焊盘通过下层导线连接，构成下层输出层；下层输出层上旋涂并固化形成PVDF‑TrFE薄膜层，对PVDF‑TrFE薄膜层进行硅油浴极化，通过离子刻蚀得到PVDF‑TrFE敏感元件，构成PVDF‑TrFE压电层；PVDF‑TrFE压电层上溅射有上层输出电极及上层焊盘，上层输出电极与上层焊盘通过上层导线连接，构成上层输出层；下、上层输出电极采用上下轴向对齐的布置方式；下、上层焊盘采用由下层导线、上层导线连接并垂直的布置方式；上层输出层上涂覆有保护层；该传感器具有敏感元件尺寸小、精度高、多点采集等特点，适用于多种测试条件下微尺度装药爆轰波阵面曲率的测量。
-
公开(公告)号：CN108088591B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711344589.7
申请日：2017-12-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种分形式锰铜薄膜超高压力传感器，包括基底，基底上面通过MEMS技术溅射有敏感元件和电极，敏感元件的输入端和输出端分别连接两个电极，敏感元件和电极的表面上粘贴一层有机绝缘薄膜；敏感元件具有自相似的分形结构，采用锰铜靶材溅射而成，基底采用有机玻璃材料，有机绝缘薄膜选用聚四氟乙烯或聚酰亚胺；本发明具有高精度、响应快、输出信号大以及适用于微小尺度爆轰压力测量等特点，测试精度可达3％左右，适用于1～50Gpa量程范围内微尺度爆轰或冲击产生的超高压力的测量。
-
公开(公告)号：CN108896235B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810602746.8
申请日：2018-06-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 一种MEMS柔性锰铜‑康铜复合式超高压力传感器及其制造方法,复合式超高压力传感器包括基底,基底上通过MEMS工艺溅射有锰铜敏感元件及其对应的四个第一电极，以及康铜敏感元件及其对应的四个第二电极，锰铜敏感元件的输入端和输出端分别连接两个第一电极，康铜敏感元件的输入端和输出端分别连接两个第二电极，锰铜敏感元件、康铜敏感元件、第一电极、第二电极的表面上覆盖有绝缘层；锰铜敏感元件和康铜敏感元件采用螺旋式中心对称分布，基底和绝缘层均采用聚酰亚胺材料；本发明复合式超高压力传感器具有精度高、响应快、输出信号大等特点。
-
公开(公告)号：CN107202651B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710543078.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01K11/12
Abstract: 一种微尺度火工品燃烧温度场测量装置及其测温方法，包括图像采集光路系统，机械安装装置，计算机及软件。图像采集光路系统包括中性密度滤光片、成像镜头、高速摄影机；机械安装装置包括避光安装箱，窗口固定环，导轨，滑块，支撑杆，夹具，摄影机安装平台等；计算机及软件包括计算机，数据传输线，测温处理软件等。其中中性密度滤光片在400‑700nm波段内均匀滤光，可以提高测温上限，防止光强太大无法测量。成像镜头和高速摄影机用来采集图像信号，避光安装箱可以防止环境杂光的影响，导轨，滑块，支撑杆，夹具，摄影机安装平台等可以固定各元器件，保证测量对准；计算机及软件可以在标定和测量的时候对图像进行处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107024304A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710207291.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种应力衰减结构的超高压力传感器，包括金属承压元件，金属承压元件的上部为截面逐渐变大的锥形体，外界压力直接作用在锥形体顶部最小的受压面上；金属承压元件的下部为截面积均匀的柱体，并在柱体侧面对称加工有两个侧平面，一个侧平面安装有力敏芯片，力敏芯片通过其上设有的惠斯通电桥和两个转接板连接，两个转接板关于力敏芯片上下对称布置，转接板上的电信号通过引线输出，通过金属承压元件在有限的弹性范围和有限的受压面积之上扩大压力的测量范围，增加压力的测量上限，可测量压力达2GPa。
-
公开(公告)号：CN113188696B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202110385473.8
申请日：2021-04-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于力致发光材料的冲击压力测试装置及方法，包括压力产生装置，压力产生装置与阻抗匹配材料底平面接触，阻抗匹配材料上平面和斜面上设有力致荧光材料；力致荧光材料与线性光纤阵列相对，线性光纤阵列输出和光分路器输入连接，光分路器输出通过光纤和光电探测器输入连接，光电探测器输出通过同轴电缆和示波器输入连接；压力产生装置生成的爆轰波或冲击波传播至阻抗匹配材料，在力致荧光材料上产生光信号，线性光纤阵列接收的光信号通过光分路器和光纤传输至光电探测器，光电探测器将光信号转换成电信号，电信号通过同轴电缆传输至示波器，示波器将电信号显示于屏幕上；本发明无需电极引线，且可避免瞬态高温和电磁辐射对信号的干扰。
-
公开(公告)号：CN115342954A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211009968.1
申请日：2022-08-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于光‑机‑电‑热多物理场耦合的MEMS耐高温压力传感器，包括安装在封装壳内的传感器芯片，传感器芯片变形信号输出和固定在封装壳内的耐高温光纤连接，传感器芯片电信号输出和封装壳上的耐高温引线连接；传感器芯片包括基底，基底上依次设有绝缘层、底电极、压电薄膜、测温元件和顶电极，基底的反射膜和耐高温光纤端面构成F‑P腔；利用压电薄膜实现了高温环境下压力峰值与压力脉宽的测量，通过对比压电薄膜与F‑P腔获得的压力值，实现了压力峰值自校准，通过测温元件获得了压力测量环境的温度值，实现对F‑P腔测压的温度补偿；本发明具有体积小、耐高温、宽量程、高频响、高精度等特点，适用高温恶劣环境中微小尺度下高压的动态测量。
-
公开(公告)号：CN110926281B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911320021.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于MEMS压导探针的微尺度装药爆压与爆速测试系统，包括起爆装置，起爆装置下端和微尺度装药体上端连接固定，微尺度装药体下端和惰性介质上端固定，惰性介质下端和底板连接固定；微尺度装药体和惰性介质边缘嵌有MEMS压导探针，MEMS压导探针的引线从惰性介质和底板的界面引出；MEMS压导探针的引线、电阻以及恒压源组成一个电流回路；MEMS压导探针的引线与示波器的输入端连接；起爆装置与起爆器连接，起爆器通过电流环与示波器的输入端连接，示波器的输出端与计算机连接；MEMS压导探针可同时获得炸药爆速和介质冲击波初始速度，计算得到微尺度装药的爆速成长曲线以及端面输出爆压，适用于微尺度装药输出性能的测量，并提高测量精度。
-
公开(公告)号：CN111637801A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010438318.3
申请日：2020-05-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种PMMA基石墨烯爆压测试传感器及其制造方法,传感器包括基底，基底上通过转移工艺设有第一氮化硼，第一氮化硼上通过转移工艺设有石墨烯，石墨烯两端通过MEMS工艺溅射有电极，石墨烯上通过转移工艺设有第二氮化硼，第二氮化硼上设有封装层；本发明通过MEMS技术实现了氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结敏感元件的微型化，使其适用于微尺度装药爆轰压力的测量；通过基底背面曝光及显影工艺，实现了PMMA基底上电极的图形化，避免了对基底的破坏；利用不同的目标衬底进行捞取，实现了石墨烯以及氮化硼的转移，简化了传感器的制作流程；传感器具有敏感元件尺寸小、响应快、灵敏度高、量程大、精度高等特点，能够适用于微尺度装药爆轰压力的测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.113 seconds)
