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公开(公告)号：CN101348897A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810150947.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本发明的一种磁约束磁控溅射方法，是在溅射靶的表面上方空间形成一个总体方向平行于靶面的磁约束磁场，利用该方法所制造磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。其可以有效克服现有技术存在的靶材利用率低和沉积速率低的问题。
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公开(公告)号：CN101348897B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810150947.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本发明的一种磁约束磁控溅射方法，是在溅射靶的表面上方空间形成一个总体方向平行于靶面的磁约束磁场，利用该方法所制造磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。其可以有效克服现有技术存在的靶材利用率低和沉积速率低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121661B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202111199880.6
申请日：2021-10-14
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明提供了一种TMO薄膜和TMO‑TFT的超低温制备方法。该超低温制备方法包括：S1：制备TMO前驱液；S2：基片的清洗及表面活化；S3：预沉积TMO湿膜的制备；S4：对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火，获得预退火TMO薄膜；S5：对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N2等离子处理或进行N2等离子处理与后退火，获得TMO薄膜；S6：将S5获得的TMO薄膜作为有源层制备TFT，获得TMO‑TFT。本发明在保证TMO薄膜具有良好半导体特性以及TMO‑TFT展现优异电学特性的同时，实现了TMO薄膜及TMO‑TFT的超低温制备，从而增强了TMO‑TFT与柔性基板的兼容性。
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公开(公告)号：CN114121661A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111199880.6
申请日：2021-10-14
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种TMO薄膜和TMO‑TFT的超低温制备方法。该超低温制备方法包括：S1：制备TMO前驱液；S2：基片的清洗及表面活化；S3：预沉积TMO湿膜的制备；S4：对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火，获得预退火TMO薄膜；S5：对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N2等离子处理或进行N2等离子处理与后退火，获得TMO薄膜；S6：将S5获得的TMO薄膜作为有源层制备TFT，获得TMO‑TFT。本发明在保证TMO薄膜具有良好半导体特性以及TMO‑TFT展现优异电学特性的同时，实现了TMO薄膜及TMO‑TFT的超低温制备，从而增强了TMO‑TFT与柔性基板的兼容性。
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公开(公告)号：CN101359061A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810150923.X
申请日：2008-09-11
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及光学制造和光电元器件生产设备技术领域，具体涉及一种光学镀膜方法以及使用该方法的光学镀膜机。本发明要解决现有技术存在的无法满足各种光学薄膜和光电功能多层薄膜以及光电微系统制备的需求，且设备投入成本高的问题。为解决现有技术存在的问题，所提供的技术方案是，一种光学镀膜方法，是将真空阴极电弧镀膜技术、磁控溅射镀膜技术和热蒸发镀膜技术根据薄膜种类进行组合使用，使用中被镀件始终保持在真空状态下，实时进行蒸发源的快速转换。同时提供一种光学镀膜机，包括真空镀膜室，温度控制系统，膜厚控制系统，气体流量提供、控制系统和薄膜蒸发系统，所述薄膜蒸发系统包括阴极真空电弧发生装置、磁控溅射装置和热蒸发装置。
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公开(公告)号：CN201250284Y
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200820030258.6
申请日：2008-09-12
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本实用新型属磁控溅射镀膜技术，具体涉及一种磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本实用新型的一种磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，其特别之处在于：所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。本实用新型可以有效克服现有技术存在的靶材利用率低和沉积速率低的问题。
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公开(公告)号：CN201250283Y
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200820030249.7
申请日：2008-09-11
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C14/22
Abstract: 本实用新型涉及光学制造和光电元器件生产设备技术领域，具体涉及一种光学镀膜机。本实用新型要解决现有技术存在的无法满足各种光学薄膜和光电功能多层薄膜以及光电微系统制备的需求，且设备投入成本高的问题。为解决现有技术存在的问题，所提供的技术方案是，一种光学镀膜机，包括真空镀膜室，温度控制系统，膜厚控制系统，气体流量提供、控制系统和薄膜蒸发系统，所述薄膜蒸发系统包括阴极真空电弧发生装置、磁控溅射装置和热蒸发装置。与现有技术相比，本实用新型的优点如下：可以满足各种光学薄膜和光电功能多层薄膜以及光电微系统制备需求，功能全面，减少设备投资成本，同时可大幅提高生产效率。
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