高网络负载场景中MIMO系统下的V2X通信方法

    公开(公告)号:CN111698662B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202010544052.0

    申请日:2020-06-15

    发明人: 张睿 王杰令

    摘要: 本发明公开一种高网络负载场景中多输入多输出MIMO系统下的V2X通信方法,该方法通过增加车载通信设备的发送单元和接收单元的数量,在多输入多输出MIMO系统下进行V2X通信。本发明的优点在于:车载通信设备和外界通信单元的发送器和接收器分别设置N1个发送单元和N2个接收单元,车载通信设备和外界通信单元在N1×N2MIMO系统下进行V2X通信,提高了V2X通信的信道容量,使得V2X通信的信道容量大于V2X通信在高网络负载场景中的数据流量峰值,避免了信道拥塞,消除了信道拥塞对V2X通信的影响。

    基于接收端多元线性化的非线性信号处理系统及方法

    公开(公告)号:CN111083085A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911238762.4

    申请日:2019-12-06

    IPC分类号: H04L27/34 H04L27/36

    摘要: 本发明公开一种基于接收端多元线性化的非线性信号处理系统及方法,可用于解决由功率放大器(PA)造成的非线性信号失真的问题。本发明的系统包括信号接收处理模块、多元化模块、加权系数计算模块、线性化计算模块和解调判决模块。本发明方法的步骤为:接收信号、将每个非线性载波信号进行映射、计算期望信号序列、计算映射后信号矩阵中每行信号的加权系数、获得线性载波信号序列、获得线性载波信号序列的误比特率、判断所得误比特率是否满足要求、输出优化后的线性载波信号序列。本发明可以降低PA线性化的成本和功耗,提高PA的效率。

    基于泄漏的高效能多用户联合预编码方法及装置

    公开(公告)号:CN108551359A

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201810229428.1

    申请日:2018-03-20

    摘要: 本发明公开了一种基于泄漏的高效能多用户联合预编码(EI-SLNR)方法及装置,该方法包括:基站获取所有用户信道矩阵和先验信息;确定各用户的动态功率分配矩阵;并以此构造加权的等效信道,进而通过EI-SLNR准则得到各个用户的预编码矩阵;对基站发送给各用户原始信号进行预编码,然后对信号相加后从基站端发射;用户利用MMSE接收机对接收信号进行接收,归一化并判决等处理,得到用户原始发送数据。本发明解决了MU-MIMO系统中多用户公平性的问题,消除多用户干扰的同时,提高了用户之间的公平性。同时发明了一种动态功率分配的方法,进一步提高了性能。用于无线通信领域的抗干扰。

    一种适用于5G中LDPC码的IR‑HARQ传输方法

    公开(公告)号:CN107181576A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201710550455.4

    申请日:2017-07-07

    IPC分类号: H04L1/18 H04L1/00

    摘要: 本发明提出了一种适用于5G中LDPC码的IR‑HARQ传输方法,用于解决现有技术中存在的通信误帧率高的技术问题,实现步骤为:对消息序列进行编码,并对编码符号进行划分;设定每次发送的编码符号长度为N,每次重传的信息比特长度为I;对LDPC码编码符号的不打孔信息比特和校验比特进行传输;对LDPC码编码符号的第1位到第I位信息比特和校验比特进行第一次重传;对第I+1位到第2I位信息比特和校验比特进行第二次重传;对第2I+1位到第3I位信息比特和校验比特进行第三次重传,其中重传的校验比特是紧接前次校验比特后的N‑I位。本发明在保证通信吞吐量的同时,降低了传输的误帧率和资源占用,可用于5G传输系统。

    低界面态密度的SiCMOS电容制作方法

    公开(公告)号:CN101540279B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200910022011.9

    申请日:2009-04-14

    摘要: 本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法,主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是:对N-SiC外延材料进行清洗处理;离子注入N+离子到外延层中后,干氧氧化一层SiO2;对氧化后的样片,依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理;采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层SiO2,并在Ar气环境中退火;通过光刻版真空溅射Al作电极,并在Ar气环境中退火,完成电容器件制作。本发明具有精确控制N+剂量,SiC/SiO2界面陷阱密度低,工艺简单的优点,可用于提高N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性。

    金属-半导体场效应晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN101552286A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200910022013.8

    申请日:2009-04-14

    摘要: 本发明公开了一种在碳化硅中形成的金属-半导体场效应晶体管,主要解决器件制作过程中在表面形成的表面陷阱问题。该晶体管包括:半绝缘型碳化硅衬底(1)、p型碳化硅缓冲层(2)、n型碳化硅导电沟道层(3)、n+盖帽层(5),源极(7)和漏极(8),其中n型导电沟道层(3)与n+盖帽层(5)之间设有n型碳化硅缓冲层(4),该缓冲层内埋有栅极(6),形成埋沟-埋栅结构。该器件制作的过程为:在半绝缘碳化硅衬底上依次外延生长p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅沟道层、n型碳化硅缓冲层、n+盖帽层,在n+盖帽层上刻蚀栅凹槽窗口及牺牲氧化,并通过蒸发金属、剥离形成源极、漏极及栅极。本发明可用于高频大功率集成电路的制作。

    基于双向注意力聚合机制的红外小目标检测方法

    公开(公告)号:CN114882322B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202210658277.8

    申请日:2022-06-10

    IPC分类号: G06V10/774 G06V10/82

    摘要: 本发明公开了一种基于双向注意力聚合机制的红外小目标检测方法,主要解决现有方法检测准确率较低的问题,实现步骤为:构建训练样本集和测试样本集;构建基于双向注意力聚合机制的目标检测网络模型:包括并行排布的第一分支和第二分支;第一分支包括顺次连接的Stem块、第一和第二残差块、第一转置卷积层、第一双向注意力聚合块、第二转置卷积层、第二双向注意力聚合块、head网络;第二分支包括顺次连接的三个泰勒中心差分残差块;双向注意力聚合块包括多个瓶颈结构、多个可变性卷积层和多个非线性激活层;泰勒中心差分残差块包括多个卷积层和多个非线性激活层;对目标检测网络模型进行迭代训练。本发明能够提高红外小目标检测的准确率。

    一种适用于5G中LDPC码的IR-HARQ传输方法

    公开(公告)号:CN107181576B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201710550455.4

    申请日:2017-07-07

    IPC分类号: H04L1/18 H04L1/00

    摘要: 本发明提出了一种适用于5G中LDPC码的IR‑HARQ传输方法,用于解决现有技术中存在的通信误帧率高的技术问题,实现步骤为:对消息序列进行编码,并对编码符号进行划分;设定每次发送的编码符号长度为N,每次重传的信息比特长度为I;对LDPC码编码符号的不打孔信息比特和校验比特进行传输;对LDPC码编码符号的第1位到第I位信息比特和校验比特进行第一次重传;对第I+1位到第2I位信息比特和校验比特进行第二次重传;对第2I+1位到第3I位信息比特和校验比特进行第三次重传,其中重传的校验比特是紧接前次校验比特后的N‑I位。本发明在保证通信吞吐量的同时,降低了传输的误帧率和资源占用,可用于5G传输系统。