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公开(公告)号：CN117352587A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311340111.2
申请日：2023-10-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器及制备方法，方法包括：根据预设杂质含量要求和预设位错密度要求选取金刚石，并进行清洗，得到金刚石衬底；在金刚石衬底上表面形成第一硅膜；在MPCVD中对含硅膜金刚石进行氢等离子体高温处理，形成第一硅终端掺杂金刚石层和第一氢钝化硅终端金刚石层；在金刚石衬底下表面形成第二硅膜；下表面采用相同的工艺形成第二硅终端掺杂金刚石层和第二氢钝化硅终端金刚石层；在第一氢钝化硅终端金刚石层表面制备第一电极，在第二氢钝化硅终端金刚石层表面制备第二电极，得到金刚石核探测器。本发明的氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器的制备方法，可通过改善接触特性来提高器件性能。
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公开(公告)号：CN116053349A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211646063.5
申请日：2022-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种高输出功率的金刚石光导开关及其制备方法，包括：金刚石层；介质层，介质层包括多个介质子层，所有介质子层阵列排布在金刚石层上，相邻两个介质子层之间的间距大于零；第一欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于未被介质层覆盖的金刚石层上，且每个介质子层部分上表面覆盖有第一欧姆接触电极形成场板结构，其中，覆盖在介质子层上的第一欧姆接触电极与该介质子层同端设置于金刚石层上的第一欧姆接触电极连续排布；第二欧姆接触电极，第二欧姆接触电极位于金刚石层的下表面。本发明的光导开关可获得较大的受光面积从而降低器件导通电阻、提升金刚石光导开关的输出功率。
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公开(公告)号：CN116243365A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211611093.2
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01T1/24 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C14/30 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/511 , C23C28/00
Abstract: 本发明涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法，金刚石核探测器包括：金刚石、第一绝缘介质层、第一欧姆接触电极、第二绝缘介质层和第二欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于金刚石的第一表面上，第一绝缘介质层包围第一欧姆接触电极，且第一欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第一绝缘介质层以形成场板结构；第二欧姆接触电极位于金刚石的第二表面上，第二绝缘介质层包围第二欧姆接触电极，且第二欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第二绝缘介质层以形成场板结构。本发明实施例通过在器件表面非电极区域插入绝缘介质层并形成电极场板结构，提高了探测器的工作耐压，降低了器件的漏电。
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公开(公告)号：CN117558820A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311337724.0
申请日：2023-10-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L21/324 , H01L21/268 , H01L31/028 , H01L31/0224 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种图形化硼硅高效同步共掺杂的金刚石核探测器的制备方法，包括：选取高纯本征金刚石衬底；在衬底的上下表面分别淀积氮化硼薄膜；在氮化硼薄膜上进行选择性的图形化刻蚀直至金刚石表面；在执行完图形化刻蚀的区域内淀积硅薄膜，得到含有氮化硼和硅复合薄膜的金刚石衬底；将该衬底置于MPCVD腔室中进行两阶段的氢等离子体处理，得到包含上下两个硼硅共掺杂金刚石层且上下表面具有氢吸附层的金刚石衬底；对衬底进行退火；在上下硼硅共掺杂金刚石层的表面分别制作欧姆接触电极金属，得到金刚石核探测器。本发明制备的金刚石核探测器欧姆接触特性优异、制备工艺简单，成本低，有利于大尺寸器件制备。
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