公开(公告)号：CN115717270A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211469366.4

申请日：2022-11-22

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 陈军飞 ,  孟金涛 ,  李逸江 ,  朱潦亮 ,  李俊鹏 ,  许琦辉 ,  丁森川 ,  黄思源 ,  费一帆 ,  任泽阳 ,  张金风 ,  戴显英 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  王东

IPC: C30B28/14 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了一种多晶金刚石的生长方法，其包括如下步骤：获取预处理后的钼衬底；预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理；对钼衬底进行图案化处理，获得第一结构层；在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液，获得第二结构层；在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明中的方法，能够实现高质量多晶金刚石的生长。