发明公开
- 专利标题: 一种多晶金刚石的生长方法
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申请号: CN202211469366.4申请日: 2022-11-22
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公开(公告)号: CN115717270A公开(公告)日: 2023-02-28
- 发明人: 陈军飞 , 孟金涛 , 李逸江 , 朱潦亮 , 李俊鹏 , 许琦辉 , 丁森川 , 黄思源 , 费一帆 , 任泽阳 , 张金风 , 戴显英 , 陈兴 , 吴勇 , 王东
- 申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园7号楼
- 专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园7号楼
- 代理机构: 上海驷合知识产权代理有限公司
- 代理商 于秀
- 主分类号: C30B28/14
- IPC分类号: C30B28/14 ; C30B29/04
摘要:
本发明公开了一种多晶金刚石的生长方法,其包括如下步骤:获取预处理后的钼衬底;预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理;对钼衬底进行图案化处理,获得第一结构层;在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液,获得第二结构层;在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明中的方法,能够实现高质量多晶金刚石的生长。
IPC分类: