公开(公告)号：CN117822127A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410008462.1

申请日：2024-01-02

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 李俊鹏 ,  朱潦亮 ,  任泽阳 ,  张金风 ,  陈军飞 ,  王晗雪 ,  陈兴 ,  沈琪 ,  邵语嫣 ,  王超群 ,  王东 ,  吴勇

IPC分类号： C30B31/02 ,  C30B31/18 ,  C30B33/02 ,  C30B29/04

摘要： 本发明涉及一种表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备方法，包括在所述本征硅衬底上制备预设图形结构；将单晶金刚石放置在所述本征硅衬底的若干支撑结构之上；在与支撑结构相接触的单晶金刚石的表面形成若干硅空位色心区域；使用氮氢混合的等离子体的微波等离子集团处理表面具有硅空位色心区域的单晶金刚石，以使硅空位色心区域转化为氮空位色心区域；对表面具有氮空位色心的单晶金刚石进行退火处理，完成表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备。本发明提出的方法可以在金刚石表面所需区域，选择性的生长氮空位色心，更适合金刚石氮空位色心的应用。本发明提供的方法对金刚石没有破坏性，制备的具有氮空位色心的金刚石质量更高。

公开(公告)号：CN112713189A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011600632.3

申请日：2020-12-29

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 汪琼 ,  王超群 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  黄永 ,  陆俊 ,  季亚军 ,  孙凯 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。

公开(公告)号：CN112713189B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202011600632.3

申请日：2020-12-29

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 汪琼 ,  王超群 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  黄永 ,  陆俊 ,  季亚军 ,  孙凯 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。