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公开(公告)号：CN114197042A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111399340.2
申请日：2021-11-19
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法和辐射探测器，其中的方法包括如下步骤：将其上具有金刚石晶种的衬底置于化学气相沉积反应室中；设置化学气相沉积反应室中的生长气体为H2、CH4和N2的混合气体；经过第一预设时间后，关闭CH4和N2，并通入O2，将H2和O2的混合气体作为刻蚀气体；经过第二预设时间后，关闭O2，并复通入CH4和N2，将H2、CH4和N2的混合气体作为生长气体；重复上述步骤若干次，直至若干个第一预设时间之和达到预设生长时间后结束，得到多晶金刚石膜。通过本发明中的方法，能够减少最终制备得到的多晶金刚石薄膜内的杂质，提高最终制备得到的多晶金刚石膜的质量，且该方法的实施难度较低。
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公开(公告)号：CN114038750B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111304770.1
申请日：2021-11-05
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L23/373 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。
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公开(公告)号：CN114236340A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111563751.0
申请日：2021-12-20
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I‑V特性的二极管漏电分析方法，包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I‑V特性测试，测得的不同温度下的反向I‑V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I‑V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。本发明能依据计算公式对多组I‑V特性曲线进行分段拟合分析，最后准确得出该二极管样品的漏电流运输机制，有助于技术人员改善工艺、优化产品应用，对提升产品的质量和可靠性有着较大的意义。
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公开(公告)号：CN112713189A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011600632.3
申请日：2020-12-29
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
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公开(公告)号：CN112713189B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011600632.3
申请日：2020-12-29
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
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公开(公告)号：CN112713190B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011603997.1
申请日：2020-12-29
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN114038750A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111304770.1
申请日：2021-11-05
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L23/373 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。
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公开(公告)号：CN112701162A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011592523.1
申请日：2020-12-29
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/16
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石衬底的MOSFET器件的结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括金刚石衬底、设于金刚石衬底上下两端的氢终端层、分别设于金刚石衬底两侧的源电极和漏电极、在氢终端层的表面设置的栅介质层以及设置在栅介质层表面的栅电极，采用本方法形成的双栅金刚石器件，可以在保持阈值电压基本不变的情况下提高金刚石器件的最大饱和电流和跨导，将器件的开关比提高近3个数量级，降低器件的输出电阻，大幅度提高金刚石器件的截止频率，而且制造工艺简单，重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN114197042B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111399340.2
申请日：2021-11-19
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法和辐射探测器，其中的方法包括如下步骤：将其上具有金刚石晶种的衬底置于化学气相沉积反应室中；设置化学气相沉积反应室中的生长气体为H2、CH4和N2的混合气体；经过第一预设时间后，关闭CH4和N2，并通入O2，将H2和O2的混合气体作为刻蚀气体；经过第二预设时间后，关闭O2，并复通入CH4和N2，将H2、CH4和N2的混合气体作为生长气体；重复上述步骤若干次，直至若干个第一预设时间之和达到预设生长时间后结束，得到多晶金刚石膜。通过本发明中的方法，能够减少最终制备得到的多晶金刚石薄膜内的杂质，提高最终制备得到的多晶金刚石膜的质量，且该方法的实施难度较低。
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公开(公告)号：CN114496789A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111602296.0
申请日：2021-12-24
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管，其中的方法包括如下步骤：提供包含第一半导体层和第二半导体层的异质结；第二半导体层形成于第一半导体层上，异质结中形成有二维电子气；第二半导体层包括第一势垒层、插入层和第二势垒层，插入层的热分解温度低于第二势垒层的热分解温度；对第二半导体层进行干法刻蚀形成延伸至插入层中的第一凹槽；对第一凹槽进行热分解刻蚀，形成第二凹槽；在第二凹槽中外延生长P型掺杂层；制备源极、漏极和栅极；源极和漏极均生长于第二半导体层内，栅极位于源极和漏极之间，且栅极生长于P型掺杂层上。通过执行本发明中的方法，能够实现高性能增强型晶体管器件的制备。
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