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公开(公告)号：CN115629259A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211327280.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 重庆大学 , 国网智能电网研究院有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种便携型多分立式功率器件串联的加速老化实验平台，属于功率器件加速老化测试技术领域。该实验平台包括功率回路、散热模块、可编程直流电源、上位机和采集模块。功率回路采用U型对称回路设计，包括n个相同的分立式功率器件、2n个测试底座、n个相同的驱动回路和2n个电压测试端。散热模块设置在相邻两器件中间位置，且各散热模块并联；采集模块分别采集各器件导通压降及温度，通过上位机完成在线监测并保存实验数据。可编程直流电源给实验平台提供所需电流，并与上位机通信，其输出受上位机控制。本发明实验平台可显著提升功率器件加速老化测试中的温度波动，并在极大程度上缩短实验时间，减小体积和降低成本。
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公开(公告)号：CN119335345A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411459412.1
申请日：2024-10-18
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种考虑老化影响的IGBT器件安全工作区退化表征方法，属于半导体技术领域。该方法表征模型包括：二维初始SOA(包括最大电流边界、最大功率损耗边界和最大电压边界)；变结温波动的结壳热阻退化模型；动态SOA边界退化模型。方法表征步骤如下：根据数据手册定义器件二维初始SOA，通过实验拟合得到不同结温波动功率循环条件下的热阻退化模型参数，根据热阻退化模型，建立变结温波动下动态SOA边界退化模型。该发明可以观察器件安全工作区边界收缩受负载和环境温度的工况变化的影响，有效表征器件老化对安全工作区的退化收缩作用。
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公开(公告)号：CN115114829B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210828082.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种模拟芯片界面材料互融机理的功率半导体器件多层级失效建模方法，属于功率半导体器件失效模拟仿真领域。该方法包括：构建功率半导体器件层级多物理场有限元模拟模型，得到器件截面的电流密度和应力分布；构建功率半导体元胞层级多物理场有限元模拟模型，并提取器件截面的电流密度和应力分布作为模型边界条件，得到各元胞内部任意两种材料所形成界面的温度和应力分布；构建功率半导体材料层级分子动力学模拟模型，并提取各元胞内部任意两种材料所形成界面的温度和应力分布作为模型边界条件，得到芯片界面材料互融的发生条件和部位。本发明实现了宏观器件失效边界应力向微观材料互融模拟的传递，能够获取材料互融的发生条件和部位。
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公开(公告)号：CN118336779A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410483592.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种交流励磁抽水蓄能机组的调频能力评估方法，属于机电控制技术领域。该方法首先通过层次分析法获得评估交流励磁抽水蓄能机组调频能力的综合评价指标；然后基于系统频率响应模型和交流励磁抽水蓄能机组的机电暂态数学模型，计算机组的频率、转速和功率，并建立交流励磁抽水蓄能机组的转速和功率约束方程；最后基于该综合评价指标和约束方程构建单目标优化模型，通过该模型求得交流励磁抽水蓄能机组的最优调频控制参数组合，并根据最优调频参数对应的综合评价指标以评估机组的最大调频能力。本发明可准确、快速的对交流励磁抽水蓄能机组在不同工况下的最大调频能力进行评估。
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公开(公告)号：CN115360902A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211200063.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M1/44 , H02M1/12 , H02M1/00 , H02M1/38 , H02M7/5387 , H02P21/14 , H02P27/12 , H02P25/022
Abstract: 本发明涉及一种基于多矢量调制型模型的碳化硅电驱系统共模电压抑制方法，属于新能源领域。该方法为：S1：根据传统共模抑制方法导致的电机相电流畸变，建立碳化硅电驱系统模型预测控制仿真模型；S2：根据不同电压矢量对碳化硅器件开关特性的影响，提出目标函数中电压矢量的选择方法；S3：根据调制型模型预测控制的原理，理论推导多矢量的作用时间；S4：提出对应的多矢量作用时间死区补偿措施，将补偿后的电压脉冲信号输出到碳化硅逆变器中，实现抑制共模电压和电流畸变的碳化硅电驱系统模型预测控制。本发明方法能够有效抑制碳化硅电驱系统中的共模电压，同时降低电机电流的总谐波畸变率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115148692A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210518584.6
申请日：2022-05-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种压接型分立式SiC MOSFET器件封装结构，属于半导体封装技术领域。该结构包括U型栅极顶针，实现压接型SiC MOSFET器件栅极良好的电气连接；还包括垂直换流路径的压接封装结构，具体包括漏极铜板、上钼层、SiC MOSFET芯片、下钼层和源极铜板，用于降低现有焊接封装的分立式SiC MOSFET器件的寄生电感，提升高频工况下SiCMOSFET器件的开关性能。本发明能够降低分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感，从而提升其开关性能；另外，本发明结构具有小体积、可重复利用的优点，降低了压接封装器件成本。
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公开(公告)号：CN110133464B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201910399482.5
申请日：2019-05-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种基于MMC换流阀应用工况的IGBT器件功率循环测评方法，属于高压直流输电技术领域。该方法包括：首先，基于IGBT和二极管的损耗模型，得到器件的导通损耗和开关损耗，根据IGBT器件热网络模型，提取IGBT器件和二极管的平均结温与结温波动幅值；其次，考虑MMC换流阀运行工况，提出器件故障率计算模型，获取器件故障率及循环次数；最后基于Miner法则与等损伤原则对IGBT器件进行可靠性测评建模，获取不同外加测试条件下IGBT器件可靠性指标的变化规律，形成可靠性测评方案。本发明形成了IGBT器件可靠性测评方法，对准确评估MMC换流阀用IGBT器件可靠性具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104569049B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510079413.8
申请日：2015-02-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明涉及一种无冷板的大功率LED器件固晶层散热性能快速评估方法，包括以下步骤：1)将器件放置于恒温装置，并通入正向电流，依次改变恒温装置的温度，待热平衡后，记录每个温度下器件两端的正向电压，利用电压-温度关系曲线得到K系数；2)搭建用于测量结到空气瞬态电压的测试系统；3)利用测试系统测得瞬态电压参数，并根据测得的K系数得到器件的瞬态结温响应；4)对瞬态结温进行等效数学变换，获得时间常数谱；5)对时间常数谱进行分析，提取表征固晶层的特征参数以实现其散热性能的评估。本方法利用静止空气中LED器件瞬态结温响应得到的时间常数谱进行固晶层的散热性能评估，无需将器件人工贴附于任何散热器或者控温冷板，操作简单、省时，且待测器件重复使用时无需清洗。
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公开(公告)号：CN104569065B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510078344.9
申请日：2015-02-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明涉及一种大功率LED器件固晶层散热性能的快速评估方法，属于半导体器件测试技术领域。包括以下步骤：步骤一：搭建用于测量大功率LED器件瞬态电压的测试系统；步骤二：利用所述测试系统测量大功率LED器件加热电流切换至测量电流的冷却电压曲线；步骤三：对电压曲线进行归一化处理；步骤四：对归一化的电压曲线进行等效数学变换，获得时间常数谱；步骤五：对时间常数谱进行分析，提取表征固晶层的特征参数以实现其散热性能的评估；本方法利用归一化的电压曲线得到的时间常数谱的特征参量进行固晶层的散热性能评估，无需进行K系数的标定和耗散热功率的测试，因此操作简单，省时，便于(56)对比文件Péter Szabó等.SHORT TIME DIE ATTACHCHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTORDEVICES《.THERMINIC》.2007,Thomas Dannerbauer等.Inline RthControl: Fast Thermal TransientEvaluation for High Power LEDs.《THERMINIC》.2013,
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公开(公告)号：CN104569049A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510079413.8
申请日：2015-02-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明涉及一种无冷板的大功率LED器件固晶层散热性能快速评估方法，包括以下步骤：1)将器件放置于恒温装置，并通入正向电流，依次改变恒温装置的温度，待热平衡后，记录每个温度下器件两端的正向电压，利用电压-温度关系曲线得到K系数；2)搭建用于测量结到空气瞬态电压的测试系统；3)利用测试系统测得瞬态电压参数，并根据测得的K系数得到器件的瞬态结温响应；4)对瞬态结温进行等效数学变换，获得时间常数谱；5)对时间常数谱进行分析，提取表征固晶层的特征参数以实现其散热性能的评估。本方法利用静止空气中LED器件瞬态结温响应得到的时间常数谱进行固晶层的散热性能评估，无需将器件人工贴附于任何散热器或者控温冷板，操作简单、省时，且待测器件重复使用时无需清洗。
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