-
公开(公告)号：CN113314448B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110523240.X
申请日：2021-05-13
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种半导体传输设备及半导体传输设备的控制方法。半导体传输设备包括传输室和处理室，传输室内设有M个传输臂，M为大于2的整数，传输臂用于传输晶圆；处理室与传输室连通，处理室用于对晶圆进行处理，处理室的数量为N个，N为小于M的正整数，且N个处理室彼此间隔设置。本申请提供的半导体传输设备中传输臂的数量多于处理室的数量，提高了晶圆的传输效率，从而扩大了半导体传输设备的产能。
-
公开(公告)号：CN110690134B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910861852.2
申请日：2019-09-12
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，串气检测方法包括如下步骤：提供一多站式沉积设备，通过多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行多站式沉积工艺，多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚晶圆进行多站式沉积工艺的站位；对晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；对多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行流量检测；根据薄膜均匀性检测和供气流量检测的结果判断多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。本发明通过引入一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，通过进行薄膜均匀性检测及供气流量检测，及时发现多站式沉积工艺过程中出现的串气，从而确保了薄膜沉积质量以及产品良率。
-
公开(公告)号：CN113314448A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110523240.X
申请日：2021-05-13
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种半导体传输设备及半导体传输设备的控制方法。半导体传输设备包括传输室和处理室，传输室内设有M个传输臂，M为大于2的整数，传输臂用于传输晶圆；处理室与传输室连通，处理室用于对晶圆进行处理，处理室的数量为N个，N为小于M的正整数，且N个处理室彼此间隔设置。本申请提供的半导体传输设备中传输臂的数量多于处理室的数量，提高了晶圆的传输效率，从而扩大了半导体传输设备的产能。
-
公开(公告)号：CN111755450A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010650456.8
申请日：2020-07-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本发明涉及一种降低晶圆翘曲度的方法及根据该方法形成的三维存储器。该方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有多个待填充空隙；在至少部分所述多个待填充空隙中形成粘连层；对所述粘连层进行表面处理；以及在经过所述表面处理的粘连层上形成导体层。根据本发明的方法所形成的三维存储器可以降低由于导体层应力所造成的晶圆翘曲程度，有助于提高三维存储器的性能。
-
公开(公告)号：CN110690134A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910861852.2
申请日：2019-09-12
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，串气检测方法包括如下步骤：提供一多站式沉积设备，通过多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行多站式沉积工艺，多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚晶圆进行多站式沉积工艺的站位；对晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；对多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行流量检测；根据薄膜均匀性检测和供气流量检测的结果判断多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。本发明通过引入一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，通过进行薄膜均匀性检测及供气流量检测，及时发现多站式沉积工艺过程中出现的串气，从而确保了薄膜沉积质量以及产品良率。
-
公开(公告)号：CN110021556A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910427639.0
申请日：2019-05-22
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L27/1157
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：提供一介质层，所述介质层中具有沿垂直于所述介质层的方向贯穿所述介质层的通孔；进行至少一次循环步骤，形成填充层于所述通孔内，所述循环步骤包括：形成第一金属层于所述通孔内壁，所述第一金属层由具有第一尺寸的晶粒构成；形成第二金属层于所述第一金属层表面，所述第二金属层由具有第二尺寸的所述晶粒构成，且所述第一尺寸小于所述第二尺寸，并以所述第二金属层的表面作为进行下一次循环步骤的通孔内壁。本发明在确保填充层填孔性能的同时，减少了所述填充层中的缺陷，有效改善了所述半导体器件的良率。
-
公开(公告)号：CN111575677A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010330140.0
申请日：2020-04-24
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/768 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578
摘要： 公开了一种原子层沉积设备及3D存储器件，原子层沉积设备包括：进气管路，用于接收至少两种反应气体以及惰性气体；反应腔室，与所述进气管路连接；基座，位于所述反应腔室内，用于承载硅片以及对所述硅片进行加热；排气通道，与所述反应腔室连接，其中，所述原子层沉积设备还包括可调节控制板，位于所述反应腔室内，用于阻挡所述反应气体到达硅片表面。本申请的原子层沉积设备，通过可调节控制板控制参与硅片表面反应的反应气体，使得粘附膜可以分层生长，得到晶向一致、晶界表面积减少的粘附膜，提高了粘附膜的阻挡能力。
-
公开(公告)号：CN113838856B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111113784.5
申请日：2021-09-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，该制备方法包括：在衬底上形成由多个绝缘层和多个牺牲层组成的堆叠结构以及垂直穿过堆叠结构的栅线缝隙，栅线缝隙被多个绝缘层和多个牺牲层所围而具有第一宽度，第一宽度由下至上以第一变化率逐渐变大，去除多个牺牲层得到多个栅极开口，以第一台阶覆盖率在多个栅极开口中形成第一栅极层，之后，以小于第一台阶覆盖率的第二台阶覆盖率在第一栅极层上形成第二栅极层，本发明提供的半导体器件的制备方法，通过以不同台阶覆盖率分步沉积第一栅极层和第二栅极层，而使栅线缝隙被第二栅极层所围而具有尺寸相差不大的顶部与底部，有效地避免了在后续进行回刻蚀时，无法得到上层的栅极结构的问题。
-
公开(公告)号：CN113937032A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111039073.8
申请日：2021-09-06
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体结构加工系统，包括：腔室集合体，包括：由下至上依次层叠设置的第二缓存腔室、n个处理腔室、以及第一缓存腔室；支撑架，包括：由下至上依次并列设置的第三支撑位、n个第二支撑位、以及第一支撑位，分别用于承载第二缓存腔室、n个处理腔室、以及第一缓存腔室；第二支撑位与处理腔室可拆卸连接；转移组件，位于腔室集合体的第一侧面，用于向第一缓存腔室中转移半导体结构，还用于从第二缓存腔室中取出半导体结构；传输组件，位于腔室集合体的第二侧面，用于在第一缓存腔室与相邻的处理腔室间传输半导体结构，还用于在相邻的两个处理腔室间传输半导体结构，还用于在第二缓存腔室与相邻的处理腔室间传输半导体结构。
-
公开(公告)号：CN113838856A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111113784.5
申请日：2021-09-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，该制备方法包括：在衬底上形成由多个绝缘层和多个牺牲层组成的堆叠结构以及垂直穿过堆叠结构的栅线缝隙，栅线缝隙被多个绝缘层和多个牺牲层所围而具有第一宽度，第一宽度由下至上以第一变化率逐渐变大，去除多个牺牲层得到多个栅极开口，以第一台阶覆盖率在多个栅极开口中形成第一栅极层，之后，以小于第一台阶覆盖率的第二台阶覆盖率在第一栅极层上形成第二栅极层，本发明提供的半导体器件的制备方法，通过以不同台阶覆盖率分步沉积第一栅极层和第二栅极层，而使栅线缝隙被第二栅极层所围而具有尺寸相差不大的顶部与底部，有效地避免了在后续进行回刻蚀时，无法得到上层的栅极结构的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
22 条记录 (耗时 0.04 秒)
