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公开(公告)号：CN101335321B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810134335.7
申请日：2003-09-19
申请人： 霆激科技股份有限公司
摘要： 一种用于制作发光器件的方法，所述方法包括的步骤为：(a)提供包括衬底(12)的晶片(10)，多个外延层(14)安装在该衬底(12)上，该多个外延层(14)包括其中能够产生光的有源区；(b)在该多个外延层(14)的第一表面上形成至少一层第一接触，该第一表面远离该衬底(12)，该至少一层第一接触为也将成为反射层的反射材料；(c)形成导热金属的比较厚的层(28)邻近该至少一层第一接触，该较厚的层(28)不经构图而形成，构图随后进行；以及(d)去除该衬底(12)。
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公开(公告)号：CN101335321A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810134335.7
申请日：2003-09-19
申请人： 霆激科技股份有限公司
摘要： 一种用于制作发光器件的方法，所述方法包括的步骤为：(a)提供包括衬底(12)的晶片(10)，多个外延层(14)安装在该衬底(12)上，该多个外延层(14)包括其中能够产生光的有源区；(b)在该多个外延层(14)的第一表面上形成至少一层第一接触，该第一表面远离该衬底(12)，该至少一层第一接触为也将成为反射层的反射材料；(c)形成导热金属的比较厚的层(28)邻近该至少一层第一接触，该较厚的层(28)不经构图而形成，构图随后进行；以及(d)去除该衬底(12)。
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公开(公告)号：CN1839470A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN03827089.7
申请日：2003-09-19
申请人： 霆激科技股份有限公司
发明人： 康学军 , 吴大可 , 爱德华·罗伯特·佩里
IPC分类号： H01L21/4763 , H01L21/285 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L31/024 , H01L31/052 , H01L31/18 , H01S5/024
摘要： 本发明公开了一种用于在衬底上制作发光器件的方法，所述发光器件具有包括多个外延层的晶片和处在外延层上的远离衬底的第一欧姆接触层。该方法包括以下步骤：(a)向欧姆接触层施加导热金属的种子层；(b)在种子层上电镀相对较厚的导热金属层；以及(c)移去衬底。本发明还公开了相应的发光器件。发光器件是GaN发光二极管或激光二极管。
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公开(公告)号：CN101335320A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810134334.2
申请日：2003-09-19
申请人： 霆激科技股份有限公司
摘要： 一种用于制作发光器件的方法，所述方法包括的步骤为：(a)提供包括衬底(12)的晶片(10)以及安装在该衬底(12)上的多个外延层(14)，该多个外延层(14)包括其中能够产生光的有源区；(b)形成与该衬底(12)相对的图案(26)；以及(c)在该图案(26)之间形成导热金属的比较厚的层(28)。
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公开(公告)号：CN1860599A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN03827175.3
申请日：2003-09-19
申请人： 霆激科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/4763 , H01L21/285 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L31/024 , H01L31/052 , H01L31/18 , H01S5/024
CPC分类号： H01L21/28575 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0213 , H01S5/0217 , H01S5/02461 , H01S5/0421 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 一种在衬底上制造半导体器件的方法，该半导体具有晶片。所述方法包括的步骤为：(a)将导热金属的籽层施加到所述晶片；(b)在所述籽层上电镀传导金属的比较厚的层；和(c)去除所述衬底。还公开了相应的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101335320B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810134334.2
申请日：2003-09-19
申请人： 霆激科技股份有限公司
摘要： 一种用于制作发光器件的方法，所述方法包括的步骤为：(a)提供包括衬底(12)的晶片(10)以及安装在该衬底(12)上的多个外延层(14)，该多个外延层(14)包括其中能够产生光的有源区；(b)形成与该衬底(12)相对的图案(26)；以及(c)在该图案(26)之间形成导热金属的比较厚的层(28)。
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