公开(公告)号：CN101589471B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780049284.1

申请日：2007-01-04

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 叶夫根尼·斯特凡诺夫 ,  阿兰·德朗 ,  让-米歇尔·雷内斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括提供衬底(4)，在衬底(4)上方提供第一导电类型的半导体层(6)，在半导体层(6)中形成第一导电类型的第一区(8)，以及在半导体层(6)上方和第一区(8)的一部分上方形成栅(26)。该栅标示出第二导电类型的器件的表面(10)的第一部分(58)的外形，掺杂剂被提供到标示出外形的第一部分(58)，以在半导体层(6)中提供第二区(12)。将第一区(8)和第二区(12)驱入到半导体层，以便形成第一导电类型的预先控制区(8)和第一导电类型的渐变体区(12)，其中，第一导电类型的预先控制区(8)在栅(26)的一部分下方延伸，并且第一导电类型的渐变体区(12)在预先控制区(8)下方延伸。通过向标示出外形的第一部分(58)提供第二导电类型的掺杂剂，来形成体区(14)。

公开(公告)号：CN101589471A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200780049284.1

申请日：2007-01-04

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 叶夫根尼·斯特凡诺夫 ,  阿兰·德朗 ,  让-米歇尔·雷内斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括提供衬底(4)，在衬底(4)上方提供第一导电类型的半导体层(6)，在半导体层(6)中形成第一导电类型的第一区(8)，以及在半导体层(6)上方和第一区(8)的一部分上方形成栅(26)。该栅标示出第二导电类型的器件的表面(10)的第一部分(58)的外形，掺杂剂被提供到标示出外形的第一部分(58)，以在半导体层(6)中提供第二区(12)。将第一区(8)和第二区(12)驱入到半导体层，以便形成第一导电类型的预先控制区(8)和第一导电类型的渐变体区(12)，其中，第一导电类型的预先控制区(8)在栅(26)的一部分下方延伸，并且第一导电类型的渐变体区(12)在预先控制区(8)下方延伸。通过向标示出外形的第一部分(58)提供第二导电类型的掺杂剂，来形成体区(14)。

公开(公告)号：CN105915200A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610098979.X

申请日：2016-02-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 叶夫根尼·斯特凡诺夫 ,  爱德华·丹尼斯·德弗莱萨特 ,  休伯特·米歇尔·格朗德里

IPC: H03K17/08 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/086 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H03K17/102 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0009 ,  H03K2217/0018 ,  H03K17/08 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了晶体管体控制电路和集成电路。集成电路包括用于控制双向功率晶体管的体的晶体管体控制电路。所述晶体管体控制电路包括可连接到体端子和第一电流端子之间的开关，其具有用于控制流动通过所述开关的电流的控制端子。所述开关的所述控制端子被连接到交流AC电容性分压器。所述AC电容性分压器被连接到所述控制终并且被布置成控制所述开关，以根据所述第一电流端子和所述第二电流端子之间的电压来切换所述体端子的电压。所述集成电路还包括被连接到所述晶体管体控制电路的双向功率晶体管。

公开(公告)号：CN101512738B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200680055897.1

申请日：2006-09-22

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 让-米歇尔·雷内斯 ,  菲利普·兰斯 ,  叶夫根尼·斯特凡诺夫 ,  杨·韦伯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66719 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804

Abstract: 一种半导体器件装置包括半导体器件(11)和注入器器件(13)。半导体器件(11)包括第一传导性类型的第一电流电极区(16)、第一传导性类型的第二电流电极区(4)、第一和第二电流电极区之间的漂移区(6)，以及在漂移区中形成的第二传导性类型的至少一个浮置区(5、9)。注入器器件(13)被设置成：当半导体器件被接通时接收激活信号，以及响应于接收到激活信号将第二传导性类型的电荷载流子注入到漂移区(6)和至少一个浮置区(5、9)中。

公开(公告)号：CN101512738A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680055897.1

申请日：2006-09-22

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 让-米歇尔·雷内斯 ,  菲利普·兰斯 ,  叶夫根尼·斯特凡诺夫 ,  杨·韦伯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66719 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804

Abstract: 一种半导体器件装置包括半导体器件(11)和注入器器件(13)。半导体器件(11)包括第一传导性类型的第一电流电极区(16)、第一传导性类型的第二电流电极区(4)、第一和第二电流电极区之间的漂移区(6)，以及在漂移区中形成的第二传导性类型的至少一个浮置区(5、9)。注入器器件(13)被设置成：当半导体器件被接通时接收激活信号，以及响应于接收到激活信号将第二传导性类型的电荷载流子注入到漂移区(6)和至少一个浮置区(5、9)中。