公开(公告)号：CN103093831B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210426250.2

申请日：2012-10-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 何晨 ,  理查德·K·埃谷奇 ,  王艳卓

IPC: G11C29/12

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C16/00 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/4401 ,  G11C2029/0409

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器的基准电流的内置自微调机制，通过该内置微调机制，产品的可靠性能够通过使用于访问非易失性存储器以及用于执行对基准电流的初始微调的基准电流的漂移最小化来提高。实施例通过以下操作来执行这些任务：使用模数转换器（330，530）来提供基准电流（Iref）的数字表示，然后将该数字表示与Iref的所存储的目标范围值比较，并且然后相应地调整Iref的源。对于由NVM基准位单元（310）生成的基准电流，编程或擦除脉冲被施加于基准单元，作为微调过程的一部分。对于由基于带隙的电路（510）生成的基准电流，比较结果能够被用来调整基准电流电路。另外，环境因素（例如，温度）能够被用来调整基准电流的测量值和目标范围值。

公开(公告)号：CN104299649A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410319221.5

申请日：2014-07-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 何晨 ,  王艳卓 ,  穆甫臣

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/06

Abstract: 公开了NVM系统(100)内的非易失性存储器NVM单元(210)的自适应擦除恢复的方法和系统。所述自适应擦除恢复实施例基于要擦除的一个或多个NVM块尺寸和操作温度，自适应地调整所述擦除恢复放电速率(112)和/或放电时间(114)。在一个示例实施例中，通过调整所述放电电路(150)内的开启的放电晶体管(502/532)的数量调整所述擦除恢复放电速率(112)，从而调整了擦除恢复的放电电流。使用查找表(116)存储与要恢复的NVM块尺寸和/或操作温度关联的擦除恢复放电速率和/或放电时间。通过自适应地控制擦除恢复放电速率和/或时间，所公开的实施例改进了宽范围NVM块尺寸的总体擦除性能，同时避免了可能对所述NVM系统内高电压电路的损坏。

公开(公告)号：CN103226978A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310031119.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 穆甫臣 ,  王艳卓

IPC: G11C16/14 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0416 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/349 ,  H01L21/28273

Abstract: 提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元（18）的阵列（12）。每个存储器单元包括隧穿电介质（26）、包括第一电流电极（28）和第二电流电极（30）的阱区域、以及控制栅极（20）。第一和第二电流电极与隧穿电介质（26）的一侧相邻，控制栅极与隧穿电介质的另一侧相邻。控制器（16）耦合到存储器单元（18）。控制器（16）包括一逻辑以确定何时执行存储器单元（18）中的隧穿电介质（26）的治愈过程且在治愈过程中施加第一电压至存储器单元（18）的第一电流电极（28）以从隧穿电介质（26）去除俘获的电子和空穴。

公开(公告)号：CN103093831A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210426250.2

申请日：2012-10-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 何晨 ,  理查德·K·埃谷奇 ,  王艳卓

IPC: G11C29/12

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C16/00 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/4401 ,  G11C2029/0409

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器的基准电流的内置自微调机制，通过该内置微调机制，产品的可靠性能够通过使用于访问非易失性存储器以及用于执行对基准电流的初始微调的基准电流的漂移最小化来提高。实施例通过以下操作来执行这些任务：使用模数转换器（330，530）来提供基准电流（Iref）的数字表示，然后将该数字表示与Iref的所存储的目标范围值比较，并且然后相应地调整Iref的源。对于由NVM基准位单元（310）生成的基准电流，编程或擦除脉冲被施加于基准单元，作为微调过程的一部分。对于由基于带隙的电路（510）生成的基准电流，比较结果能够被用来调整基准电流电路。另外，环境因素（例如，温度）能够被用来调整基准电流的测量值和目标范围值。