公开(公告)号：CN102597975B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080048571.2

申请日：2010-10-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： T·J·施特劳斯 ,  K·K·泰勒

IPC: G06F13/10 ,  G06F13/14 ,  G11C16/10 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/22 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3459 ,  G11C2216/26

Abstract: 将可编程存储器装置(104)的一部分配置为一次性可编程(OTP)存储器，其中响应于针对存储器装置的写入访问，存储器控制器(118)确定该写入访问是否与指定为OTP存储器位置的存储器位置相关联(404)。如果是，则该存储器控制器执行对该存储器位置的读取(408)，并且只有在该存储器位置的每一个存储器单元处于未编程状态时才允许该写入访问(410)。由此，仅准许针对OTP存储器位置的单一写入访问，而不允许随后的写入尝试。而且，为增强对已编程单元的检测，对该OTP存储器位置的读取以比和针对非OTP存储器位置的写入访问(407)相关联的读取电压低的读取电压来执行，由此改进对该OTP存储器位置中的已编程存储器单元的检测。

公开(公告)号：CN104036811A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410060883.5

申请日：2014-02-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·K·埃谷奇 ,  J·S·朝伊 ,  何晨 ,  K·K·泰勒

IPC: G11C7/04

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/04 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30 ,  G11C16/349

Abstract: 本发明涉及基于温度的自适应擦除或编程并行性。一种方法，在一个实施方案中包括通过使用电荷泵（220）的电压执行存储操作以将存储阵列（201）的存储单元置于第一逻辑状态（514，714）。一部分所述操作是通过使用所述电荷泵的所述电压在所述存储单元上执行的。所述存储阵列的温度和阈值（503，703）进行比较。如果所述温度高于参考水平，所述电荷泵上的负载通过仅仅给减小数量的存储单元提供所述电压而被减小。

公开(公告)号：CN102597975A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048571.2

申请日：2010-10-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： T·J·施特劳斯 ,  K·K·泰勒

IPC: G06F13/10 ,  G06F13/14 ,  G11C16/10 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/22 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3459 ,  G11C2216/26

Abstract: 将可编程存储器装置(104)的一部分配置为一次性可编程(OTP)存储器，其中响应于针对存储器装置的写入访问，存储器控制器(118)确定该写入访问是否与指定为OTP存储器位置的存储器位置相关联(404)。如果是，则该存储器控制器执行对该存储器位置的读取(408)，并且只有在该存储器位置的每一个存储器单元处于未编程状态时才允许该写入访问(410)。由此，仅准许针对OTP存储器位置的单一写入访问，而不允许随后的写入尝试。而且，为增强对已编程单元的检测，对该OTP存储器位置的读取以比和针对非OTP存储器位置的写入访问(407)相关联的读取电压低的读取电压来执行，由此改进对该OTP存储器位置中的已编程存储器单元的检测。