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公开(公告)号:CN104036811A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410060883.5
申请日:2014-02-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G11C7/04
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/04 , G11C16/14 , G11C16/30 , G11C16/349
Abstract: 本发明涉及基于温度的自适应擦除或编程并行性。一种方法,在一个实施方案中包括通过使用电荷泵(220)的电压执行存储操作以将存储阵列(201)的存储单元置于第一逻辑状态(514,714)。一部分所述操作是通过使用所述电荷泵的所述电压在所述存储单元上执行的。所述存储阵列的温度和阈值(503,703)进行比较。如果所述温度高于参考水平,所述电荷泵上的负载通过仅仅给减小数量的存储单元提供所述电压而被减小。
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公开(公告)号:CN103824592A
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201310573869.0
申请日:2013-11-15
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G11C5/145 , G11C5/14 , G11C16/30 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明涉及使用模数转换器的非易失性存储器强健启动。根据至少一个实施例,片上系统(SOC)(100)上的机上模数转换器(ADC)(104)被用于确定非易失性存储器(NVM)(121)的电荷泵输出(107)是否正确(303)。SOC(100)处于等待,直到输出(107)在移动到启动程序(305)中的下步骤之前位于预期范围内。如果超过了所允许的最大启动时间(304),错误信号被发送到SOC(100),以便应用程序(109)可以对其做出反应(308)。
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