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公开(公告)号：CN110350058B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201910659511.7
申请日：2016-01-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
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公开(公告)号：CN113826218A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080035713.5
申请日：2020-05-11
申请人： 首尔伟傲世有限公司
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L25/075
摘要： 提供了一种发光封装件，所述发光封装件包括：第一LED子单元；第二LED子单元，设置在第一LED子单元上；第三LED子单元，设置在第二LED子单元上；多个连接电极，电连接到第一LED子单元、第二LED子单元和第三LED子单元中的至少一个，所述多个连接电极具有侧表面并覆盖第一LED子单元、第二LED子单元和第三LED子单元中的至少一个的侧表面；第一钝化层，至少围绕所述多个连接电极的侧表面；绝缘层，具有相对的第一表面和第二表面，且第一表面面对LED子单元；以及第一电极，设置在绝缘层的第二表面上并且连接到所述多个连接电极中的至少一个。
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公开(公告)号：CN108110117B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711191300.2
申请日：2017-11-24
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明提供一种具有光阻挡层的发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：基板；半导体层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；以及光阻挡层，为了在基板的上表面限定发光面而覆盖基板的侧面以及上表面。使用光阻挡层可以较容易地调整发光二极管的发光面的大小。
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公开(公告)号：CN111525008A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010361306.5
申请日：2017-12-06
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明提供一种具有侧面反射层的发光二极管。根据一个实施例的发光二极管包括：基板，具有侧面；半导体叠层，布置于所述基板下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，布置于所述欧姆反射层下部，分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；侧面反射层，覆盖所述基板的侧面；以及粗糙度缓冲层，夹设于所述基板的侧面与所述侧面反射层之间。
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公开(公告)号：CN110600593A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910834913.6
申请日：2013-10-22
申请人： 首尔伟傲世有限公司
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/08 , H01L25/075
摘要： 本发明提供一种发光二极管。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
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公开(公告)号：CN104733365B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410804463.3
申请日：2014-12-19
申请人： 首尔伟傲世有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02647 , C30B25/18 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/22 , Y10T117/10
摘要： 本发明公开一种半导体生长用模板、基板分离方法及发光元件制造方法。所述半导体生长用模板包括：生长基板；种子层，位于所述生长基板上，并且包括一个以上的沟槽，其中，所述沟槽包括上部沟槽及下部沟槽，所述上部沟槽的宽度可小于所述下部沟槽的宽度。根据本发明，可利用应力剥离容易地从外延层分离生长基板。
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公开(公告)号：CN105074941A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201380072266.0
申请日：2013-10-22
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 揭露一种发光二极管和其应用。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
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公开(公告)号：CN104521012A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380042047.8
申请日：2013-08-06
申请人： 首尔伟傲世有限公司
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： 公开了一种晶圆级发光二极管阵列以及一种用于制造该晶圆级发光二极管阵列的方法。该发光二极管阵列包括：生长基板；多个发光二极管，排列在基板上，其中，多个发光二极管中的每个发光二极管包括第一半导体层、有源层、第二半导体层；以及多个上电极，排列在多个发光二极管上并且由彼此相同的材料形成，其中，多个上电极电连接到对应的发光二极管的第一半导体层。另外，至少一个上电极电连接到与其相邻的发光二极管的第二半导体层，并且另一个上电极同与其相邻的发光二极管的第二半导体层绝缘。因此，提供了一种能够在高电压下运作并具有简化的制造工艺的发光二极管阵列。
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公开(公告)号：CN114600240A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080075493.9
申请日：2020-10-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/00
摘要： 根据一实施例的发光元件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；以及第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件，其中，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一粘合层及第二粘合层中的一个是电连接与其相邻的发光堆叠件的导电性粘合层。
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公开(公告)号：CN114467178A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080068801.5
申请日：2020-10-21
申请人： 首尔伟傲世有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/56
摘要： 根据一实施例的显示装置包括：显示基板；多个发光元件，布置于所述显示基板上；以及注塑层，覆盖所述发光元件的侧表面并暴露上表面，其中，所述发光元件包括：第一LED子单元；第二LED子单元，布置于所述第一LED子单元上；以及第三LED子单元，布置于所述第二LED子单元上，所述第三LED子单元布置为比所述第一LED子单元更近于所述发光元件的上表面。
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