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公开(公告)号：CN110350058B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201910659511.7
申请日：2016-01-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
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公开(公告)号：CN104011886B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280064137.2
申请日：2012-12-21
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/0008 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： 本发明公开一种发光二极管及其制造方法。根据本发明的一种形态的发光二极管，包括：第一导电型覆盖层；光散射图案，位于所述第一导电型覆盖层内，且折射率与所述第一导电型覆盖层的折射率不同；活性层，位于所述第一导电型覆盖层下部；第二导电型覆盖层，位于所述活性层下部；第一电极，电连接于所述第一导电型覆盖层上；第二电极，电连接于所述第二导电型覆盖层上。借助于光散射图案而可以改善光提取效率。
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公开(公告)号：CN104851952A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510229202.8
申请日：2011-05-18
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
摘要： 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
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公开(公告)号：CN105895770B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610286085.3
申请日：2011-05-18
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
摘要： 本发明涉及一种发光二极管(LED)。根据实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，覆盖半导体堆叠件，其中，基底包括包含W和Mo中的至少一种的第二金属层以及分别布置在第二金属层的第一表面和第二表面上的第三金属层，第三金属层的热膨胀系数比第二金属层的热膨胀系数高。
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公开(公告)号：CN107251240A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010321.7
申请日：2016-01-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
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公开(公告)号：CN104851952B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510229202.8
申请日：2011-05-18
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
摘要： 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
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公开(公告)号：CN110350058A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910659511.7
申请日：2016-01-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
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公开(公告)号：CN107251240B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201680010321.7
申请日：2016-01-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
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公开(公告)号：CN105895770A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610286085.3
申请日：2011-05-18
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
摘要： 本发明涉及一种发光二极管(LED)。根据实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，覆盖半导体堆叠件，其中，基底包括包含W和Mo中的至少一种的第二金属层以及分别布置在第二金属层的第一表面和第二表面上的第三金属层，第三金属层的热膨胀系数比第二金属层的热膨胀系数高。
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公开(公告)号：CN102255022B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110140245.0
申请日：2011-05-18
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
摘要： 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
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