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公开(公告)号：CN109314930A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780038828.8
申请日：2017-05-24
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 本申请涉及在用户设备(UE)处采集传感器数据。所述的方面包括接收表示对启动一个或多个传感器的请求的第一输入。所述的方面还包括响应于接收到第一输入而由在UE处的控制器启动所述一个或多个传感器。此外，所述的方面还包括响应于启动所述一个或多个传感器而从所述一个或多个传感器中的每一个接收传感器数据。所述的方面包括确定是否已经满足传感器调整条件。另外，所述的方面还包括基于确定已经满足传感器调整条件而调整所述一个或多个传感器的采集特性。
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公开(公告)号：CN103380497A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009506.8
申请日：2012-02-17
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/402 , H01L29/42384 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L29/78624 , H01L29/78645
摘要： 本发明公开了高速高功率半导体器件。在一示例性设计中，高速高功率半导体器件包括源极、用于提供输出信号的漏极以及用于接收输入信号的有源栅极。该半导体器件进一步包括位于该有源栅极和该漏极之间的至少一个场栅极、被形成为横交于该至少一个场栅极的至少一个浅沟槽隔离（STI）条、以及平行于该至少一个STI条并与该至少一个STI条交替出现地形成的至少一个漏极有源条。该半导体器件可通过有源FET和MOS变容器的组合来建模。该有源栅极控制该有源FET，而该至少一个场栅极控制该MOS变容管。该半导体器件具有低电阻并且能处理高电压。
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公开(公告)号：CN109314930B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201780038828.8
申请日：2017-05-24
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 本申请涉及在用户设备(UE)处采集传感器数据。所述的方面包括接收表示对启动一个或多个传感器的请求的第一输入。所述的方面还包括响应于接收到第一输入而由在UE处的控制器启动所述一个或多个传感器。此外，所述的方面还包括响应于启动所述一个或多个传感器而从所述一个或多个传感器中的每一个接收传感器数据。所述的方面包括确定是否已经满足传感器调整条件。另外，所述的方面还包括基于确定已经满足传感器调整条件而调整所述一个或多个传感器的采集特性。
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公开(公告)号：CN117957467A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280062818.9
申请日：2022-08-02
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种距离估计器确定至少一个码序列；使得至少一个光源向一个或多个目标发送该至少一个码序列作为至少一个经编码光传输，其中该至少一个码序列在该至少一个经编码光传输中被编码为随时间变化的基于幅度的码、或随时间变化的基于波长的码或其组合；使得在至少一个传感器处从该一个或多个目标接收该至少一个经编码光传输的反射版本作为反射光信号；将该反射光信号与该至少一个码序列相关，以生成该至少一个经编码光传输的飞行时间值；以及基于该飞行时间值生成针对该至少一个经编码光传输的距离估计。
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公开(公告)号：CN103380497B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280009506.8
申请日：2012-02-17
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/402 , H01L29/42384 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L29/78624 , H01L29/78645
摘要： 公开了高速高功率半导体器件。在一示例性设计中，高速高功率半导体器件包括源极、用于提供输出信号的漏极以及用于接收输入信号的有源栅极。该半导体器件进一步包括位于该有源栅极和该漏极之间的至少一个场栅极、被形成为横交于该至少一个场栅极的至少一个浅沟槽隔离（STI）条、以及平行于该至少一个STI条并与该至少一个STI条交替出现地形成的至少一个漏极有源条。该半导体器件可通过有源FET和MOS变容器的组合来建模。该有源栅极控制该有源FET，而该至少一个场栅极控制该MOS变容管。该半导体器件具有低电阻并且能处理高电压。
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