公开(公告)号：CN108028064B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201680054943.X

申请日：2016-09-21

申请人： ARM 有限公司

发明人： 阿齐兹·巴夫纳加尔瓦拉 ,  罗伯特·坎贝尔·艾特肯 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 公开了用于双非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。在实施例中，通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将串联耦合的一对非易失性存储器设备置于互补存储器状态中。

公开(公告)号：CN110709935A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880033755.8

申请日：2018-05-30

申请人： ARM有限公司

发明人： 格伦·阿诺德·罗森代尔 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

摘要： 本技术通常涉及相关电子材料(CEM)器件的制造，该相关电子材料器件用于例如从电阻存储元件读取或对电阻式存储器元件写入。在实施例中，通过限制流过CEM器件的电流，CEM器件可以在不存在莫特转变和/或类莫特转变的情况下以引起CEM器件的对称类二极管操作的方式进行操作。

公开(公告)号：CN108028064A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054943.X

申请日：2016-09-21

申请人： ARM 有限公司

发明人： 阿齐兹·巴夫纳加尔瓦拉 ,  罗伯特·坎贝尔·艾特肯 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/75

摘要： 公开了用于双非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。在实施例中，通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将串联耦合的一对非易失性存储器设备置于互补存储器状态中。

公开(公告)号：CN110800121A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880043755.6

申请日：2018-07-03

申请人： ARM有限公司

发明人： 卡洛斯·阿劳霍 ,  约兰塔·克林斯卡 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本文公开的主题可以涉及关联电子材料(CEM)器件的构造。在特定实施例中，在形成包含过渡金属氧化物(TMO)材料和掺杂剂的层的膜之后，可以使该膜的至少一部分暴露于升高的温度。使该膜的至少一部分暴露于升高的温度可以继续直到膜内的掺杂剂的原子浓度被降低为止，这可以使得所述膜能够作为展示阻抗状态的切换的关联电子材料CEM来操作。

公开(公告)号：CN110073506A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201780076883.6

申请日：2017-12-18

申请人： ARM有限公司

发明人： 金柏莉·盖伊·里德 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本技术一般涉及结合制造相关电子材料形成成核层，该相关电子材料例如用于执行开关功能。在实施例中，描述了使用气态形式的金属前驱物将过渡金属例如沉积在包括贵金属的导电衬底上的过程。导电衬底可以暴露于还原剂，还原剂可以操作用于将金属前驱物的配体转化为气态形式。沉积在贵金属上的前驱物的剩余金属部分可允许在导电衬底之上生长CEM膜。

公开(公告)号：CN110036496A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201780074027.7

申请日：2017-11-30

申请人： ARM有限公司

发明人： 卡洛斯·阿尔韦托·巴斯·德·阿劳约 ,  卓兰塔·博泽纳·赛琳斯卡 ,  金柏莉·盖伊·里德 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

摘要： 本技术通常涉及制造相关电子材料(CEM)开关。在实施例中，描述了如下处理，其中可以在绝缘材料(210)上或上方形成导电迹线(222)。响应于在绝缘材料中形成空隙(230)，可以将与空隙接触的导电迹线的局部部分暴露于气态氧化剂(221)，其可以将导电迹线的局部部分(240)转换为CEM。在实施例中，可以在空隙内沉积电极材料(250)，以接触被转换为CEM的导电迹线的局部部分(240)。

公开(公告)号：CN110024152A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780073490.X

申请日：2017-12-05

申请人： ARM有限公司

发明人： 卢西恩·斯弗恩 ,  金柏莉·盖伊·里德 ,  格雷戈里·芒森·耶里克

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本技术一般涉及相关电子材料(CEM)器件(300)的制造。在实施例中，在形成一个或多个CEM迹线(330，331)之后，沉积间隔物以与一个或多个CEM迹线接触。间隔物用于通过补充在随后的工艺期间可能损失的掺杂物和/或通过形成密封件以减少来自一个或多个CEM迹线的掺杂物的进一步损失来控制一个或多个CEM迹线内的掺杂物的原子浓度。

公开(公告)号：CN109564969A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780048726.4

申请日：2017-08-10

申请人： ARM有限公司

发明人： 金柏莉·盖伊·里德 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1266 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1641 ,  H01L49/003

摘要： 本技术总体涉及制造分层的相关电子材料(CEM)，其中，第一组一个或多个层可以包括第一浓度的掺杂剂物质，并且其中，第二组一个或多个层可以包括第二浓度的掺杂物质。在其他实施例中，CEM可以包括渐变浓度的掺杂剂物质的一个或多个区域。

公开(公告)号：CN108140413B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201680059062.7

申请日：2016-08-12

申请人： ARM有限公司

发明人： 罗伯特·坎贝尔·艾特肯 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 公开了用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。在一个实施例中，通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将非易失性存储器设备置于多个存储器状态中的任一存储器状态中。例如，写入操作可在非易失性存储器设备的端子上施加具有特定电流和特定电压的编程信号以用于将非易失性存储器设备置于特定存储器状态。

公开(公告)号：CN109791789A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780057661.X

申请日：2017-10-24

申请人： ARM有限公司

发明人： 阿齐兹·巴夫纳加尔瓦拉 ,  卢西恩·斯弗恩 ,  皮尤什·阿加瓦尔 ,  阿克舍·库马尔 ,  罗伯特·坎贝尔·艾特肯

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

摘要： 公开了用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。在一个实施例中，在写操作中相关电子开关(CES)设备可以被置于多个存储器状态中的任何一个中。在两阶段操作期间，多个位单元可以连接到公共源电压，以将各个位单元置于预期的阻抗状态。