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公开(公告)号：CN119882354A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411723461.1
申请日：2019-10-22
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。另一装置包括修改表面，修改表面包括形成减小的接触表面积以减少物体对修改表面的粘附的沟和脊，脊具有弹性性质，当多个脊弹性变形时，弹性性质导致减小的接触表面积增加。
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公开(公告)号：CN112969966B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201980071950.4
申请日：2019-10-22
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。另一装置包括修改表面，修改表面包括形成减小的接触表面积以减少物体对修改表面的粘附的沟和脊，脊具有弹性性质，当多个脊弹性变形时，弹性性质导致减小的接触表面积增加。
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公开(公告)号：CN112020677A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980028130.7
申请日：2019-04-03
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： S·R·惠斯曼 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , 林宇翔 , V·Q·特兰 , S·A·戈登 , J·L·克鲁泽 , C·J·马松 , I·M·P·阿尔茨 , K·肖梅 , I·策玛
Abstract: 对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
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公开(公告)号：CN101910950B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880122556.0
申请日：2008-12-18
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： C·J·马松
CPC classification number: G03F7/7085 , G01D5/34746 , G03F7/70291 , G03F7/70775
Abstract: 一种系统和方法被用于确定装置的参数(例如角度、位置、取向等)。第一部分包括辐射源，所述辐射源配置用以产生辐射束，所述辐射束被引导成从装置的反射部分反射。第二部分耦合到所述第一部分，并包括测量装置和可选的探测器，使得所述被反射的束透射通过所述测量装置到所述探测器上。基于所述被反射的束与所述测量装置的相互作用确定所述装置的参数。在一个示例中，第一和第二部分可以形成折叠光学编码器，其测量光刻设备内的扫描反射镜的角度或台的位置或取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113614642A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022466.5
申请日：2020-03-13
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , B82Y35/00 , G01B7/34 , G01Q20/02 , G01Q60/04 , B23K26/04 , G01B9/02 , G01B11/22 , G01Q60/22 , H01L21/687
Abstract: 一种用于去除物体的一部分的装置包括平台、量测设备、材料去除装置和致动器。量测设备包括辐射源、光学系统和检测器。材料去除装置包括细长元件和在细长元件的端部处的尖锐元件。平台支撑物体。辐射源生成辐射。光学系统将辐射指向物体的该部分。检测器接收被物体的该部分散射的辐射并且基于所接收的辐射输出数据。该数据包括物体的该部分的位置。致动器移动材料去除装置使得尖锐元件设置在物体的该部分的位置上。该装置在物体的该部分上施加力使得物体的该部分可以被移除。
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公开(公告)号：CN112969966A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980071950.4
申请日：2019-10-22
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。另一装置包括修改表面，修改表面包括形成减小的接触表面积以减少物体对修改表面的粘附的沟和脊，脊具有弹性性质，当多个脊弹性变形时，弹性性质导致减小的接触表面积增加。
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公开(公告)号：CN112020677B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201980028130.7
申请日：2019-04-03
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： S·R·惠斯曼 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , 林宇翔 , V·Q·特兰 , S·A·戈登 , J·L·克鲁泽 , C·J·马松 , I·M·P·阿尔茨 , K·肖梅 , I·策玛
Abstract: 对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
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公开(公告)号：CN114746806A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080080189.3
申请日：2020-11-18
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
Abstract: 描述了一种用于将图案成像到衬底上的源掩模优化或仅掩模优化方法。该方法包括：针对来自照射源的照射，确定非均匀照射强度分布；以及基于非均匀照射强度分布，确定对图案的一个或多个调节，直到确定图案化到衬底上的特征与目标设计基本匹配。可以基于照射源和光刻设备的投影光学器件来确定非均匀照射强度分布。在一些实施例中，投影光学器件包括狭缝，并且非均匀照射分布是贯通狭缝非均匀照射强度分布。例如，确定对图案的一个或多个调节可以包括执行光学邻近校正。
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公开(公告)号：CN101910950A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122556.0
申请日：2008-12-18
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： C·J·马松
CPC classification number: G03F7/7085 , G01D5/34746 , G03F7/70291 , G03F7/70775
Abstract: 一种系统和方法被用于确定装置的参数(例如角度、位置、取向等)。第一部分包括辐射源，所述辐射源配置用以产生辐射束，所述辐射束被引导成从装置的反射部分反射。第二部分耦合到所述第一部分，并包括测量装置和可选的探测器，使得所述被反射的束透射通过所述测量装置到所述探测器上。基于所述被反射的束与所述测量装置的相互作用确定所述装置的参数。在一个示例中，第一和第二部分可以形成折叠光学编码器，其测量光刻设备内的扫描反射镜的角度或台的位置或取向。
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