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公开(公告)号：CN110249408A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201780085713.4
申请日：2017-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·C·J·德兰根 , M·N·J·范科温克 , V·S·凯珀
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种包括半导体芯片的电子器件，半导体芯片包括形成在半导体芯片中的多个结构，其中半导体芯片是半导体芯片集合的成员，半导体芯片集合包括半导体芯片的多个子集，并且半导体芯片是仅一个子集的成员。半导体芯片的多个结构包括对于半导体芯片集合中的所有半导体芯片都相同的公共结构的集合以及非公共结构的集合，子集中的半导体芯片的非公共结构不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共结构。至少非公共结构的第一部分和公共结构的第一部分形成第一非公共电路，并且每个子集中的半导体芯片的第一非公共电路不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共电路。至少非公共结构的第二部分适于存储或生成唯一地识别第一非公共电路的第一预定值，其中第一预定值可通过自动读取装置从半导体芯片外读取。
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公开(公告)号：CN119422223A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048916.1
申请日：2023-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种评估方法，包括：使用评估装置以生成表示样品表面的属性的评估信号；处理评估信号以标识候选缺陷并输出候选缺陷信号；针对错误条件而监视评估装置的状态并生成指示在评估装置的运行期间的任何错误条件的状态信号；以及分析候选缺陷信号以确定候选缺陷是否为真实缺陷；其中如果状态信号指示评估信号和/或与候选缺陷相对应的候选缺陷信号已受到错误条件的影响，则对候选缺陷的分析未完成。
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公开(公告)号：CN110249408B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780085713.4
申请日：2017-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·C·J·德兰根 , M·N·J·范科温克 , V·S·凯珀
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种包括半导体芯片的电子器件，半导体芯片包括形成在半导体芯片中的多个结构，其中半导体芯片是半导体芯片集合的成员，半导体芯片集合包括半导体芯片的多个子集，并且半导体芯片是仅一个子集的成员。半导体芯片的多个结构包括对于半导体芯片集合中的所有半导体芯片都相同的公共结构的集合以及非公共结构的集合，子集中的半导体芯片的非公共结构不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共结构。至少非公共结构的第一部分和公共结构的第一部分形成第一非公共电路，并且每个子集中的半导体芯片的第一非公共电路不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共电路。至少非公共结构的第二部分适于存储或生成唯一地识别第一非公共电路的第一预定值，其中第一预定值可通过自动读取装置从半导体芯片外读取。
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公开(公告)号：CN119487604A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051435.6
申请日：2023-09-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/20
Abstract: 本发明提供了一种带电粒子装置，用于向多个样品投射多个束栅格的带电粒子束。该装置包括：载物台，被配置为在相应样品位置处支撑多个样品；以及带电粒子器件的阵列，带电粒子器件分别被配置为将束栅格中的多个带电粒子束投射到相应样品位置。带电粒子器件分别包括物镜的阵列和检测器，物镜被配置为将带电粒子器件的束栅格的相应光束引导到相应样品位置处的样品上，并且检测器被配置为检测来自该样品的信号粒子。载物台被配置为相对于带电粒子器件的阵列被致动。载物台和带电粒子器件的阵列被配置成使得带电粒子器件的阵列相对于所述多个样品同时进行扫描。
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公开(公告)号：CN118435312A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084054.3
申请日：2022-11-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/28 , H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 公开了处理样品的方法和带电粒子评估系统。在一种布置中，样品使用带电粒子的子束中的多束来处理。子束可处理区的至少一部分利用每个子束来处理。子束可处理区包括具有区段的行和区段的列的区段阵列。每个区段的行限定细长区域，该细长区域基本上等于或小于多束中的子束在样品表面处的节距。区段中的多个区段被处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114355733B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210036020.9
申请日：2017-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·N·J·范科温克 , V·S·凯珀 , M·J-J·维兰德
IPC: G03F7/20
Abstract: 使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法。该方法包括生成小束控制数据，用于控制无掩模图案写入器来曝光晶片以用于电子器件的创建，其中基于特征数据集生成小束控制数据，该特征数据集定义能够被选择用于对电子器件进行个性化的特征，其中根据小束控制数据对晶片的曝光导致曝光图案，该图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自特征数据集的特征的不同选择。
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公开(公告)号：CN110268330A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201780086059.9
申请日：2017-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·N·J·范科温克 , V·S·凯珀 , M·J-J·维兰德
Abstract: 使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法。该方法包括生成小束控制数据，用于控制无掩模图案写入器来曝光晶片以用于电子器件的创建，其中基于特征数据集生成小束控制数据，该特征数据集定义能够被选择用于对电子器件进行个性化的特征，其中根据小束控制数据对晶片的曝光导致曝光图案，该图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自特征数据集的特征的不同选择。
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公开(公告)号：CN119404284A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048523.0
申请日：2023-07-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/28 , H01J37/26 , H01J37/21 , G03F9/00
Abstract: 公开了用于获得关于样品表面的形貌信息的设备和方法。在一种布置中，感测系统包括用于测量样品表面的相应部分的位置的一组近端传感器、以及比近端传感器更远离多束的子束路径定位的远端传感器。远端传感器测量样品表面的一部分相对于远端传感器的位置。控制系统控制带电粒子设备以使用多束在可多束处理的区域中处理样品表面。一个阶段使得可多束处理的区域沿着样品的参考系中的处理路径移动。在可多束处理的区域到达处理路径的选定部分之前，感测系统至少使用远端传感器来在处理路径的选定部分中的获得关于样品表面的形貌信息。
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公开(公告)号：CN117678048A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050911.8
申请日：2022-07-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于检测由带电粒子评估系统生成的样品图像数据中的缺陷的数据处理设备，该设备包括：第一处理模块，被配置为从所述带电粒子评估系统接收样品图像数据流，样品图像数据流包括表示样品的图像的一系列有序数据点，并且第一处理模块被配置为应用第一缺陷检测测试以选择样品图像数据流的子集作为第一选定数据，其中第一缺陷检测测试是与样品图像数据流的接收并行执行的局部化测试；以及第二处理模块，被配置为接收第一选定数据并应用第二缺陷检测测试以选择第一选定数据的子集作为第二选定数据。
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公开(公告)号：CN116666358A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310629320.2
申请日：2017-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·C·J·德兰根 , M·N·J·范科温克 , V·S·凯珀
IPC: H01L23/544 , G06F21/73 , G06F30/392 , G06F30/394 , H01L23/00
Abstract: 一种包括半导体芯片的电子器件，半导体芯片包括形成在半导体芯片中的多个结构，其中半导体芯片是半导体芯片集合的成员，半导体芯片集合包括半导体芯片的多个子集，并且半导体芯片是仅一个子集的成员。半导体芯片的多个结构包括对于半导体芯片集合中的所有半导体芯片都相同的公共结构的集合以及非公共结构的集合，子集中的半导体芯片的非公共结构不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共结构。至少非公共结构的第一部分和公共结构的第一部分形成第一非公共电路，并且每个子集中的半导体芯片的第一非公共电路不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共电路。
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