公开(公告)号：CN112823398A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201980066955.8

申请日：2019-09-13

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·W·H·德贾格 ,  A·T·A·M·德克森

IPC分类号： G21G1/12 ,  B01D59/48

摘要： 一种组合式富集和放射性同位素生产设备，包括：电子源，所述电子源被布置成提供电子束，所述电子源包括电子注入器和加速器；波荡器，所述波荡器被配置成使用所述电子束来产生辐射束；分子流发生器，所述分子流发生器被配置成提供与辐射束相交的分子流；接收器，所述接收器被配置成接收从分子流选择性接收的分子或离子；以及靶标支撑结构，所述靶标支撑结构被配置成在使用中保持所述电子束入射到其上的靶标。

公开(公告)号：CN101470360B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910002111.5

申请日：2003-11-11

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·T·A·M·德克森 ,  S·N·L·当德斯 ,  C·A·胡根达姆 ,  J·洛夫 ,  E·R·鲁普斯特拉 ,  J·J·S·M·梅坦斯 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  T·F·森格斯 ,  A·斯特拉艾杰 ,  B·斯特里夫克

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F9/7088 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  G03F7/7085

摘要： 一种光刻装置，包括：构造用于保持基底的两个基底台；用于将带图案的辐射束投射到基底的靶部上的投射系统；用于在投射期间向所述投射系统的最终元件和所述基底之间提供液体的液体供给系统；和所述光刻装置被构造和布置为使得所述两个基底台中的一个基底台能够用于基底的曝光，另一个基底台能够用于准备步骤；所述光刻装置被构造和布置以在基底从所述投射系统下离开时保持最终元件与水接触。

公开(公告)号：CN101470360A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200910002111.5

申请日：2003-11-11

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·T·A·M·德克森 ,  S·N·L·当德斯 ,  C·A·胡根达姆 ,  J·洛夫 ,  E·R·鲁普斯特拉 ,  J·J·S·M·梅坦斯 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  T·F·森格斯 ,  A·斯特拉艾杰 ,  B·斯特里夫克

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F9/7088 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  G03F7/7085

摘要： 一种光刻装置，包括：构造用于保持基底的两个基底台；用于将带图案的辐射束投射到基底的靶部上的投射系统；用于在投射期间向所述投射系统的最终元件和所述基底之间提供液体的液体供给系统；和所述光刻装置被构造和布置为使得所述两个基底台中的一个基底台能够用于基底的曝光，另一个基底台能够用于准备步骤；所述光刻装置被构造和布置以在基底从所述投射系统下离开时保持最终元件与水接触。

公开(公告)号：CN100470367C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200310120957.1

申请日：2003-11-11

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： J·洛夫 ,  A·T·A·M·德克森 ,  C·A·胡根达姆 ,  A·科勒斯伊辰科 ,  E·R·鲁普斯特拉 ,  T·M·默德曼 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  R·A·S·里特塞马 ,  K·西蒙 ,  J·T·德斯米特 ,  A·斯特拉艾杰 ,  B·斯特里夫克 ,  H·范桑坦

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  G03F7/7085 ,  G03F9/7088

摘要： 在光刻投射装置中，密封构件围绕投射系统的末端元件和光刻投射装置基底台之间间隙。气密封在所述密封构件和所述基底的表面之间形成，以容纳间隙中的液体。

公开(公告)号：CN1501172A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310120944.4

申请日：2003-11-11

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·T·A·M·德克森 ,  S·N·L·当德斯 ,  C·A·胡根达姆 ,  J·洛夫 ,  E·R·鲁普斯特拉 ,  J·J·S·M·梅坦斯 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  T·F·森格斯 ,  A·斯特拉艾杰 ,  B·斯特里夫克

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/707 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70833 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70916 ,  G03F9/7088

摘要： 在光刻投射装置中，液体供给系统将液体保持在投射系统最终元件与光刻投射装置的基底之间。在基底交换的过程中，提供一个遮光构件以代替基底将液体容纳在液体供给系统中。

公开(公告)号：CN112823398B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980066955.8

申请日：2019-09-13

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·W·H·德贾格 ,  A·T·A·M·德克森

IPC分类号： G21G1/12 ,  B01D59/48

摘要： 一种组合式富集和放射性同位素生产设备，包括：电子源，所述电子源被布置成提供电子束，所述电子源包括电子注入器和加速器；波荡器，所述波荡器被配置成使用所述电子束来产生辐射束；分子流发生器，所述分子流发生器被配置成提供与辐射束相交的分子流；接收器，所述接收器被配置成接收从分子流选择性接收的分子或离子；以及靶标支撑结构，所述靶标支撑结构被配置成在使用中保持所述电子束入射到其上的靶标。

公开(公告)号：CN101424881B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200810168967.5

申请日：2003-11-11

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： J·洛夫 ,  A·T·A·M·德克森 ,  C·A·胡根达姆 ,  A·科勒斯伊辰科 ,  E·R·鲁普斯特拉 ,  T·M·默德曼 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  R·A·S·里特塞马 ,  K·西蒙 ,  J·T·德斯米特 ,  A·斯特拉艾杰 ,  B·斯特里夫克 ,  H·范桑坦

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F9/7088 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  G03F7/7085

摘要： 一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；用于至少部分地将所述投射系统末端元件和所述基底之间的间隙填充液体的液体供给系统所述间隙通过输送管与贮液器以液体方式连接，并且在垂直于液体流动方向的平面中，所述输送管的最小横截面面积至少是其中ΔV是时间tmin内必须从所述间隙清除的液体的容积，L是输送管的长度，η是在所述间隙中液体的粘度，以及ΔPmax是在所述末端元件上的最大允许压力。

公开(公告)号：CN101349876B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810213496.5

申请日：2003-11-11

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·T·A·M·德克森 ,  S·N·L·当德斯 ,  C·A·胡根达姆 ,  J·洛夫 ,  E·R·鲁普斯特拉 ,  J·J·S·M·梅坦斯 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  T·F·森格斯 ,  A·斯特拉艾杰 ,  B·斯特里夫克

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F9/7088 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  G03F7/7085

摘要： 本发明提供了一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；和液体供给系统，所述液体供给系统用于向由所述投射系统的最终元件的表面和所述基底的表面限定的空间提供浸没液体；所述光刻投射装置还包括当所述基底从所述投射系统下移开时，用于保持所述最终元件的所述表面与液体接触的装置。另外提供了一种器件制造方法。

公开(公告)号：CN1264065C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200410043180.8

申请日：2004-05-13

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： B·斯特雷克 ,  J·J·M·巴塞曼斯 ,  H·H·M·科西 ,  A·T·A·M·德克森 ,  S·N·L·当德斯 ,  C·A·胡根达姆 ,  J·洛夫 ,  E·R·鲁斯特拉 ,  J·J·S·M·梅坦斯 ,  F·范德穆伦 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  G·P·M·范努恩 ,  K·西蒙 ,  B·A·斯拉赫克 ,  A·斯特拉艾杰 ,  J·-G·C·范德图恩 ,  M·豪克斯

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/709

摘要： 一种光刻装置，其中将位于投影装置(PL)之下的基底表面的局部区域浸入液体中。使用致动器(314)可以改变基底(W)的表面之上的液体供给装置(310)的高度。控制装置将前馈或回馈控制用于基底(W)的表面高度的输入，以将液体供给装置(310)保持在位于基底(W)的表面之上的预定高度。

公开(公告)号：CN1550905A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410043180.8

申请日：2004-05-13

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： B·斯特雷克 ,  L·P·巴克 ,  J·J·M·巴塞曼斯 ,  H·H·M·科西 ,  A·T·A·M·德克森 ,  S·N·L·当德斯 ,  C·A·胡根达姆 ,  J·洛夫 ,  E·R·鲁斯特拉 ,  J·J·S·M·梅坦斯 ,  F·范德穆伦 ,  J·C·H·穆肯斯 ,  G·P·M·范努恩 ,  K·西蒙 ,  B·A·斯拉赫克 ,  A·斯特拉艾杰 ,  J·-G·C·范德图恩 ,  M·豪克斯

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/709

摘要： 一种光刻装置，其中将位于投影装置(PL)之下的基底表面的局部区域浸入液体中。使用致动器(314)可以改变基底(W)的表面之上的液体供给装置(310)的高度。控制装置将前馈或回馈控制用于基底(W)的表面高度的输入，以将液体供给装置(310)保持在位于基底(W)的表面之上的预定高度。