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公开(公告)号：CN101256365B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810092608.6
申请日：2006-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 光刻装置和器件制造方法，用于湿浸式光刻装置的液体供给系统可以在投影系统的最后一个元件和基底之间提供层流的浸液。控制系统可使溢出的概率最小化，并且引出装置包括配置成使振动最小化的出口阵列。
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公开(公告)号：CN102193333A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110064190.X
申请日：2011-03-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备、光刻设备中的盖和设计光刻设备中的盖的方法。所述光刻设备具有：流体处理结构，所述流体处理结构配置成将浸没流体包含在靠近衬底台和/或位于所述衬底台的凹陷中的所述衬底的上表面的空间中；盖，所述盖包括平坦主体，所述平坦主体在使用中围绕衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘和所述衬底的边缘之间的间隙；和浸没流体薄膜破坏器，配置成在所述衬底台相对于所述流体处理结构的移动期间破坏在所述盖的边缘和被所述流体处理结构包含的浸没流体之间的浸没流体薄膜的形成。
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公开(公告)号：CN1841208A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071533.4
申请日：2006-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·-G·C·范德图恩 , H·布特勒 , H·H·M·科西 , E·H·J·德拉贾 , N·坦卡特 , F·范德穆伦 , M·J·H·弗兰坎 , M·侯克斯 , A·H·阿伦德斯 , M·库帕卢斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种光刻装置，其包括保持基底的基底台和将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统。该光刻装置还包括流体供给系统，用于在基底和投影系统的最后一个透镜元件之间提供流体，和位置控制装置，用于控制该流体供给系统的位置。该位置控制装置配置成在被提供基底的位置量时，通过在基底的位置量上增加位置偏差来确定流体供给系统的期望位置，然后根据该期望位置定位流体供给系统。该位置量包括基底台的位置和/或旋转位置和/或基底高度的高度函数。
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公开(公告)号：CN1752851A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510104095.2
申请日：2005-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·A·胡根达姆 , J·H·W·贾科布斯 , N·坦卡特 , F·范德穆伦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 在扫描浸式光刻装置中，浸液被提供到投影系统和基底之间的空间的一侧上，并从另一侧排出，使得液体的流动基本上与扫描方向垂直。
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公开(公告)号：CN101887219A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010225185.8
申请日：2006-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J-G·C·范德图恩 , H·布特勒 , H·H·M·科西 , E·H·J·德拉贾 , N·坦卡特 , F·范德穆伦 , M·J·H·弗兰坎 , M·侯克斯 , A·H·阿伦德斯 , M·库帕卢斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种光刻装置，其包括保持基底的基底台和将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统。该光刻装置还包括流体供给系统，用于在基底和投影系统的最后一个透镜元件之间提供流体，和位置控制装置，用于控制该流体供给系统的位置。该位置控制装置配置成在被提供基底的位置量时，通过在基底的位置量上增加位置偏差来确定流体供给系统的期望位置，然后根据该期望位置定位流体供给系统。该位置量包括基底台的位置和/或旋转位置和/或基底高度的高度函数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101807011A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010163966.9
申请日：2006-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。用于湿浸式光刻装置的液体供给系统可以在投影系统的最后一个元件和基底之间提供层流的浸液。控制系统可使溢出的概率最小化，并且引出装置包括配置成使振动最小化的出口阵列。
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公开(公告)号：CN1885171B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200610107688.9
申请日：2006-06-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·H·W·雅各布斯 , N·坦卡特 , M·H·A·李恩德斯 , E·R·卢普斯特拉 , M·C·M·弗哈根 , H·布姆 , F·J·J·詹森 , I·P·M·鲍查姆斯 , N·R·坎帕 , J·J·奥坦斯 , Y·科克 , J·范埃斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70716 , G03F7/70875
Abstract: 本发明涉及用于保持基板和浸没光刻装置的热平衡的方法和装置，其通过含有与基板的位置、速度和加速度相关的信息的时间表，和对应时间表内的信息而起减少局部蒸发和/或增加局部冷凝作用的蒸发控制器或冷凝控制器来实现。基板表面的水分的蒸发使其冷却，而冷凝到基板底表面的水分将该基板局部加热。
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公开(公告)号：CN101256365A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092608.6
申请日：2006-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 用于湿浸式光刻装置的液体供给系统可以在投影系统的最后一个元件和基底之间提供层流的浸液。控制系统可使溢出的概率最小化，并且引出装置包括配置成使振动最小化的出口阵列。
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公开(公告)号：CN1847987A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610074086.8
申请日：2006-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 用于湿浸式光刻装置的液体供给系统可以在投影系统的最后一个元件和基底之间提供层流的浸液。控制系统可使溢出的概率最小化，并且引出装置包括配置成使振动最小化的出口阵列。
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公开(公告)号：CN102193333B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110064190.X
申请日：2011-03-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备、光刻设备中的盖和设计光刻设备中的盖的方法。所述光刻设备具有：流体处理结构，所述流体处理结构配置成将浸没流体包含在靠近衬底台和/或位于所述衬底台的凹陷中的所述衬底的上表面的空间中；盖，所述盖包括平坦主体，所述平坦主体在使用中围绕衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘和所述衬底的边缘之间的间隙；和浸没流体薄膜破坏器，配置成在所述衬底台相对于所述流体处理结构的移动期间破坏在所述盖的边缘和被所述流体处理结构包含的浸没流体之间的浸没流体薄膜的形成。
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