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公开(公告)号：CN111164515A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
Abstract: 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109154781B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN109154781A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN113467195B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110819582.6
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN111164515B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
Abstract: 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN113467195A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110819582.6
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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