检查设备和方法、光刻设备和处理单元、器件制造方法

    公开(公告)号:CN102636963A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210026185.4

    申请日:2012-02-07

    Abstract: 本发明提供一种检查设备和方法、光刻设备、光刻处理单元及器件制造方法。本发明确定衬底上的周期性目标(例如晶片上的光栅)的不对称性质。检查设备具有宽带照射光源,其具有在高数值孔径物镜的光瞳平面内点镜像的照射束。从相对衬底的平面呈镜像反射关系的第二和第一方向经由物镜照射衬底和目标。四方楔形件光学装置分别地改变由衬底散射的辐射的衍射级的方向并且将衍射级与沿第一方向和第二方向中每一个方向的照射分离。例如,对每个入射方向分离零级和第一级。在多模光纤捕获之后,分光计用于测量作为波长(I0′(λ),I0(λ),I+1′(λ)以及I-1(λ))的函数的分别被改变方向的衍射级的强度。这可以随后用于计算单个光栅的不对称参数的重构或(堆叠重叠目标光栅的)重叠误差。

    用于光刻术的量测
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104471484B

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201380035631.0

    申请日:2013-06-17

    Abstract: 一种光刻过程用于形成在横跨衬底的多个部位处分布且具有重叠的周期结构的多个目标结构(92,94),所述重叠的周期结构具有横跨所述目标结构分布的多个不同的重叠偏置值。所述目标结构中的至少一些包括多个重叠的周期结构(例如光栅),所述多个重叠的周期结构比所述多个不同的重叠偏置值少。不对称度测量针对于目标结构获得。所检测的不对称度用于确定光刻过程的参数。可以在校正底光栅不对称度的效应和使用横跨衬底的重叠误差的多参数模型的同时计算重叠模型参数,包括平移、放大和旋转。

    检查设备和方法、光刻设备和处理单元、器件制造方法

    公开(公告)号:CN102636963B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201210026185.4

    申请日:2012-02-07

    Abstract: 本发明提供一种检查设备和方法、光刻设备、光刻处理单元及器件制造方法。本发明确定衬底上的周期性目标(例如晶片上的光栅)的不对称性质。检查设备具有宽带照射光源,其具有在高数值孔径物镜的光瞳平面内点镜像的照射束。从相对衬底的平面呈镜像反射关系的第二和第一方向经由物镜照射衬底和目标。四方楔形件光学装置分别地改变由衬底散射的辐射的衍射级的方向并且将衍射级与沿第一方向和第二方向中每一个方向的照射分离。例如,对每个入射方向分离零级和第一级。在多模光纤捕获之后,分光计用于测量作为波长(I0′(λ),I0(λ),I+1′(λ)以及I-1(λ))的函数的分别被改变方向的衍射级的强度。这可以随后用于计算单个光栅的不对称参数的重构或(堆叠重叠目标光栅的)重叠误差。

    用于光刻术的量测
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104471484A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201380035631.0

    申请日:2013-06-17

    Abstract: 一种光刻过程用于形成在横跨衬底的多个部位处分布且具有重叠的周期结构的多个目标结构(92,94),所述重叠的周期结构具有横跨所述目标结构分布的多个不同的重叠偏置值。所述目标结构中的至少一些包括多个重叠的周期结构(例如光栅),所述多个重叠的周期结构比所述多个不同的重叠偏置值少。不对称度测量针对于目标结构获得。所检测的不对称度用于确定光刻过程的参数。可以在校正底光栅不对称度的效应和使用横跨衬底的重叠误差的多参数模型的同时计算重叠模型参数,包括平移、放大和旋转。

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