检查方法及设备、光刻系统以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN104487898B

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201380039089.6

    申请日:2013-06-18

    CPC classification number: G01N23/203 G03F7/70058 G03F7/70625 H01J37/26

    Abstract: 一种检查方法确定了衬底图案的轮廓参数的值。制造具有基准图案目标(BP)的基准衬底,其具有由例如CD(中间临界尺寸)、SWA(侧壁角)和RH(抗蚀剂高度)等轮廓参数所描述的轮廓。散射量测用于获得来自第一和第二目标的第一和第二信号。微分图案轮廓参数的值通过使用贝叶斯微分成本函数基于基准光瞳和受扰光瞳之间的差并且光瞳对图案轮廓参数的依赖性来计算。例如,测量基准过程和受扰过程之间的差,用于光刻过程的稳定控制。正向反馈微分叠层参数也由与图案目标相同的衬底上的叠层目标的观测来计算。

    检查方法及设备、光刻系统以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN104487898A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201380039089.6

    申请日:2013-06-18

    CPC classification number: G01N23/203 G03F7/70058 G03F7/70625 H01J37/26

    Abstract: 一种检查方法确定了衬底图案的轮廓参数的值。制造具有基准图案目标(BP)的基准衬底,其具有由例如CD(中间临界尺寸)、SWA(侧壁角)和RH(抗蚀剂高度)等轮廓参数所描述的轮廓。散射量测用于获得来自第一和第二目标的第一和第二信号。微分图案轮廓参数的值通过使用贝叶斯微分成本函数基于基准光瞳和受扰光瞳之间的差并且光瞳对图案轮廓参数的依赖性来计算。例如,测量基准过程和受扰过程之间的差,用于光刻过程的稳定控制。正向反馈微分叠层参数也由与图案目标相同的衬底上的叠层目标的观测来计算。

Patent Agency Ranking