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公开(公告)号：CN105103053A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480010383.9
申请日：2014-03-14
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08L33/14 , C09D139/04 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。
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公开(公告)号：CN105555886A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050972.X
申请日：2014-09-16
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: C09D183/04 , C08J7/04 , C09D183/14 , C09D183/16
CPC classification number: C09D183/14 , B05D3/0486 , B05D3/066 , B05D3/067 , B05D7/04 , C08G77/26 , C08G77/62 , C08J7/047 , C08J2383/16 , C08J2483/04 , C08J2483/08 , C09D183/16 , C08L83/00 , C08K5/05
Abstract: 本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。一种覆膜形成用组合物，其特征在于包含不含羟基或者羧基的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂；以及一种覆膜形成方法，其包含将该组合物涂布于基板的工序以及进行曝光的工序。
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公开(公告)号：CN105103053B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201480010383.9
申请日：2014-03-14
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。
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公开(公告)号：CN109971344A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910073632.3
申请日：2014-09-16
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: C09D183/14 , C09D183/16 , C09D7/63 , B05D3/04 , B05D3/06 , B05D7/04 , C08J7/04 , C08L67/02
Abstract: 【课题】本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。【解决方案】一种覆膜形成用组合物，其特征在于包含不含羟基或者羧基的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂；以及一种覆膜形成方法，其包含将该组合物涂布于基板的工序以及进行曝光的工序。
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