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公开(公告)号：CN105103053B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201480010383.9
申请日：2014-03-14
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。
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公开(公告)号：CN104995564B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201480008277.7
申请日：2014-02-26
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种组合物以及使用该组合物的图案形成方法，该组合物可形成没有表面皲裂、桥连缺陷或者未析像等不良现象的微细的负型光致抗蚀图案。一种微细图案形成用组合物，其通过应用于使用化学放大型抗蚀组合物而形成出的负型抗蚀图案，使抗蚀图案变粗而将图案进行微细化。该组合物包含在重复单元中含有氨基的聚合物或聚合物混合物以及溶剂，并且进一步包含特定量的酸，或者显示特定的pH。而且，聚合物混合物包含根据汉森溶解度参数而确定的HSP距离为3以上的多种聚合物。将该组合物涂布于由有机溶剂显影液进行显影而获得的负型光致抗蚀图案，并进行加热，从而形成微细的图案。
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公开(公告)号：CN104995564A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008277.7
申请日：2014-02-26
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种组合物以及使用该组合物的图案形成方法，该组合物可形成没有表面皲裂、桥连缺陷或者未析像等不良现象的微细的负型光致抗蚀图案。一种微细图案形成用组合物，其通过应用于使用化学放大型抗蚀组合物而形成出的负型抗蚀图案，使抗蚀图案变粗而将图案进行微细化。该组合物包含在重复单元中含有氨基的聚合物或聚合物混合物以及溶剂，并且进一步包含特定量的酸，或者显示特定的pH。而且，聚合物混合物包含根据汉森溶解度参数而确定的HSP距离为3以上的多种聚合物。将该组合物涂布于由有机溶剂显影液进行显影而获得的负型光致抗蚀图案，并进行加热，从而形成微细的图案。
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公开(公告)号：CN104114483A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380008388.3
申请日：2013-02-01
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: C01B21/082 , H01L21/316
Abstract: 本发明的无机聚硅氮烷树脂是所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.30以上的无机聚硅氮烷树脂。这样的Si含量高的无机聚硅氮烷树脂例如可通过如下方法等方法来制造：将同时包含Si-NH和Si-Cl的无机聚硅氮烷化合物加热，使NH与Cl进行反应的方法；以及合成不残留Si-Cl键的硅氮烷低聚物(聚合物)，向其中加入二卤代硅烷而进行热反应的方法。关于硅质膜，例如通过将含有前述无机聚硅氮烷树脂的涂布组合物涂布于基板，进行干燥，然后在加热了的状态下与水蒸气接触而氧化或者与过氧化氢蒸气以及水蒸气接触而氧化从而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109074003A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021583.8
申请日：2017-04-03
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
Abstract: 提供了一种间隙填充组合物，其可抑制图案倒塌，以及使用该组合物的图案形成方法。提供了一种间隙填充组合物，其包含间隙填充化合物、有机溶剂以及根据需要的水，该间隙填充化合物具有特定结构，并且在分子内具有多个羟基、羧基或者氨基。提供了一种使用低分子量化合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN107077081A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056139.0
申请日：2015-10-13
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种可改良抗蚀图案的表面粗糙度的组合物与使用了该组合物的图案形成方法。一种组合物，其包含：特定的含氮化合物、含有磺酸基的阴离子性表面活性剂以及水；一种图案形成方法，其包含将该组合物适用于显影后的干燥了的抗蚀图案的工序。
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公开(公告)号：CN104885204A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380060803.X
申请日：2013-11-15
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: H01L21/316 , C01B33/12 , H01L21/768
CPC classification number: C01B33/12 , B05D3/007 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31111 , H01L21/76224
Abstract: 通过如下的工序形成高纯度且蚀刻速率迟缓的二氧化硅质膜：(a)通过将聚硅氮烷、例如全氢聚硅氮烷的溶液涂布于基板然后在氧化气氛下进行固化(硬化)，或者通过将利用溶胶-凝胶法形成的二氧化硅溶液涂布于基板，从而在基板上形成二氧化硅质膜的工序；以及(b)将该二氧化硅质膜在包含烷基胺那样的碱解离常数(pKb)为4.5以下的含氮化合物或者F2、Br2、NF3那样的卤素原子的键能为60kcal/mol以下的含卤素化合物的非活性气体气氛下加热而退火的工序。
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公开(公告)号：CN104114483B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201380008388.3
申请日：2013-02-01
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: C01B21/082 , H01L21/316
Abstract: 本发明的无机聚硅氮烷树脂是所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.30以上的无机聚硅氮烷树脂。这样的Si含量高的无机聚硅氮烷树脂例如可通过如下方法等方法来制造：将同时包含Si‑NH和Si‑Cl的无机聚硅氮烷化合物加热，使NH与Cl进行反应的方法；以及合成不残留Si‑Cl键的硅氮烷低聚物(聚合物)，向其中加入二卤代硅烷而进行热反应的方法。关于硅质膜，例如通过将含有前述无机聚硅氮烷树脂的涂布组合物涂布于基板，进行干燥，然后在加热了的状态下与水蒸气接触而氧化或者与过氧化氢蒸气以及水蒸气接触而氧化从而形成。
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