公开(公告)号：CN110707026A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910992351.8

申请日：2014-02-03

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明涉及用于将第一基体（35）的第一接触面（35k）与第二基体（36）的第二接触面（36k）结合的方法和相对应的装置，具有下列步骤、尤其下列流程：将由所述第一基体（35）及所述第二基体（36）形成的、在接触面（35k、36k）处对准的基体堆（14）布置在第一加热设备（30）的第一加热面（15）与第二加热设备（26）的第二加热面（19）之间，其中，e）所述第一加热面（15）布置成面向所述第一基体（35）的与所述第一接触面（35k）背离的第一表面（35o），f）所述第二加热面（19）布置成面向所述第二基体（36）的与所述第二接触面（36k）背离的第二表面（36o），g）在所述第一表面（35o）与所述第一加热面（15）之间存在>0µm的间距A。

公开(公告)号：CN106463343B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201580020432.1

申请日：2015-03-31

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： J.布格拉夫 ,  F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及一种用于通过借助于具有至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)的施加设备(11、11'、11")对局部厚度峰(12)进行局部施加而均衡衬底堆栈(1)的厚度变化的方法，该衬底堆栈(1)由产品衬底(4)及载体衬底(2)组成，尤其是借助于连接层(3)连接。此外，本发明涉及一种对应装置。

公开(公告)号：CN115629520A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211359043.X

申请日：2016-09-05

申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳 ,  H.扎格尔迈尔 ,  C.舍恩 ,  T.格林斯纳 ,  E.赖斯纳 ,  P.菲舍尔 ,  O.卢克施

IPC分类号： G03F7/00

摘要： 就此提出一种用于压印微和/或纳米结构的设备和方法。

公开(公告)号：CN105960703B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201480074793.X

申请日：2014-02-03

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及用于将第一基体的第一接触面与第二基体的第二接触面结合的方法和相对应的装置，具有下列步骤、尤其下列流程：‑将由所述第一基体及所述第二基体形成的、在接触面处对准的基体堆布置在第一加热设备的第一加热面与第二加热设备的第二加热面之间，其中，e）所述第一加热面布置成面向所述第一基体的与所述第一接触面背离的第一表面，f）所述第二加热面布置成面向所述第二基体的与所述第二接触面背离的第二表面，g）在所述第一表面与所述第一加热面之间存在>0µm的间距A，及h）在所述第二表面与所述第二加热面之间存在>0µm的间距B。

公开(公告)号：CN109643060A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201680088993.X

申请日：2016-09-05

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳 ,  H.扎格尔迈尔 ,  C.舍恩 ,  T.格林斯纳 ,  E.赖斯纳 ,  P.菲舍尔 ,  O.卢克施

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： B41K1/22 ,  B41F19/02 ,  G03F7/0002

摘要： 就此提出一种用于压印微和/或纳米结构的设备和方法。

公开(公告)号：CN107851591A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480084026.7

申请日：2014-12-23

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/68 ,  H01L2021/60067

摘要： 本发明涉及一种用于预固定衬底(1、2)的方法和装置，其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o)，其特征在于，所述衬底(1、2)被定向且接着在所述经非晶化的表面区域处接触并且预固定。

公开(公告)号：CN105960703A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201480074793.X

申请日：2014-02-03

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及用于将第一基体（35）的第一接触面（35k）与第二基体（36）的第二接触面（36k）结合的方法和相对应的装置，具有下列步骤、尤其下列流程：将由所述第一基体（35）及所述第二基体（36）形成的、在接触面（35k、36k）处对准的基体堆（14）布置在第一加热设备（30）的第一加热面（15）与第二加热设备（26）的第二加热面（19）之间，其中，e）所述第一加热面（15）布置成面向所述第一基体（35）的与所述第一接触面（35k）背离的第一表面（35o），f）所述第二加热面（19）布置成面向所述第二基体（36）的与所述第二接触面（36k）背离的第二表面（36o），g）在所述第一表面（35o）与所述第一加热面（15）之间存在>0µm的间距A，及h）在所述第二表面（36o）与所述第二加热面（19）之间存在＞0µm的间距B，加热加热面（15、19）且通过将间距A及B减小至0µm使得所述基体堆（14）接近加热面（15、19），通过在表面（35o、36o）处压力加载所述基体堆（14）使得在所述第一接触面（35k）与第二接触面（36k）之间构造出结合。

公开(公告)号：CN110707027B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201910992358.X

申请日：2014-02-03

申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明涉及用于将第一基体（35）的第一接触面（35k）与第二基体（36）的第二接触面（36k）结合的方法和相对应的装置，具有下列步骤、尤其下列流程：‑将由所述第一基体（35）及所述第二基体（36）形成的、在接触面（35k、36k）处对准的基体堆（14）布置在第一加热设备（30）的第一加热面（15）与第二加热设备（26）的第二加热面（19）之间，其中，e）所述第一加热面（15）布置成面向所述第一基体（35）的与所述第一接触面（35k）背离的第一表面（35o），f）所述第二加热面（19）布置成面向所述第二基体（36）的与所述第二接触面（36k）背离的第二表面（36o），g）在所述第一表面（35o）与所述第一加热面（15）之间存在>0µm的间距A。

公开(公告)号：CN109643060B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201680088993.X

申请日：2016-09-05

申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳 ,  H.扎格尔迈尔 ,  C.舍恩 ,  T.格林斯纳 ,  E.赖斯纳 ,  P.菲舍尔 ,  O.卢克施

IPC分类号： G03F7/00

摘要： 就此提出一种用于压印微和/或纳米结构的设备和方法。

公开(公告)号：CN107851591B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201480084026.7

申请日：2014-12-23

申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及一种用于预固定衬底(1、2)的方法和装置，其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o)，其特征在于，所述衬底(1、2)被定向且接着在所述经非晶化的表面区域处接触并且预固定。