公开(公告)号：CN117054462A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310539330.7

申请日：2023-05-12

申请人： FEI 公司

发明人： J·斯塔雷克 ,  T·翁德利奇卡 ,  L·许布纳 ,  J·斯特雷切克

IPC分类号： G01N23/2202

摘要： 本发明题为“用于制备楔形薄片的方法和系统”。楔形薄片可通过从样品的至少一侧铣削多个样品切片来制备。基于在移除一个或多个样品切片之后获得的SEM图像来监测铣削。可响应于沿经铣削样品的高度的第一结构与第二结构之间所估计的距离不大于阈值距离而终止铣削。

公开(公告)号：CN118362590A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410083585.1

申请日：2024-01-19

申请人： FEI 公司

发明人： J·斯塔雷克 ,  J·D·格拉维尔 ,  J·玛尼斯 ,  T·安德利卡

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N23/20025 ,  G01N23/04 ,  G01N23/20 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/2204 ,  G01N23/2251

摘要： 用于高ROI的倒置薄片的支撑结构。用于感兴趣区域的TEM的具有薄区域的薄片包括限定腰部区域的相反定位的S形切割面。在一些示例中，该腰部具有小于25nm的厚度并且限定适于TEM的高度在400nm与800nm之间的双锥形区域。该薄片的在顶表面处的一部分可以包括用于支撑该薄片的金属涂层或其他涂层。

公开(公告)号：CN118583893A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410234564.5

申请日：2024-03-01

申请人： FEI 公司

发明人： L·切尔文卡 ,  L·胡布纳 ,  T·翁德利奇卡 ,  J·斯塔雷克

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/2251 ,  G01N1/28 ,  G01N35/00

摘要： 提供了一种制备用于透射电子显微镜(TEM)分析的样品的方法。该方法包括对样品进行清洁以去除再沉积层，对清洁后的样品进行成像并且识别样品内感兴趣区域的位置，以及基于样品内感兴趣区域的所识别的位置从样品去除材料。有利地，基于感兴趣区域的所检测的位置来执行样品薄化步骤。该薄化步骤涉及去除不平坦的表面(“薄板顶部”)并且薄化剩余的块体衬底以去除多余的材料，使得样品的表面与感兴趣区域之间的硅衬底体积具有限定的厚度。

公开(公告)号：CN116798840A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310286836.1

申请日：2023-03-22

申请人： FEI 公司

发明人： Z·奥雷穆斯 ,  L·许布纳 ,  J·斯塔雷克 ,  T·翁德利奇卡

IPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01L21/66

摘要： 公开了用于使用从参考样品获取的数据来确定从活动样品的切割面到目标平面的距离的方法和设备。该活动样品和参考样品具有全等结构，允许将参考数据用作索引。将该切割面的SEM图像与该参考数据进行比较来确定该活动样品内的位置，从而确定到该目标平面的剩余距离。该技术可在离子束铣削的阶段之间重复应用，直到到达该目标平面处的终点为止。实现了一致、准确的终点确定。该技术适合于制备用于电子电路的TEM分析的5nm‑100nm厚的薄片，并且能够在广泛应用中使用。公开了变型。

公开(公告)号：CN114252462A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111106883.0

申请日：2021-09-22

申请人： FEI 公司

发明人： T·安德利卡 ,  J·斯塔雷克 ,  L·许布纳

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2204

摘要： 基于重建体积的薄片对准。本文公开了用于基于体积重建将薄片对准带电粒子束的设备和方法。示例方法至少包含：形成样品的一部分的重建体积，所述样品包含多个结构，并且所述重建体积包含所述多个结构的一部分；在一定角度范围内对所述重建体积的多个平面中的每个平面执行数学变换；以及基于对所述多个平面中的每个平面的所述数学变换，确定所述样品在所述角度范围内的目标定向，其中所述目标定向使所述多个结构平行于带电粒子束的光轴对准。