公开(公告)号：CN117054462A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310539330.7

申请日：2023-05-12

申请人： FEI 公司

发明人： J·斯塔雷克 ,  T·翁德利奇卡 ,  L·许布纳 ,  J·斯特雷切克

IPC分类号： G01N23/2202

摘要： 本发明题为“用于制备楔形薄片的方法和系统”。楔形薄片可通过从样品的至少一侧铣削多个样品切片来制备。基于在移除一个或多个样品切片之后获得的SEM图像来监测铣削。可响应于沿经铣削样品的高度的第一结构与第二结构之间所估计的距离不大于阈值距离而终止铣削。

公开(公告)号：CN114252462A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111106883.0

申请日：2021-09-22

申请人： FEI 公司

发明人： T·安德利卡 ,  J·斯塔雷克 ,  L·许布纳

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2204

摘要： 基于重建体积的薄片对准。本文公开了用于基于体积重建将薄片对准带电粒子束的设备和方法。示例方法至少包含：形成样品的一部分的重建体积，所述样品包含多个结构，并且所述重建体积包含所述多个结构的一部分；在一定角度范围内对所述重建体积的多个平面中的每个平面执行数学变换；以及基于对所述多个平面中的每个平面的所述数学变换，确定所述样品在所述角度范围内的目标定向，其中所述目标定向使所述多个结构平行于带电粒子束的光轴对准。

公开(公告)号：CN116798840A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310286836.1

申请日：2023-03-22

申请人： FEI 公司

发明人： Z·奥雷穆斯 ,  L·许布纳 ,  J·斯塔雷克 ,  T·翁德利奇卡

IPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01L21/66

摘要： 公开了用于使用从参考样品获取的数据来确定从活动样品的切割面到目标平面的距离的方法和设备。该活动样品和参考样品具有全等结构，允许将参考数据用作索引。将该切割面的SEM图像与该参考数据进行比较来确定该活动样品内的位置，从而确定到该目标平面的剩余距离。该技术可在离子束铣削的阶段之间重复应用，直到到达该目标平面处的终点为止。实现了一致、准确的终点确定。该技术适合于制备用于电子电路的TEM分析的5nm‑100nm厚的薄片，并且能够在广泛应用中使用。公开了变型。

公开(公告)号：CN114332346A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111149971.9

申请日：2021-09-29

申请人： FEI 公司

发明人： P·波托切克 ,  M·霍沃尔卡 ,  M·皮门 ,  L·许布纳

IPC分类号： G06T17/00 ,  G06N3/08 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2206

摘要： 用于带电粒子系统中样品的3D图像的深度重建。用于使用切片和视图过程产生成像的3D样品的高分辨率重建的方法和系统，其中成像波束的电子相互作用深度大于切片厚度。用深度模糊减少算法增强通过此类切片和视图过程获得的数据，所述深度模糊减少算法配置成减少由分别由第一层和第二层外部的电子相互作用互产生的第一数据和第二数据的部分引起的深度模糊，以产生增强型第一数据和增强型第二数据。随后使用所述增强型第一数据和所述增强型第二数据产生所述样品的高分辨率3D重建。在一些实施例中，所述深度模糊减少算法可选自已针对某些显微镜条件、样品条件或其组合个别地配置的一组此类算法。