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公开(公告)号：CN104241469A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410259008.X
申请日：2014-06-11
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0008 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14
摘要： 公开了一种发光器件及照明系统。该发光器件包括：第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的包括量子阱(114w)和量子势垒(114b)的有源层(114)；在有源层(114)上的无掺杂最后势垒层(127)；在无掺杂最后势垒层(127)上的AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)基层(128)；以及在AlxInyGa(1-x-y)N基层(128)上的第二导电半导体层(116)。
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公开(公告)号：CN103579429B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201310176523.7
申请日：2013-05-14
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，置于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间。该第二导电类型半导体层包括：电子阻挡区域，布置为靠近有源层且具有图案，该图案具有彼此隔开的多个元件。本发明的发光器件通过使用EBL阻挡电子溢出并提高空穴注入效率，从而提高其内部量子效能。
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公开(公告)号：CN106165128A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018523.1
申请日：2015-04-07
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/04 , H01L21/00 , H01L27/15 , H01L29/18 , H01L29/72 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62
摘要： 实施例涉及发光元件、用于生产发光元件的方法、发光元件封装以及照明系统。根据实施例的发光元件可以包括：第一导电半导体层(112)；第二导电半导体层(116)，所述第二导电半导体层(116)被布置在第一导电半导体层(112)下方；有源层(114)，所述有源层(114)被布置在第一导电半导体层(112)和第二导电半导体层(116)之间；多个孔(H)，所述多个孔(H)通过穿透第二导电半导体层(116)和有源层(114)将第一导电半导体层(112)的部分暴露于第二导电半导体层(116)的底表面；第一接触电极(160)，所述第一接触电极(160)通过多个孔(H)从第二导电半导体层(116)的底表面被电连接到第一导电半导体层(112)；绝缘层(140)，所述绝缘层(140)被布置在第一接触电极(160)和多个孔(H)之间；结合层(156)，所述结合层(156)被电连接到第一接触电极(160)；支撑构件(158)，所述支撑构件(158)被布置在结合层(156)下方；第二接触电极(132)，所述第二接触电极(132)被电连接到第二导电半导体层(116)；以及第一电流扩展半导体层(191)，所述第一电流扩展半导体层(191)在第一接触电极(160)上方的第一导电半导体层(112)的内部。
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公开(公告)号：CN104241469B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201410259008.X
申请日：2014-06-11
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0008 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14
摘要： 公开了一种发光器件及照明系统。该发光器件包括：第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的包括量子阱(114w)和量子势垒(114b)的有源层(114)；在有源层(114)上的无掺杂最后势垒层(127)；在无掺杂最后势垒层(127)上的AlxInyGa(1‑x‑y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)基层(128)；以及在AlxInyGa(1‑x‑y)N基层(128)上的第二导电半导体层(116)。
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公开(公告)号：CN104300050B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410343191.1
申请日：2014-07-18
申请人： LG伊诺特有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光器件，制造该发光器件的方法，发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括第一导电型半导体层(112)；在第一导电型半导体层(112)上的包括量子阱(114w)和量子墙(114b)的有源层(114)；在有源层(114)上的未掺杂的最终势垒层(127)；在未掺杂的最终势垒层(127)上的AlxInyGa(1‑x‑y)N基层(0≤x≤1，0≤y≤1)(128)；以及在AlxInyGa(1‑x‑y)N基层(128)上的第二导电型半导体层(116)。
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公开(公告)号：CN102983243B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201210080105.3
申请日：2012-03-23
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/20 , F21K9/23 , F21Y2115/10 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/10158 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种发光器件及包括该发光器件的发光器件封装。公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。该第一导电类型半导体层、该有源层和该第二导电类型半导体层被设置为在相同方向上彼此邻近。该有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层。该阱层具有比该势垒层小的能带隙。该发光器件进一步包括设置在第一导电类型半导体层中的掩模层、设置在第一导电类型半导体层上的第一电极和设置在第二导电类型半导体层上的第二电极。该第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。
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公开(公告)号：CN103579429A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310176523.7
申请日：2013-05-14
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，置于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间。该第二导电类型半导体层包括：电子阻挡区域，布置为靠近有源层且具有图案，该图案具有彼此隔开的多个元件。本发明的发光器件通过使用EBL阻挡电子溢出并提高空穴注入效率，从而提高其内部量子效能。
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公开(公告)号：CN104300050A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410343191.1
申请日：2014-07-18
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种发光器件，制造该发光器件的方法，发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括第一导电型半导体层(112)；在第一导电型半导体层(112)上的包括量子阱(114w)和量子墙(114b)的有源层(114)；在有源层(114)上的未掺杂的最终势垒层(127)；在未掺杂的最终势垒层(127)上的AlxInyGa(1-x-y)N基层(0≤x≤1，0≤y≤1)(128)；以及在AlxInyGa(1-x-y)N基层(128)上的第二导电型半导体层(116)。
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公开(公告)号：CN102983243A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210080105.3
申请日：2012-03-23
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/20 , F21K9/23 , F21Y2115/10 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/10158 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种发光器件及包括该发光器件的发光器件封装。公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。该第一导电类型半导体层、该有源层和该第二导电类型半导体层被设置为在相同方向上彼此邻近。该有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层。该阱层具有比该势垒层小的能带隙。该发光器件进一步包括设置在第一导电类型半导体层中的掩模层、设置在第一导电类型半导体层上的第一电极和设置在第二导电类型半导体层上的第二电极。该第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。
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