公开(公告)号：CN101971289A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880120168.9

申请日：2008-12-04

申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

发明人： 史塔尼斯拉夫·卡利克 ,  范提萨克·巴隆 ,  约根·威查特 ,  巴特·裘特凡梅斯特

IPC分类号： H01J37/34

CPC分类号： H01J37/3408 ,  H01J37/3455

摘要： 一种磁控溅射方法包括：以角频率ω来转动磁控管的磁铁；以及当由所述磁控管的溅射源来溅射材料于基材上时，周期性的以至少一组成单元来调制功率位准，此功率位准是施加于溅射源，所述组成单元包括频率f，其是在第一谐波以外，且为转动所述磁铁的所述角频率ω的谐波。

公开(公告)号：CN101971289B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880120168.9

申请日：2008-12-04

申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

发明人： 史塔尼斯拉夫·卡利克 ,  范提萨克·巴隆 ,  约根·威查特 ,  巴特·裘特凡梅斯特

IPC分类号： H01J37/34

CPC分类号： H01J37/3408 ,  H01J37/3455

摘要： 一种磁控溅射方法包括：以角频率ω来转动磁控管的磁铁；以及当由所述磁控管的溅射源来溅射材料于基材上时，周期性的以至少一组成单元来调制功率位准，此功率位准是施加于溅射源，所述组成单元包括频率f，其是在第一谐波以外，且为转动所述磁铁的所述角频率ω的谐波。

公开(公告)号：CN104091777A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410361067.8

申请日：2010-11-17

申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

发明人： 沃尔夫冈·里茨勒 ,  巴特·裘特凡梅斯特

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L23/14 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/96 ,  C23C14/22 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/32 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3641 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01002

摘要： 本发明公开了一种用于处理基材(1)的设备，该设备包含至少两个除气单元和至少一个处理单元，其中，一个第一除气单元包含具有加热所述基材(1)的装置的气锁器及处理监测传感器，所述气锁器连接于排空系统，一个第二除气单元包含用以加热所述基材的装置、用以吹气至所述基材之背面的气体供应器、处理监测传感器，所述第二除气单元连接于排空系统，至少一个后续处理单元包含用以主动冷却所述基材(1)的装置。

公开(公告)号：CN102725843A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080052142.2

申请日：2010-11-17

申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

发明人： 沃尔夫冈·里茨勒 ,  巴特·裘特凡梅斯特

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/96 ,  C23C14/22 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/32 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3641 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于处理基材(1)的方法，基材放置于真空环境中时呈除气状态。此方法包括：置放此基材于真空中：通过加热此基材(1)至温度T1，并移除由此基材(1)所发出的气体污染物来进行除气处理，直到除气率被基材之污染物的扩散所决定，因而建立一实质稳态。然后，当基材之污染物的扩散率低于在温度T1的扩散率时，将温度降低至温度T2。在温度T2，基材(1)被进一步进行处理，直到基材(1)被含金属的薄膜(16)所覆盖。