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公开(公告)号：CN117545337B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410026551.9
申请日：2024-01-09
摘要： 本发明公开了一种压电衬底结构及其制备方法，压电衬底结构包括：基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层；所述键合反应层为不连续的金属氧化物层；所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置；所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间；或者，位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间；或者，位于所述第二沉积层与所述压电层之间。本发明可以增加键合界面的附着强度，使得键合强度大于1.5J/m2；还有利于提升波的反射，制备所得的声表面波滤波器，声波损失率小于0.005%，有助于提高器件的稳定性和性能。
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公开(公告)号：CN117305986B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311610360.9
申请日：2023-11-29
摘要： 本申请涉及半导体材料技术领域，具体涉及单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅。单晶碳化硅长晶原料，被配置为SixCryAlz(M+AlN）h。单晶碳化硅长晶方法，依托于长晶装置，长晶装置包括腔体；腔体内设有石墨坩埚；石墨坩埚上方设有籽晶杆；籽晶托，设于所述籽晶杆一端，籽晶托上设有碳化硅籽晶；加热装置，用于提供晶体生长所需温度；抽真空装置，用于提供晶体生长所需真空环境；石墨坩埚内盛放的长晶原料为上述长晶原料。单晶碳化硅，由上述长晶方法制得。长晶过程中，通过铝的持续供应，减少溶剂夹杂及二维成核，使单晶碳化硅生长面长时间维持光滑，可进行持续生长，能够生长大厚度的高质量单晶碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN117304814B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311610879.7
申请日：2023-11-29
摘要： 本申请涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底。抛光剂包括氧化剂、分散剂、磨料a和磨料b；磨料a的硬度介于多晶碳化硅的氧化物和多晶碳化硅本体的硬度之间；磨料b的硬度高于多晶碳化硅本体。抛光方法包括以下步骤：A、选取多晶碳化硅衬底，所述多晶碳化硅衬底不同晶粒的晶向最大夹角＜10°；B、对多晶碳化硅衬底表面进行化学机械抛光，至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜1nm；C、以等离子体束扫描步骤B抛光后的多晶碳化硅衬底表面，至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜0.5nm，完成多晶碳化硅衬底抛光。抛光而得的多晶碳化硅衬底表面粗糙度能够满足键合工艺的要求。
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公开(公告)号：CN116900929B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311181675.6
申请日：2023-09-14
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B1/00 , B24B37/005 , B08B3/12 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种化学机械抛光的方法。本发明的化学机械抛光的方法采用化学机械抛光装置完成，该化学机械抛光装置包括抛光台、抛光垫、抛光头、氧化组件和抛光液组件，抛光垫设置于抛光台上；抛光头用于吸附晶圆的背面，抛光头能够旋转，并使晶圆压向抛光垫；氧化组件包括混气腔体、臭氧气源件和氢气气源件，臭氧气源件通过第一管路与混气腔体连通，氢气气源件通过第二管路与混气腔体连通，混气腔体的顶部安装有射频电源件，混气腔体的内部安装有紫光灯；抛光液组件用于向抛光垫上喷淋抛光液。该化学机械抛光装置，通过设置氧化组件，有效提高了对晶圆表面的氧化效率。
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公开(公告)号：CN117066238A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311337709.6
申请日：2023-10-17
IPC分类号： B08B9/28 , B08B9/34 , B08B9/44 , F26B21/00 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种晶圆片盒清洗设备及晶圆片盒清洗方法，属于半导体晶圆片盒清洗技术领域。晶圆片盒清洗设备包括腔体、放置架和两个清洗模组，腔体开设有用于与外界连通的窗口；放置架设于腔体内，放置架用于承载若干晶圆片盒；两个清洗模组分别设于放置架的两侧，清洗模组包括驱动机构、喷头和连接组件，连接组件一端连接喷头，另一端连接超纯水供应组件和高纯氮气供应组件，超纯水供应组件用于供应超纯水，高纯氮气供应组件用于供应高纯氮气，使喷头能够择一地喷出超纯水和高纯氮气，驱动机构能够驱动喷头运动以使超纯水和高纯氮气覆盖若干晶圆片盒，解决了结构繁杂、施工难度大和成本高的问题，并且能够有效清洗晶圆片盒。
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公开(公告)号：CN116676662B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310943228.3
申请日：2023-07-31
摘要： 本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用，所述粘接方法包括如下步骤：采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上，然后进行碳化，得到包括C粘接层的石墨托；其中，所述胶水中包括含硅粉末；将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温，然后经过冷却后，完成碳化硅籽晶的粘接；所述粘接方法利用Si元素易蒸发、SiC在过饱和状态下析出以及SiC晶体升华量小的特点，大幅加强了碳化硅籽晶的粘接强度，有效防止了溶液法生长大尺寸SiC晶体，且在使用加减速旋转条件时，SiC籽晶和晶体掉落的情况。
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公开(公告)号：CN116623297B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310913098.9
申请日：2023-07-25
摘要： 本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率，制造成本低，有利于批量化生产，可广泛应用于新能源、光伏等领域的半导体器件制造。
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公开(公告)号：CN116676662A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310943228.3
申请日：2023-07-31
摘要： 本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用，所述粘接方法包括如下步骤：采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上，然后进行碳化，得到包括C粘接层的石墨托；其中，所述胶水中包括含硅粉末；将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温，然后经过冷却后，完成碳化硅籽晶的粘接；所述粘接方法利用Si元素易蒸发、SiC在过饱和状态下析出以及SiC晶体升华量小的特点，大幅加强了碳化硅籽晶的粘接强度，有效防止了溶液法生长大尺寸SiC晶体，且在使用加减速旋转条件时，SiC籽晶和晶体掉落的情况。
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公开(公告)号：CN116516486A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310797410.2
申请日：2023-07-03
摘要： 本发明涉及一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法，所述方法包括如下步骤：（1）加热硅原料与助溶剂，得到硅合金溶液；（2）将籽晶的底面接触步骤（1）所得硅合金溶液，使碳化硅晶体在所述籽晶的底面生长；在所述碳化硅晶体的生长过程中，对靠近碳化硅晶体生长面的硅合金溶液进行高频振动处理。本发明通过在碳化硅晶体的生长过程中对硅合金溶液施加高频振动，进而提高了传输到碳化硅晶体生长面的台阶前沿的C溶质量，使得台阶沿宽度方向持续生长，从而抑制了碳化硅晶体生长过程中的台阶粗化。
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公开(公告)号：CN116377582A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310619498.9
申请日：2023-05-30
摘要： 本发明提供一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用，属于半导体技术领域，所述生长方法包括以下步骤：（1）在第一衬底表面一次外延生长第一氧化镓薄膜；（2）通过表面活化，将所述第一氧化镓薄膜和所述第二衬底键合；其中，所述第一衬底的热导率小于所述第二衬底的热导率；（3）将部分第一氧化镓薄膜剥离，于所述第二衬底的表面得到第二氧化镓薄膜；（4）在所述第二氧化镓薄膜的表面进行二次外延生长，得到第三氧化镓薄膜。本发明通过键合、剥离的层转移法在热导率高的第二衬底上得到了高质量氧化镓薄膜，解决了第一衬底自身热导率差的问题，以及薄膜质量差的问题，有效提高了氧化镓薄膜的散热效率和使用寿命。
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