激光器用密封组件以及固体激光器

    公开(公告)号:CN115133385B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202210774548.6

    申请日:2022-07-01

    发明人: 马英俊 李永辉

    IPC分类号: H01S3/067 H01S3/1118

    摘要: 提供一种激光器用密封组件以及固体激光器。激光器用密封组件包括内密封件和外密封件,内密封件包括第一壳体、第一凸缘以及突柱,第一凸缘用于沿轴向密封地贴靠在固体激光器的激光放大腔体的外壁上;突柱具有通孔;外密封件包括第二壳体以及第二凸缘,第二壳体用于套在第一壳体上,第四开口用于供突柱穿出;第二凸缘用于沿轴向密封地贴靠内密封件的第一凸缘上并沿轴向密封地贴靠在固体激光器的激光放大腔体的外壁上,当内密封件和外密封件组装在一起时,突柱与第二壳体的第四开口形成密封,第二凸缘和第一凸缘形成密封,突柱与穿入通孔的种子源输出光纤跳线之间形成密封。由此,实现密封并提高密封性能。

    一种闪烁体面板封装膜去除方法及装置

    公开(公告)号:CN117963288A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202311837031.8

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: B65B69/00

    摘要: 本发明属于封装膜去除技术领域,公开了一种闪烁体面板封装膜去除方法及装置。所述方法包括:设置吸附平台,所述吸附平台设有能放置待去封装膜的闪烁体面板的位置,并能对待去封装膜的闪烁体面板进行吸附固定;设置真空腔,所述真空腔能为吸附平台提供真空吸附力;设置抽真空单元,所述吸附力能够通过抽真空单元进行调节;设置加热单元,其发热源分布在待去封装膜的闪烁体面板的位置,并能对温度进行调节;发热源以设定温度对闪烁体面板进行加热,使封装膜温度升高从而降低封装膜与闪烁体面板的附着粘度,以实现相互脱离。本方法不设置移动划割闪烁体面板的刀具,不需控制刀具的移动轨迹,在高效去除封装膜的同时,能确保闪烁体面板不受损伤。

    一种激光器泵浦光调节结构

    公开(公告)号:CN114256727B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202111523936.9

    申请日:2021-12-14

    IPC分类号: H01S3/102

    摘要: 本发明提供了一种组合式激光器泵浦光调节结构,将泵浦光聚焦镜和泵浦光准直镜安装在同一个调节镜筒内,镜筒再通过镜筒固定座固定在激光器壳体内。可实现对泵浦镜筒到其他激光器件的距离调节、泵浦镜筒的俯仰调节,以及泵浦镜筒内部聚集镜和准直镜在轴向距离的调节。在调节过程中,泵浦光聚焦镜和泵浦光准直镜在轴向上的距离调节可通过旋转镜座上的螺纹来实现调节,并且调节过程中泵浦光聚焦镜和泵浦光准直镜在径向上的位置不会改变,从而大大提高了调节效率。

    蓝宝石晶片退火前清洗方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117463691A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311715352.0

    申请日:2023-12-13

    摘要: 提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法,所述蓝宝石晶片退火前清洗方法至少适用于8英寸的蓝宝石晶片表面碳化硼研磨后且在退火前的清洗,所述蓝宝石晶片退火前清洗方法包括步骤:S1,采用碱性金属清洗剂配制成的水溶液超声清洗;S2,采用去离子水超声清洗;S3,将蓝宝石晶片置于纯水中双面刷洗,刷洗过程中保持冲水;S4,采用酸溶液超声清洗;S5,采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片,同时转动蓝宝石晶片;S6,采用碱溶液超声清洗;S7,采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片,同时转动蓝宝石晶片;S8,采用去离子水超声清洗;S9,采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片,同时转动蓝宝石晶片;S10,将蓝宝石晶片放置在自动甩干机中甩干。

    CZT晶体下料工艺
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116206952A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310344222.4

    申请日:2023-04-03

    摘要: 一种CZT晶体下料工艺包括步骤:S1,将CZT晶棒定向切割出晶片;S2,腐蚀显露出单晶区域;S3,用马克笔在111(A)面上画线标记显露出的单晶区域;S4,将晶片固定在底板上;S5,摄像头拍照;S6,摄像头与水射流切割设备数据传输,生成CAD图形;S7,步骤S3的画线的边中选取一条边作为特征边,测量特征边的实际尺寸;S8,使CAD图形与步骤S3的画线标记的单晶区域比例为1:1;S9,确定射流切割设备的水射流的进刀点和出刀点;S10,模拟切割下料,在无切割水喷射的情况下,射流切割设备的喷口沿CAD图形模拟切割,通过肉眼观察喷口运动的路线是否与马克笔画线标记的单晶区域的轮廓是一致;S11,实际切割下料;S12,从底板上拆下;S13,清洗和检查。

    一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石制备方法

    公开(公告)号:CN116200825A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310104712.7

    申请日:2023-02-13

    IPC分类号: C30B29/04 C30B25/00 C30B33/12

    摘要: 本发明属于金刚石制备领域,公开了一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石制备方法。通过丝网印刷、等离子体辅助刻蚀,实现氧化铈对黑色点状多晶周围的(100)面的定向刻蚀,刻蚀出正方形凹槽,之后再将氧化铁或氧化镍的浆料通过丝网印刷,将黑色点状多晶用上述浆料覆盖,在通过等离子体辅助刻蚀,实现对黑色点状多晶的定点清除,之后通过横向生长工艺将刻蚀出的凹槽生长填平,可很好的将生长缺陷除去长出品质较好的单晶金刚石。本发明可大大减少单晶金刚石产品的废品率,提高单晶金刚石的利用率。有利于节约生产成本,提高效益。

    二氧化碳激光器腔体模块
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116014537A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202310109124.2

    申请日:2023-01-31

    发明人: 马英俊 李永辉

    IPC分类号: H01S3/03 H01S3/041 H01S3/04

    摘要: 一种二氧化碳激光器腔体模块包括腔体、两散热片以及多个螺钉:腔体为铝型材的四周封闭而两端开口的外形为长方体的筒状的一体单件结构,腔体具有顶壁、两侧壁、底壁和内部的中空腔,顶壁和底壁沿上下方向相对,两侧壁沿前后方向相对,两侧壁设置有盲孔形式的螺孔;各散热片为铝型材的一体单件结构,各散热片设置有沿散热片的厚度方向贯通的通孔,两散热片经由穿过通孔拧入到螺孔中的螺钉分别可拆卸地固定于腔体的两侧壁。通过腔体和两散热片均为一体单件结构并由螺钉组装,能克服在使用的原材料的体积的限制、使得二氧化碳激光器腔体模块的原材料的选择更为灵活、制备效率提高。

    衬底的预处理方法及金刚石膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115747752A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211594494.1

    申请日:2022-12-13

    摘要: 本发明属于金刚石膜制备领域,具体公开了一种衬底的预处理方法及金刚石膜的制备方法。衬底的预处理方法包括:清洗衬底,然后干燥;将衬底放入真空室内,通入氩气,利用等离子体对衬底进行轰击清洗;对衬底进行磁控溅射镀膜,时间为10~60min,膜厚约30~100nm;将处理后的衬底放入金刚石微粉/无水水乙醇悬浊液中超声接种;超声清洗、吹干,备用;金刚石膜的制备方法为使用上述衬底的预处理方法所得预处理后的衬底沉积金刚石。该发明克服了机械研磨和普通超声接种的缺点,提高金刚石形核的速率、密度、质量,为高品质金刚石膜的生长提供了良好的前提条件。在金刚石膜沉积的过程中,采用的低碳浓度也进一步提升了金刚石膜的质量。

    一种亚纳秒绿光激光器

    公开(公告)号:CN113629482B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202110892197.4

    申请日:2021-08-04

    IPC分类号: H01S3/109 H01S3/10 H01S3/06

    摘要: 本发明提供了一种亚纳秒绿光激光器,包括:发射种子光的亚纳秒种子源、对所述种子光进行多级放大的多级放大结构和对放大后的所述种子光进行倍频转换的倍频转换结构;所述多级放大结构包括第一级放大光路、第二级放大光路和第三级放大光路;所述第一级放大光路包括依次设置的第一种子光路、第一激光晶体、0°反射镜和第一泵浦模块;所述第二级放大光路包括依次设置的第二种子光路、第二激光晶体、0°反射镜和第二泵浦模块;所述第三级放大光路包括依次设置的第三种子光路、第三激光晶体、泵浦分光镜和第三泵浦模块。本发明提供的亚纳秒绿光激光器,输出的绿光激光具有重复频率高、平均功率高、单脉冲能量高的特点,能满足于市场应用需求。

    一种多晶金刚石膜的抛光方法

    公开(公告)号:CN113638054B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202111092116.9

    申请日:2021-09-17

    摘要: 本发明属于金刚石加工技术领域,具体公开了一种多晶金刚石膜的抛光方法,包括以下步骤:S1.清洗金刚石膜,然后干燥;S2.将铁、钴、镍、铜及其氧化物或氢氧化物中的一种或多种混合物配置成凝胶溶液或浆料,均匀旋涂在金刚石膜表面,得旋涂后的金刚石膜;S3.低温烘干金刚石膜;S4.将低温烘干后的金刚石膜进行刻蚀,得刻蚀后的金刚石膜;S5.将金刚石膜进行酸洗,酸洗完成后使用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗;S6.将金刚石膜进行化学机械抛光;S7.清洗金刚石膜。本发明方法可有效避免多晶金刚石表面的损伤及破裂,提高抛光质量,节约成本。