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公开(公告)号:CN106800419A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201710032918.8
申请日:2017-01-18
申请人: 太原科技大学
CPC分类号: C04B35/806 , C04B35/58057 , C04B2235/402 , C04B2235/5248 , C04B2235/96
摘要: 本发明涉及一种单壁碳纳米管增强型铝镁硼陶瓷材料的制备方法,是针对铝镁硼陶瓷材料脆性大、韧性差的弊端,在铝镁硼陶瓷材料基体内掺杂单壁碳纳米管,经真空等离子放电热压烧结,制成增强型铝镁硼陶瓷材料,此制备方法工艺先进,数据精确翔实,制备的增强型铝镁硼陶瓷材料为黑色块状,金相组织致密性好,显微硬度达27‑30GPa,断裂韧性达6‑10MPa.m0.5,是先进的增强型铝镁硼陶瓷材料的制备方法。
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公开(公告)号:CN105788752A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610206412.X
申请日:2016-04-05
申请人: 西北工业大学
CPC分类号: Y02E40/64 , Y02E40/641 , H01B12/00 , B82Y40/00 , C01B35/04 , C04B35/58057 , H01B12/02 , H01B12/04 , H01B13/00
摘要: 本发明涉及电致发光激励临界转变温度提高的MgB2基超导体及其制备方法,利用Y2O3:Eu3+发光体异位掺杂改变MgB2超导体临界转变温度。本发明采用水热法制备了两种不同发光强度的掺杂剂Y2O3:Eu3+Ⅰ和Y2O3:Eu3+II纳米棒,异位掺杂法制备Y2O3:Eu3+发光体掺杂的MgB2基超导体。Y2O3:Eu3+发光体所占质量分数为1%和2%。随着掺杂剂发光强度的增加,MgB2基超导体的Tc值不断增加。在无外界磁场的条件下,当用发光强度高的Y2O3:Eu3+II发光体作为掺杂剂,且掺杂浓度为2%时,MgB2基超导体的Tc=35.9K较纯MgB2的Tc=35.8K高。
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公开(公告)号:CN101127261A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200710137088.1
申请日:2007-07-24
申请人: 通用电气公司
发明人: V·S·范卡塔拉马尼 , S·M·德卡尔 , S·P·M·洛濑罗
CPC分类号: C01B35/04 , B82Y30/00 , C04B35/58057 , C04B35/62834 , C04B35/62884 , C04B35/62892 , C04B35/62897 , C04B35/806 , C04B2235/3225 , C04B2235/3808 , C04B2235/3826 , C04B2235/3895 , C04B2235/40 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/421 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/483 , C04B2235/5248 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , H01L39/125 , H01L39/2487
摘要: 本发明公开了一种制作掺杂的二硼化镁粉末(98)的方法。该方法包括在第一相的多个粒子的至少一个粒子上涂覆聚合物前驱物,其中该第一相包括二硼化镁粉末,该聚合物前驱物包括产生第二相的化学元素。该第二相包括硼化物、氮化物、碳化物、氧化物、硼氧化物、氮氧化物、碳氧化物、或其组合中的一种或多种。该方法还包括在该二硼化镁粉末的多个粒子的至少一个粒子上形成第二相涂层。
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公开(公告)号:CN101001820A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200580026823.0
申请日:2005-10-25
申请人: 住友电气工业株式会社
CPC分类号: C04B35/58 , B82Y30/00 , C04B35/58057 , C04B35/653 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/401 , C04B2235/421 , C04B2235/5454 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , H01L39/141 , H01L39/2487 , Y10T428/12014
摘要: 本发明披露一种制造包含Mg和B的烧结体的方法,即制造烧结体的方法,其包含:配置Mg粉末(3a、3b)和B粉末(2)而没有使Mg粉末和B粉末相互混合的配置步骤,以及在该配置步骤之后热处理Mg粉末(3a、3b)和B粉末(2)的热处理步骤。热处理步骤中的温度是至少651℃以及不大于1107℃。从而,可以提高临界电流密度。
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公开(公告)号:CN1416405A
公开(公告)日:2003-05-07
申请号:CN01806243.1
申请日:2001-07-24
IPC分类号: C01B35/04
CPC分类号: C01B35/04 , C04B35/58057 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B35/653 , C04B2235/3206 , C04B2235/401 , C04B2235/421 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C04B2235/96 , C22C33/02 , H01L39/125 , H01L39/2487 , Y10S420/901 , Y10S505/785 , Y10S505/805
摘要: 本发明提供一种超导性转变温度高的金属间化合物超导体,及一种超导性转变温度高、且展性及延性优良的合金超导体,同时提供再现性好、制造成本低的这些超导体的制造方法。得到由镁(Mg)和硼(B)构成的完全新型的金属间化合物超导体,该超导体具有由化学组成式Mg1B2表示的六方晶AlB2型晶体结构,超导性转变温度(Tc)为39K。含有该金属间化合物的合金是展性、延性优良的超导性转变温度(Tc)为39K的合金超导体。它们通过混合含有Mg的原料粉末和含有B的原料粉末,通过例如加压加热成型来制造。
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公开(公告)号:CN101931045A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN201010208276.0
申请日:2010-06-18
申请人: 艾迪森股份公司
发明人: G·琼基
CPC分类号: H01L39/14 , C04B35/45 , C04B35/547 , C04B35/58057 , C04B2235/3213 , C04B2235/3272 , C04B2235/77 , C22C28/00 , C22C38/00 , H01L39/141 , H01L39/16 , H01L39/24 , H01L39/2477 , H01L39/2487
摘要: 本发明描述了一种超导元件以及一种用于制备所述元件的方法,所述超导元件包括由非超导材料制成的刚性支座,所述支座包括由包含超导材料的凹槽形成的至少一个超导轨道,所述超导材料的密度等于其理论密度值的至少85%。本发明还涉及超导元件的可能用途,并且还涉及含有所述超导元件的超导装置。
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公开(公告)号:CN100452467C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN02809161.2
申请日:2002-05-10
申请人: 艾迪森股份公司
IPC分类号: H01L39/24
CPC分类号: H01L39/2487 , C04B35/58057 , C04B35/6261 , C04B35/65 , C04B35/653 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/421 , C04B2235/5292 , C04B2235/5436 , C04B2235/80
摘要: 描述了一种方法,用于制备密度接近理论值超导体块状体MgB2,包括以下阶段:晶体硼与活化粉末的形成机械活化;所述粉末多孔锭料的形成;多孔硼锭料和块状体前体金属镁在容器中组合,并从而在在惰性气体或低氧含量气氛中将它们密封;在硼和镁以上组合时以高于700℃的温度的热处理时间大于30分钟,然后通过活化的晶体硼粉末浸透液相镁。
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公开(公告)号:CN100337984C
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN02825285.3
申请日:2002-10-16
申请人: 国家物理学会
IPC分类号: C04B35/58 , C04B35/622 , H01B1/06 , H01L29/24
CPC分类号: H01L39/2487 , C04B35/58057 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/94 , Y10T29/49014 , Y10T29/49117 , Y10T29/49194 , Y10T29/4998
摘要: 本发明描述了一种制作基于MgB2的超导线的方法,其包括下列步骤:制作包括由金属覆盖物包围的MgB2芯的圆柱形线,其中所述核具有由所述化合物MgB2的颗粒形成的晶格结构;轧制所述线以制作带状的导体;并且随后通过加热到800℃和870℃之间的温度进行热处理。所述最后的步骤有助于增加所述MgB2颗粒之间的连接同时保持在所述轧制步骤中产生的所述结构缺陷,因此制作了具有较大电流传输能力的超导线。
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公开(公告)号:CN1276872C
公开(公告)日:2006-09-27
申请号:CN01806243.1
申请日:2001-07-24
申请人: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 秋光纯
IPC分类号: C01B35/04
CPC分类号: C01B35/04 , C04B35/58057 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B35/653 , C04B2235/3206 , C04B2235/401 , C04B2235/421 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C04B2235/96 , C22C33/02 , H01L39/125 , H01L39/2487 , Y10S420/901 , Y10S505/785 , Y10S505/805
摘要: 本发明提供一种超导性转变温度高的金属间化合物超导体,及一种超导性转变温度高、且展性及延性优良的合金超导体,同时提供再现性好、制造成本低的这些超导体的制造方法。得到由镁(Mg)和硼(B)构成的完全新型的金属间化合物超导体,该超导体具有由化学组成式Mg1B2表示的六方晶AlB2型晶体结构,超导性转变温度(Tc)为39K。含有该金属间化合物的合金是展性、延性优良的超导性转变温度(Tc)为39K的合金超导体。它们通过混合含有Mg的原料粉末和含有B的原料粉末,通过例如加压加热成型来制造。
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公开(公告)号:CN107244921A
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201710342360.3
申请日:2017-05-16
申请人: 天津大学
CPC分类号: C04B35/58057 , C04B35/64 , C04B2235/407 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/80 , C04B2235/96
摘要: 本发明属于铜添加活化二硼化镁超导块体先位烧结的方法;将前驱粉MgB2粉中添加1~5wt.%的铜粉在玛瑙研钵中充分混合,在2~8MPa的压力下制成圆柱小片;然后放入热重差热分析仪中,在流动的高纯氩气的气氛下,升温至800~1000℃后保温0~20分钟烧结;再降至600~700℃后保温0~3个小时,最后以10~40℃/min的速度冷却至室温。本发明制备的具有高载流的MgB2超导材料是通过将铜添加技术引用到先位烧结法中获得的,材料结构稳定,临界转变温度较高,且在所有先位法制备的MgB2超导块体中具有最好的载流能力;制备方法简单,可控性强,无污染,原料来源广泛,制备成本低,具有广泛的工程应用推广前景。
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