一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN105461924A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201511022160.7

    申请日:2015-12-30

    IPC分类号: C08G73/10 C08J5/18 C08L79/08

    摘要: 本发明涉及一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法,以2,4,6-三氨基嘧啶(TAP)为支化中心,采用一步法合成了一系列具有超支化结构的低介电PI薄膜。超支化结构的引入,显著降低了PI薄膜的介电常数,同时较好的保持了PI固有的优势,赋予了薄膜良好的力学强度和热氧稳定性。超支化结构中包含大量分子链末端基,有效抑制了分子链的密实堆砌,从而使超支化PI薄膜具有优异的溶解特性,更易于被加工成复杂器件。与目前普遍使用的Kapton标准膜相比,在同等测试条件下本发明法制备的超支化PI薄膜的介电常数降低了20%~40%,最低介电常数甚至接近2.0,达到超低介电常数的水平,能够满足未来微电子行业发展的迫切需求。