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公开(公告)号：CN105579621A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052526.2
申请日：2014-09-22
申请人： 德国艾托特克公司
IPC分类号： C25D5/50 , C23C18/12 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C24/00 , C25D5/18 , C25D5/38 , C23C18/36
CPC分类号： C23C18/1893 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3618 , C03C17/3642 , C03C17/3649 , C03C17/3697 , C03C2217/70 , C03C2218/111 , C03C2218/112 , C03C2218/115 , C04B41/0072 , C04B41/5072 , C04B41/5075 , C04B41/51 , C04B41/5111 , C04B41/52 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1258 , C23C18/1295 , C23C18/1642 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1692 , C23C18/1694 , C23C18/1875 , C23C18/1882 , C23C18/1886 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/40 , C23C18/405 , C23C26/00 , C23C28/3225 , C23C28/345 , C25D3/12 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D5/50 , C25D5/54 , H01L21/2885
摘要： 本发明提供一种用于非导电衬底金属化的方法，其提供沉积金属对于衬底材料的高粘着性并且由此形成持久粘结。所述方法施用促进粘着的金属氧化物化合物与促进金属层形成的过渡金属镀敷催化剂化合物的新颖组合。
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公开(公告)号：CN1174118C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN00818201.9
申请日：2000-11-20
申请人： 株式会社日矿材料
IPC分类号： C23C18/18
CPC分类号： C23C18/2053 , C23C18/1875 , C23C18/30
摘要： 传统镀覆方法不适用的树脂布、粉末、镜面体和其他物体可通过一种简单的方法用金属镀覆。根据本发明的金属镀覆方法，在用事先通过贵金属化合物(催化剂)与其官能基团能捕获金属的硅烷偶联剂反应或混合制得的预处理剂处理要镀覆的物体表面以后进行化学镀覆。根据这一方法，金属镀覆可可靠地用于粉末、树脂布、半导体晶片和其他镜面体。而且，通过这一方法用于半导体晶片，可解决在精细布线形成过程中晶种层在通路和沟槽内壁上覆盖不足的问题。硅烷偶联剂可为含有唑基、优选咪唑的化合物。
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公开(公告)号：CN1420944A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN00818201.9
申请日：2000-11-20
申请人： 株式会社日矿材料
IPC分类号： C23C18/18
CPC分类号： C23C18/2053 , C23C18/1875 , C23C18/30
摘要： 传统镀覆方法不适用的树脂布、粉末、镜面体和其他物体可通过一种简单的方法用金属镀覆。根据本发明的金属镀覆方法，在用事先通过贵金属化合物(催化剂)与其官能基团能捕获金属的硅烷偶联剂反应或混合制得的预处理剂处理要镀覆的物体表面以后进行化学镀覆。根据这一方法，金属镀覆可可靠地用于粉末、树脂布、半导体晶片和其他镜面体。而且，通过这一方法用于半导体晶片，可解决在精细布线形成过程中晶种层在通路和沟槽内壁上覆盖不足的问题。硅烷偶联剂可为含有唑基、优选咪唑的化合物。
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公开(公告)号：CN105848874A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070678.5
申请日：2014-12-23
申请人： 索尔维特殊聚合物意大利有限公司
CPC分类号： B64C1/40 , B32B5/02 , B32B5/024 , B32B5/18 , B32B27/065 , B32B27/12 , B32B27/16 , B32B27/288 , B32B27/304 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2262/02 , B32B2262/10 , B32B2307/10 , B32B2307/102 , B32B2307/304 , B32B2307/306 , B32B2307/3065 , B32B2371/00 , B32B2375/00 , B32B2605/18 , C08J5/18 , C08J2371/10 , C23C18/1875 , C23C18/42
摘要： 本发明涉及包含一个或多个隔离垫的一种隔离系统，其中每个所述多层隔离垫包括：?由隔离材料[材料(I)]组成的芯，以及?包封所述芯的壳，所述壳包括至少一个多层组件，该至少一个多层组件包括：(1)由组合物[组合物(C1)]组成的外层[层(L1)]，该组合物包含以下项、优选地由以下项组成：至少一种具有按体积计至少20％的极限氧指数(LOI)的热塑性聚合物[聚合物(1)]，其中所述层(L1)的至少一个表面、优选地该内表面包括一种或多种接枝的官能团[表面(L1?f)]，(2)直接粘附到所述至少一个表面(L1?f)上的由至少一种金属化合物(M1)组成的层[层(L2)]，以及(3)任选地，直接粘附到该层(L2)的相反侧上的由至少一种金属化合物(M2)组成的层[层(L3)]，所述金属化合物(M2)与所述金属化合物(M1)相同或不同。本发明还涉及一种用于制造所述隔离系统的方法并且涉及所述隔离系统在包括飞机应用的多种应用中的用途。
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公开(公告)号：CN102534576A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110462535.7
申请日：2011-12-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C23C18/1646 , C23C18/1639 , C23C18/1653 , C23C18/1875 , C23C18/2086 , C23C18/30 , C23C18/405 , C23C28/02 , H05K3/42 , H05K2203/0716
摘要： 本发明提供了稳定的零价金属组合物以及制备和使用该组合物的方法。该组合物适用于作为非导电基底的金属化催化剂，特别适用于电子器件制造。
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公开(公告)号：CN105579621B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201480052526.2
申请日：2014-09-22
申请人： 德国艾托特克公司
IPC分类号： C25D5/50 , C23C18/12 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C24/00 , C25D5/18 , C25D5/38 , C23C18/36
CPC分类号： C23C18/1893 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3618 , C03C17/3642 , C03C17/3649 , C03C17/3697 , C03C2217/70 , C03C2218/111 , C03C2218/112 , C03C2218/115 , C04B41/0072 , C04B41/5072 , C04B41/5075 , C04B41/51 , C04B41/5111 , C04B41/52 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1258 , C23C18/1295 , C23C18/1642 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1692 , C23C18/1694 , C23C18/1875 , C23C18/1882 , C23C18/1886 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/40 , C23C18/405 , C23C26/00 , C23C28/3225 , C23C28/345 , C25D3/12 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D5/50 , C25D5/54 , H01L21/2885
摘要： 本发明提供一种用于非导电衬底金属化的方法，其提供沉积金属对于衬底材料的高粘着性并且由此形成持久粘结。所述方法施用促进粘着的金属氧化物化合物与促进金属层形成的过渡金属镀敷催化剂化合物的新颖组合。
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公开(公告)号：CN102534576B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201110462535.7
申请日：2011-12-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C23C18/1646 , C23C18/1639 , C23C18/1653 , C23C18/1875 , C23C18/2086 , C23C18/30 , C23C18/405 , C23C28/02 , H05K3/42 , H05K2203/0716
摘要： 本发明提供了稳定的零价金属组合物以及制备和使用该组合物的方法。该组合物适用于作为非导电基底的金属化催化剂，特别适用于电子器件制造。
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