金属镀覆方法、预处理剂以及使用它们制得的半导体晶片和半导体器件

    公开(公告)号:CN1420944A

    公开(公告)日:2003-05-28

    申请号:CN00818201.9

    申请日:2000-11-20

    IPC分类号: C23C18/18

    摘要: 传统镀覆方法不适用的树脂布、粉末、镜面体和其他物体可通过一种简单的方法用金属镀覆。根据本发明的金属镀覆方法,在用事先通过贵金属化合物(催化剂)与其官能基团能捕获金属的硅烷偶联剂反应或混合制得的预处理剂处理要镀覆的物体表面以后进行化学镀覆。根据这一方法,金属镀覆可可靠地用于粉末、树脂布、半导体晶片和其他镜面体。而且,通过这一方法用于半导体晶片,可解决在精细布线形成过程中晶种层在通路和沟槽内壁上覆盖不足的问题。硅烷偶联剂可为含有唑基、优选咪唑的化合物。

    铜电解液和从该铜电解液制造出的电解铜箔

    公开(公告)号:CN1726309A

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200380106297.X

    申请日:2003-10-10

    IPC分类号: C25D1/04 C25D3/38

    摘要: 本发明的目的在于,提供一种铜电解液,用于在使用了阴极鼓的电解铜箔制造中的,用于获得粗面侧(光滑面的相反侧)的表面粗糙度小的低断面电解铜箔,特别是提供一种铜电解液,用于获得在高频率中的送电损失特性优异,可以实现精细图案化,进一步在常温和高温下的伸长率和抗拉强度优异的电解铜箔。本发明的铜电解液为,含有(A)和(B)作为添加剂的铜电解液,其中(A)为选自(a)和(b)中的至少一个的季铵盐,(a):作为表氯醇与仲胺化合物和叔胺化合物组成的胺化合物混合物的反应物的季铵盐,(b):聚表氯醇季铵盐;(B)为有机硫化合物。

    对Sn合金的表面处理剂及表面处理方法

    公开(公告)号:CN1678769A

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:CN03819997.1

    申请日:2003-08-25

    IPC分类号: C23C26/00

    CPC分类号: C23C30/00 C23C26/00

    摘要: 本发明的目的在于提供一种Sn合金的焊锡润湿性、及耐氧化性良好的表面处理剂。进一步的目的在于提供保存稳定性好的焊锡膏、可以得到抑制须晶产生的镀Sn合金的表面处理剂。该表面处理剂是一种对Sn合金的表面处理剂,其特征在于,含有具有一个或两个饱和或不饱和烷基的酸性磷酸酯、和/或其盐,并且提供一种使用该表面处理剂对Sn合金进行表面处理的方法。作为Sn合金,优选在Sn中含有Zn、Bi、Cu、Ag、Sb中的任何一种或两种或其以上的焊锡合金。