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公开(公告)号：CN101345187A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810126567.8
申请日：2008-07-10
申请人： 应用材料股份有限公司
CPC分类号： G01K11/00 , G01K3/04 , G01K5/486 , H01L21/67276
摘要： 本发明提供一种用于监测和校准加工室温度的非破坏性方法。本发明的一个实施例提供一种用于测量温度的方法，该方法包括在第一温度下在测试基片上形成目标膜，其中目标膜具有对热暴露敏感的一种或几种性能，将目标膜暴露于在高于第一温度的范围内的第二温度下的环境，在将目标膜暴露于第二温度下的环境之后测量目标膜的一种或几种性能，以及根据所测量的一种或几种性能确定第二温度。
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公开(公告)号：CN101527274A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910118232.6
申请日：2009-03-03
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 山本武
IPC分类号： H01L21/66 , G01K7/02 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及一种基板表面温度测量方法，使用该方法的基板处理设备，和半导体器件制造方法。使用观测基板(106)的边缘表面的观测器(115a，115b)测量基板(106)的膨胀量。使用基板(106)的膨胀量计算基板(106)的中间平面的温度。使用热通量传感器(110)测量基板(106)中的热通量。从测量的基板(106)的热通量和基板(106)的热阻，计算基板(106)的中间平面与上表面之间的温度差。使用所述温度差和基板(106)的中间平面的温度，获得基板(106)的表面的温度。
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公开(公告)号：CN102042882B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010504538.8
申请日：2010-10-08
申请人： 意法半导体(鲁塞)公司
发明人： 克里斯蒂安·里弗罗
IPC分类号： G01K7/16
CPC分类号： G01K5/486 , G01K7/226 , G01K2217/00
摘要： 一种用来检测集成电路芯片衬底温度变化的器件，其包括，在衬底中用注入电阻连接成的惠特斯通桥，其中该桥中两个第一相对的电阻各由与第一方向平行的金属线阵列所覆盖，该第一方向定义为，衬底应力沿此方向的变化会导致桥中不平衡值的变化。
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公开(公告)号：CN101345187B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810126567.8
申请日：2008-07-10
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： G01K11/00 , G01K3/04 , G01K5/486 , H01L21/67276
摘要： 本发明提供一种用于监测和校准加工室温度的非破坏性方法。本发明的一个实施例提供一种用于测量温度的方法，该方法包括在第一温度下在测试基片上形成目标膜，其中目标膜具有对热暴露敏感的一种或几种性能，将目标膜暴露于在高于第一温度的范围内的第二温度下的环境，在将目标膜暴露于第二温度下的环境之后测量目标膜的一种或几种性能，以及根据所测量的一种或几种性能确定第二温度。
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公开(公告)号：CN102042882A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010504538.8
申请日：2010-10-08
申请人： 意法半导体(胡希)公司
发明人： 克里斯蒂安·里弗罗
IPC分类号： G01K7/16
CPC分类号： G01K5/486 , G01K7/226 , G01K2217/00
摘要： 一种用来检测集成电路芯片衬底温度变化的器件，其包括，在衬底中用注入电阻连接成的惠特斯通桥，其中该桥中两个第一相对的电阻各由与第一方向平行的金属线阵列所覆盖，该第一方向定义为，衬底应力沿此方向的变化会导致桥中不平衡值的变化。
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公开(公告)号：CN101438139A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780015938.9
申请日：2007-05-01
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC分类号： G01K5/48
CPC分类号： G01K5/486
摘要： 一种生物芯片具有集成温度传感器，该集成温度传感器包括：微机械激励器(20)，其具有取决于温度的变形；以及检测器(30)，用于根据激励器的变形而输出信号。可以由弹性网络形式的LC材料构成激励器。检测器(30)可以是光学的、磁性的或电容性的。可以将激励器布置为层，所述变形可以是该层的卷曲。
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