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公开(公告)号:CN105765460A
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201480063956.4
申请日:2014-11-21
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70183 , G03F7/70008 , G03F7/70058 , G03F7/70116 , G03F7/702 , G03F7/70991
摘要: 本发明涉及一种EUV投射光刻的照明系统,包含:光束成形光学单元(6),用于从基于同步加速器辐射的光源(2)的EUV原始光束(4)产生EUV聚集输出光束(7)。解耦光学单元(8)用于从所述EUV聚集输出光束(7)产生多个EUV单独输出光束(9i)。光束引导光学单元(10)用于在各个情况中引导各EUV单独输出光束(9i)朝向物场(11),光刻掩模(12)可布置在所述物场中。结果,照明系统高度无损失,并且同时灵活引导基于同步加速器辐射的光源的EUV光。
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公开(公告)号:CN105549336A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201610064552.8
申请日:2016-01-29
申请人: 清华大学
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70125 , G03F7/70008 , G03F2007/2067
摘要: 本发明涉及一种纳米光刻装置及制备超衍射极限图形的方法,其中装置包括基底、位于基底之上的下层模板、位于下层模板之上的光刻胶、位于光刻胶之上的上层模板、位于上层模板之上的透光基板和曝光光源;上层模板具有光刻图形,上、下层模板组成光刻掩膜版,其材质均为金属或合金材质,在光刻时上、下层模板形成局域表面等离子体激元结构。本发明利用双层金属/合金光刻掩膜版,能在光刻时形成局域表面等离子体激元模式,制备线宽比光刻掩膜版上的光刻图形更小的超衍射极限复杂光刻图形,同时可以通过改变光刻掩膜版以及周围介质材料、光刻胶的厚度、曝光源波长、控制曝光功率、曝光时间等条件,对超衍射图形的线宽、深宽比进行调控。
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公开(公告)号:CN101989048B
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201010237314.5
申请日:2010-07-23
发明人: 横田利夫
CPC分类号: H01J65/042 , G03F7/70008
摘要: 一种光源装置,能够稳定地维持点亮开始后的高温等离子体状态从而稳定地维持发光,并抑制因发光管的加热引起的点亮寿命降低。向内部封入有发光气体的发光管(1),从脉冲激光振荡部(21)入射脉冲式激光束,并从连续波激光振荡部(25)入射连续波激光束,以在发光管内两光束重合的方式进行聚光。在点亮开始时,由脉冲式光束形成高温等离子体状态,在形成高温等离子体状态的位置,使比脉冲式光束强度小的连续波光束重合,由此能够稳定地维持高温等离子体状态。此外,由于连续波光束强度较小,因此能够使发光管不被加热而达到长寿命。作为使光束在发光管内聚光的光学单元,可使用例如衍射光学元件(31)、凸透镜、抛物面反射镜等。
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公开(公告)号:CN109307987A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201810814943.6
申请日:2018-07-24
申请人: 佳能株式会社
发明人: 水谷将树
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70191 , G03F7/0035 , G03F7/70008 , G03F7/70141 , G03F7/70258 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70725 , G03F7/7085 , G03F7/70308
摘要: 公开了曝光装置和物品制造方法。被配置为使基板暴露于光的装置包括:照明光学系统,被配置为照明掩模;投影光学系统,被配置为将掩模的图案投影到基板上;和偏心机构,被配置为使照明光学系统的至少一个光学元件相对于投影光学系统的光轴偏心,或者使投影光学系统的至少一个光学元件相对于照明光学系统的光轴偏心,并且,通过偏心机构使光学元件偏心来改变在从投影光学系统的聚焦位置散焦的位置处发生的旋转不对称畸变。
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公开(公告)号:CN107065448A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710174525.0
申请日:2017-03-22
申请人: 深圳市海目星激光科技有限公司
CPC分类号: G03F7/70008 , G02B27/10
摘要: 本发明涉及光学设备领域,公开了一种多光谱混合波合束光源与曝光机,其中光源包括第一光源、第二光源与光源合束镜,光源合束镜设于第一光源与第二光源所射出的光束的相交处,其可对第一光源射出的第一光束进行折射,以及对第二光源射出的第二光束进行反射,第二光束经反射后沿第一光束前进的方向射出,以与第一光束形成混合光束。本发明通过光源合束镜的折射及反射功能可以获得包含至少两种波长的混合光束,该混合光束在与待曝光玻璃上的油墨反应时能满足曝光工艺中的能量需求,同时混合光束中的各组成光束相互平行,从而可以保证曝光的尺寸精度,达到最佳的固化效果。
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公开(公告)号:CN106094448A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610607707.8
申请日:2016-07-29
申请人: 胡煜塨
发明人: 胡煜塨
CPC分类号: G03F7/70008 , G03F7/70641 , G03F9/7026
摘要: 本申请公开了一种光刻系统,包括光源、以及沿光路方向依次设置的空间光调制器、第一分光器件、双远心光学系统和光刻平台,所述双远心光学系统由沿光路方向依次设置的镜筒透镜和物镜组成,所述镜筒透镜和物镜之间光线为非平行光,所述物镜与调焦装置连接,该调焦装置带动所述物镜移动以实现焦距调节。本发明光刻系统优点至少包括:在主光路中无分光器件,成像质量好;检测系统中全部由成像光学元件组成,检测光斑投射在工件表面的尺寸较大,不容易受到灰尘和颗粒影响;检测系统和调焦系统采用机械切换方式,光路结构简单,操作方便。
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公开(公告)号:CN105745579A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201480063035.8
申请日:2014-09-24
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: V·班尼恩 , P·巴特瑞 , R·范格尔库姆 , L·阿门特 , 彼得·德亚格尔 , G·德维里斯 , R·栋克尔 , W·恩格尔伦 , O·弗里基恩斯 , L·格瑞米克 , A·卡塔伦尼克 , E·鲁普斯特拉 , H-K·尼恩惠斯 , A·尼基帕罗夫 , M·瑞肯斯 , F·詹森 , B·克鲁兹卡
CPC分类号: G21K1/067 , G01N2021/95676 , G02B5/1814 , G02B5/1823 , G02B5/1838 , G02B5/1861 , G02B27/0025 , G02B27/0938 , G02B27/10 , G02B27/1086 , G02B27/12 , G02B27/14 , G02B27/142 , G02B27/146 , G02B27/4272 , G03F1/84 , G03F7/70025 , G03F7/70208 , G03F7/70566 , G03F7/70891 , G03F7/70991 , G21K2201/065 , H01S3/0903 , H05H7/04 , G03F7/70008 , G03F7/7005 , G03F7/70091 , G03F7/70158 , G03F7/70166 , G03F7/7065
摘要: 一种在光刻系统内使用的传输系统。所述束传输系统包括光学元件,所述光学元件被布置成接收来自辐射源的辐射束并且沿着一个或多个方向反射辐射的部分以形成用于供给到一个或多个工具的一个或多个分支辐射束。
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公开(公告)号:CN104460236A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410305880.3
申请日:2014-06-30
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70275 , G03F7/70008 , G03F7/7015 , G03F7/70208 , G03F7/70358 , G03F7/70716 , G03F7/70725 , H01L21/682
摘要: 本发明提供用于光刻的高生产量和小占位面积扫描曝光的系统和方法。一种光刻系统,其包括辐射源和曝光工具,曝光工具包括在第一方向上密集地封装的多个曝光柱。每个曝光柱都包括被配置成经过辐射源的曝光区域。该系统还包括:晶圆载体,被配置成固定并且沿着垂直于第一方向的第二方向移动一个或多个晶圆,使得一个或多个晶圆通过曝光工具曝光,以沿着第二方向形成图案。一个或多个晶圆覆盖有光刻胶层并且在晶圆载体上以第二方向对准。
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公开(公告)号:CN103299249A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN200880110575.1
申请日:2008-10-07
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人: 马库斯·豪夫
IPC分类号: G05D23/19
CPC分类号: G03F7/70891 , G02B5/08 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B7/1815 , G03B27/26 , G03F7/70008 , G03F7/70825 , G05D23/1919 , G21K1/067 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 一种装置用于控制设置在真空气氛中的光学元件的温度。该装置具有有着辐射冷却部分的冷却设备,所述辐射冷却部分布置成与所述光学元件分开,用于通过辐射热传递来冷却所述光学元件。控制器用于控制所述辐射冷却部分的温度。此外,该装置包括加热部分,用于加热所述光学元件。所述加热部分连接至所述控制器,用于控制所述加热部分的温度。所得到用于控制温度的装置具体地可以与EUV微光刻工具中的光学元件使用,以实现其光学系统的稳定的性能。
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公开(公告)号:CN1981361A
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200580016935.8
申请日:2005-05-04
申请人: 科美特有限公司
发明人: 阿尔弗雷德·赖因霍尔德
CPC分类号: H01J35/08 , G03F7/70008 , H01J2235/081 , H01J2235/088
摘要: 一种XUV射线发射和发生装置(2)设有一个目标物(4),该目标物(4)在聚集荷电粒子时发射XUV射线,其中目标物(4)设有一个基体(18),该基体(18)至少部分设有第一层(20),第一层(20)包含一种在聚集荷电粒子时发射XUV射线的材料。按照本发明,附加于第一层(20)上的至少设有第二层(22),第二层(22)包含一种较高导电性能的材料。
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